Вплив локального заряду, захопленого в оксидi, на електричнi та ємнiснi характеристики SOI FinFET

  • Атабек Атамуратовa Державний унiверситет Ургенчу iменi бу Райхана Бiрунi, Ургенч, Узбекистан https://orcid.org/0000-0003-2173-3783
  • Iброхiмжон Карiмов Андiжанський державний унiверситет, Андiжан, Узбекистан https://orcid.org/0009-0002-5714-8658
  • Мiрзабахром Фозiлжонов Андiжанський державний унiверситет, Андiжан, Узбекистан https://orcid.org/0009-0005-0073-1713
  • Азамат Абдiкарiмов Державний унiверситет Ургенчу iменi бу Райхана Бiрунi, Ургенч, Узбекистан https://orcid.org/0000-0003-1220-7482
  • Одiлбек Атамуратов Ташкентський iнститут iнженерiв iригацiї та механiзацiї сiльського господарства – Нацiональний дослiдницький унiверситет, Ташкент, Узбекистан https://orcid.org/0000-0002-5010-2692
  • Махкам Халiллоєв Державний унiверситет Ургенчу імені бу Райхана Біруні, Ургенч, Узбекистан https://orcid.org/0000-0001-5497-6410
DOI: https://doi.org/10.26565/2312-4334-2025-3-36
Ключові слова: FinFET, локальний заряд, ємнiсть затвор-виток, p-n перехiд, C-V залежнiсть

Анотація

У цiй роботi моделюється вплив локального заряду, захопленого в оксидi, на передавальнi характеристики Id-Vg та ємнiсть мiж затвором i витоком (стоком) транзистора FinFET на основi структури кремнiю на iзоляторi (SOI). Характеристики Id-Vg моделюються з використанням моделi дрейф-дифузiйного переносу. Ємнiсно-напруговi характеристики затвор-виток моделюються за допомогою методу малого змiнного сигналу (AC). Дослiджено залежнiсть характеристик Id-Vg та ємностi затвор-виток (затвор-сток) вiд рiзних лiнiйних розмiрiв i положень локального заряду в оксидi вздовж каналу. Результати моделювання показують, що порогова напруга монотонно зменшується зi збiльшенням лiнiйного розмiру локального заряду, а ємнiсть затвор-виток монотонно зростає зi збiльшенням вiдстанi мiж межою виток-канал i центром локального заряду.

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Посилання

A.E. Atamuratov, M.M. Khalilloev, A. Abdikarimov, Z.A. Atamuratova, M. Kittler, R. Granzner, and F. Schwierz, Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics, 8(1), 75 (2017). https://doi.org/10.17586/2220-8054-2017-8-1-75-78

A.E. Atamuratov, A. Abdikarimov, M. Khalilloev, Z.A. Atamuratova, R. Rahmanov, A. Garcia-Loureiro, and A. Yusupov, Nanosystems: physics, chemistry, mathematics, 8(1), 71 (2017). https://doi.org/10.17586/2220-8054-2017-8-1-71-74

A.E. Atamuratov, B.O. Jabbarova, M.M. Khalilloev, A. Yusupov, and A.G. Loureriro, in: Proceedings of the 2021 13th Spanish Conference on Electron Devices (CDE), (Sevilla, Spain, 2021), pp. 62-64. https://doi.org/10.1109/CDE52135.2021.9455728

R.P. Nelapati, and K. Sivasankaran, Microelectron. J. 76, 63 (2018). https://doi.org/10.1016/j.mejo.2018.04.015

A.E. Atamuratov, M.M. Khalilloev, A. Yusupov, J. Garc´ıa-Loureiro, J.Ch. Chedjou, and K. Kyandoghere, Appl. Sci. 10, 5327 (2020). https://doi.org/10.1016/j.cpc.2015.01.024

B. Kaczer, J. Franco, P. Weckx, P.J. Roussel, V. Putcha, E. Bury, M. Simicic, et al., Microelectronics Reliability, 81, 186 (2018). https://doi.org/10.1016/j.microrel.2017.11.022

J. Mart´ın-Mart´ınez, S. Gerardin, E. Amat, R. Rodr´ıguez, M. Nafr´ıa, X. Aymerich, et al., IEEE Transactions on Electron Devices, 56, 2155 (2009). https://doi.org/10.1109/TED.2009.2026206

A. Jaafar, N. Soin, S.F Wan Muhamad Hatta, S.I. Salim, and Z. Zakaria, Appl. Sci. 11, 6417 (2021). https://doi.org/10.3390/app11146417

B. Kaczer, T. Grasser, P.J. Roussel, J. Franco, R. Degraeve, and L.A. Ragnarsson, et al., in: 2010 IEEE International Reliability Physics Symposium, (Anaheim, CA, USA, 2010), pp. 26-32. https://doi.org/10.1109/IRPS.2010.5488856

M.K. Bepary, B.M. Talukder, and M.T. Rahman. Appl. Sci. 12, 4332 (2022). https://doi.org/10.3390/app12094332

J. Lee, Appl. Sci. 11, 356 (2021). https://doi.org/10.3390/app11010356

N. Lee, H. Kim, and B. Kang, Appl. Sci. IEEE Electron. Device. Lett. 33(2), 137 (2012). https://doi.org/10.1109/LED.2011.2174026

A.E. Atamuratov, A. Yusupov, and K. Adinaev, Inorganic Materials, 37(8), 767 (2001). https://doi.org/10.1023/A:1017918911606

K.S. Ralls, W.J. Skocpol, L.D. Jackel, R.E. Howard, L.A. Fetter, R.W. Epworth, and D.M. Tennant, Physical Review Letters, 52, 228 (1984). https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.52.228

M.M. Khalilloev, B.O. Jabbarova, and A.A. Nasirov, Technical Physics Letters, 45(12), 1245 (2019). https://doi.org/10.1134/S1063785019120216

P.J. McWhorter, and P.S. Winokur, Applied Physics Letters, 48(2), 133 (1986). https://doi.org/10.1063/1.96974

E.H. Nicollian, and J.R. Brews, MOS Physics and Technology, (Wiley-Interscience, New York, 2003).

L. Boyer, B. Rousset, J. Notingher, S. Agnel, and J.L. Sanchez, in: Proceedings of the 2010 IEEE Industry Applications Society Annual Meeting, (Houston, TX, USA, 2010). pp. 1-8. https://doi.org/10.1109/IAS.2010.5614500

A.E. Atamuratov, A. Yusupov, Z.A. Atamuratova, J.C. Chedjou, and K. Kyamakya, Applied Sciences, 10(21), 7935 (2020). https://doi.org/10.3390/app10217935

A.E. Atamuratov, D.U. Matrasulov, and P.K. Khabibullaev, Doklady Physics, 52(6), 322 (2007). http://doi.org/10.1134/S1028335807060080

U.I. Erkaboev, S.A. Ruzaliev, R.G. Rakhimov, and N.A. Sayidov, East European Journal of Physics, (3), 270 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-3-26

A.E. Atamuratov, M.M. Khalilloev, A. Yusupov, J.C. Chedjou, and K. Kyandoghere, Applied Sciences (Switzerland), 10(15), 5327 (2020). https://doi.org/10.3390/app10155327

V.S. Basker, T. Standaert, and H. Kawasaki, et.al., in: Proc. Symp. VLSI Technol. (Honolulu, HI, USA, 2010), pp. 19–20.

A.S. Starkov, Microelectron. Reliab. 54, 33 (2014). https://doi.org/10.1016/j.microrel.2013.08.015

A. Asenov, R. Balasubramaniam, A.R. Brown, and J.H. Davies, IEEE Transactions on Electron Devices, 50(3), 839 (2003). https://doi.org/10.1109/TED.2003.808465

M.G. Dadamirzaev, M.O. Kosimova, S.Boydedayev, and A.S. Makhmudov, East European Journal of Physics, (2), 372 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-2-46

J.S. Abdullayev, and I.B. Sapaev, East European Journal of Physics, (3), 344 (2024). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-3-39

Опубліковано
2025-09-08
Цитовано
Як цитувати
АтамуратовaА., КарiмовI., ФозiлжоновМ., АбдiкарiмовА., Атамуратов, О., & ХалiллоєвМ. (2025). Вплив локального заряду, захопленого в оксидi, на електричнi та ємнiснi характеристики SOI FinFET. Східно-європейський фізичний журнал, (3), 357-364. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2025-3-36
Номер
№ 3 (2025): Східно-європейський фізичний журнал
Розділ
Статті

Авторське право (c) 2025 Атабек Атамуратов, Iброхiмжон Карiмов, Мiрзабахром Фозiлжонов, Азамат Абдiкарiмов, Одiлбек Атамуратов, Махкам Халiллоєв

Ліцезія Creative Commons

Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:

    • Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
    • Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
    • Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).