Вплив домішок та радіаційних дефектів на анізотропію монокристала GaS, легованого Yb
Анотація
Досліджено вплив γ-квантів на анізотропію шаруватого монокристала GaS, чистого та легованого 0,1 ат.% Yb, в діапазоні температур 125-300 К. Оскільки різниця між іонним радіусом атома Yb та іонним радіусом атомів компонента відносно невелика, коли досліджуваний монокристал GaS додається з іонами ітербію, адитивний атом, ймовірно, буде розташований всередині шарів (замінюючи Ga атом або між вузлами) і в міжшаровому просторі. Розташування домішкових атомів і радіаційних дефектів у міжшаровій області шаруватого кристала GaS (Yb) послаблює анізотропні властивості кристалів, а розташування всередині шару посилює їх. Механізм протікання струму в сильних електричних полях відповідає моделі Френкеля, незалежно від природи атома домішки.
Завантаження
Посилання
A.Z. Abasova, R.S. Madatov, and V.I. Stafeev, Radiation-stimulated processes in chalcogenide structures, (ELM, Baku, Azerbaijan, 2010).
G. Micocci, R. Rella, P. Siciliano, and A. Tepore, “Investigation of electronic properties of gallium sulfide single crystals grown by iodine chemical transport,” Journal of Applied Physics, 68(1), 138-142 (1990). https://doi.org/10.1063/1.347105
B.Q. Tagiev, A.R. Hajiev, and R.S. Madatov, “On the anisotropy of layered semiconductors GaSe and GaTe,” J. Physics of the Academy of Sciences of Azerbaijan, 3(3), 84-87 (1997). http://physics.gov.az/Dom/1997/v3article/F19970103_24.pdf (in Russian)
R.H. Al-Orainy, “Growth, Characterization and Electrical Anisotropy in Layered Chalcogenide Gallium Monosulphide Single Crystals,” JKAU: Sci. 22(2), 3-12 (2010). https://www.kau.edu.sa/Files/363/Researches/64767_36125.pdf
V. Augelli, V. Augelli, C. Manfredotti, and R. Murri, “Resistivity anisotropy in p-type GaSe,” Nuovo Cim. 47(1), 101 103 (1978). https://doi.org/10.1007/BF02894621
P.I. Savitskii, I.V. Mintyanskii, and Z.D. Kovalyuk, “Annealing Effect on Conductivity Anisotropy in Indium Selenide Single Crystals,” Physics status solidi (a), 155(2), 451-460 (1996). https://doi.org/10.1002/pssa.2211550218
R. Madatov, A. Najafov, A. Alakbarov, T. Tagiev, and A. Khaliqzadeh, “Features of electrical and photolectric properties of GaS(Yb) monocrystals,” Journal of Physical Sciences, 74(9), 1-5 (2019). https://doi.org/10.1515/zna-2018-0475
R.S. Madatov, R.M. Mamishova, M.A. Mamedov, J. Ismayılov and U.V. Faradjova, “Electrophysical properties of Pb1−XMnXSe epitaxial films irradiated by γ-quanta,” Turk Journal of Physics, 44, 214–221 (2020). https://doi.org/10.3906/fiz-1906-14
R.S. Madatov, T.B. Tagiev, and A.Sh. Khalygzade, “Features of the defecation mechanism in layered GaS(Yb) single crystals under irradiation with low doses of γ-quanta,” Trans. Az. Nat. Acad. Sci., Physics and Astronomy, 38(5), 90-96 (2018). http://physics.gov.az/Transactions/2018/journal2018(5).pdf (in Russian)
A.S. Khaliqzadeh, “Processes Happened in the Photoelectrical Processes of GaS Monocrystal Alloyed Yb and Irradiated by γ- Rays,” Works of Young Scientists, 4(1), 37-40 (2018). https://gencalimler.az/uploads/Genc_Tedqiqatci_N2_2018.pdf (in Azerbaijan)
R. Madatov, R. Mamishova, A. Abasova, and S. Alahverdiyev, “Diferential-thermal analysis and a microscopic study of the effect of ℽ-radiation on CuTlSe2 single crystal,” International Journal of Modern Physics B, 37(30), 2350265 (2023). https://doi.org/10.1142/S021797922350265X
R.S. Madatov, R.M. Mamishova, and G.B. Baylarov, “Characteristics of current injection in the narrow -band p-CuTlS single crystal,” Applied Physics A, 127, 364 (2021). https://doi.org/10.1007/s00339-021-04515-8
R.S. Madatov, and R.M. Mamishova, “A study of the effect of γ-radiation on the current-carrying mechanism in the p-CuTlS2 single crystal,” Modern Physics Letters B, 38(30), 2450295 (2024). https://doi.org/10.1142/S0217984924502956
R.S. Madatov, T.B. Tagiev, S.A. Abushev, Sh.P. Shekili, and A.R. Mobili, “Optical and Photoelectric Properties of Gamma-Irradiated GaS:Er+3 Layered Crystals,” Inorganic Materials, 44(4), 333–336 (2008). https://doi.org/10.1134/S002016850804002X
Y.Gutiérrez, D. Juan, S. Dicorato, G. Santos, M. Duwe, P.H. Thiesen, M.M. Giangregorio, et al., “Layered gallium sulfide optical properties from monolayer to CVD crystalline thin films,” Optics Express, 30(15), 27609-27622 (2022). https://doi.org/10.1364/OE.459815
J. Suh, “Point Defects in Two-Dimensional Layered Semiconductors: Physics and Its Applications,” PhD Thesis, University of California, Berkeley, (2015).
K. Xu, L. Yin, Y. Huang, T.A. Shifa, J. Chu, F. Wang, R. Cheng, et al., “Synthesis, Properties and applications of 2D layered MIIIXVI (M = Ga, In; X = S, Se, Te) materials,” Nanoscale, 8, 16802-16818 (2016). https://doi.org/10.1039/C6NR05976G
Авторське право (c) 2025 Р.С. Мадатов, Т.Б. Тагієв, А.Ш. Халігзаде, Р.М. Мамішова
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
