Температура та інфрачервоне гасіння рівноважної провідності в плівці CdSexS1-x
Анотація
Розроблено метод отримання CdSe, CdSexS1-x плівок з високою світлочутливістю. Цей метод передбачає термічну обробку свіжоприготованих плівок у вакуумі та на повітрі в спеціально підготовленій квазігерметичній камері в присутності CdCl2 або CuCl2, що забезпечує рівномірну дифузію сенсибілізуючих речовин. Експерименти показали, що CdSe, CdSexS1-x плівки зі стабільними та відтворюваними електрофізичними властивостями отримують шляхом нагрівання за таких температур: на повітрі в присутності CdCl2 – 470℃; у присутності CuCl2 – 300℃; у вакуумі – 480℃. Температурне та інфрачервоне гасіння рівноважної провідності спостерігається лише в оптимально світлочутливих. зразки як з швидкими (r), так і з повільними (s) центрами рекомбінації та ефективно працюють міжкристалічні бар'єри. Однак різні зовнішні впливи істотно впливають на рух носія, що призводить до втрати високої світлочутливості зразка. Інфрачервоне гасіння рівноважної провідності спостерігається на T < 300K і низькій інтенсивності інфрачервоного світла IIR < 10-1 lx у вхідному діапазоні спектрального поглинання 1.0 ÷ 3.0 μm, а виражена фотопровідність з чітко визначеним входом спостерігається на IIR ≥ 10-1 lx.
Завантаження
Посилання
S.N. Moger, and M.G. Mahesha, “Investigation on spectroscopic and electrical properties of p-Si/CdSxSe1−x(0≤x≤1) heterostructures for photodetector applications,” Journal of Alloys and Compounds, 870, 159479 (2021). https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2021.159479
P. Lv, Y. Sun, L. Sui, Z. Ma, K. Yuan, G. Wu, et al., “Pressure-Tuned Core/Shell Configuration Transition of Shell Thickness-Dependent CdSe/CdS Nanocrystals,” The Journal of Physical Chemistry Letters, 11(3), 920-926 (2020). https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.jpclett.9b03650
M. Ajibzhanov, M.A. Karimov, M.S. Saudov, and N.K. Yuldashev, “An anomalous temperature dependence and infrared extinction of equilibrium conductivity in polycrystalline CdSe films,” Fizika i tekhnika poluprovodnikov, 30(9), 1578–1584 (1996).
M.A. Karimov, and N.H. Yuldashev, “Obliquely deposited CdTe: In films with anomalous photovoltaic properties,” Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics, 71, 1151-1153 (2007). https://doi.org/10.3103/S1062873807080291
N.K. Yuldashev, D.T. Mamadieva, V.T. Mirzaev, and D.S. Xidirov, “Effect of Heat Treatment Conditions on Photo sensitivity of CdSexS1-x Polycrystalline Films,” Journal of Applied Mathematics and Physics, 10(10), 3208-3217 (2022). https://doi.org/10.4236/jamp.2022.1010213
Polvonov, B. Z., & Yuldashev, N. K. (2016). Spectra of low-temperature photoluminescence in thin polycrystalline CdTe films. Semiconductors, 50, 1001-1004. https://doi.org/10.1134/S1063782616080194
G. Lucovsky, “On the photoionization of deep impurity centers in semiconductors,” Solid state communications, 88(11-12), 879 882 (1993). https://doi.org/10.1016/0038-1098(93)90261-K
A.S. Hassanien, and A.A. Akl, “Effect of Se addition on optical and electrical properties of chalcogenide CdSSe thin films,” Superlattices and Microstructures, 89, 153-169 (2016). https://doi.org/10.1016/j.spmi.2015.10.044
J. Sharma, G.S.S. Saini, N. Goyal, and S.K. Tripathi, “Thermally induced changes on the electrical and optical properties of nanocrystalline CdSe thin films,” Journal of optoelectronics and advanced materials, 9(10), 3194 (2007). https://www.researchgate.net/publication/216691417
P.K.C. Pillai, N. Shroff, N.N. Kumar, and A.K. Tripathi, “Photoconductivity and dark-conductivity studies of CdS1−xSex(Cu) sintered layers,” Physical Review B, 32(12), 8228 (1985). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.32.8228
M. Ayibzhanov, O. Mamatov, V. Mirzaev, and B. Tuychibaev, “Luminescence spectrum of cadmium chalcogenide photovoltaic film structures and their power enhancement,” E3S Web of Conferences, 583, 04003 (2024). https://doi.org/10.1051/e3sconf/202458304003
B. Akhmadaliyev, T. Rakhmonov, K. Sulaimonov, and O. Nurmatov, “Photocunductivity spectra of thin solid solution films CdSexS1-x,” E3S Web of Conferences, 583, 04002 (2024). https://doi.org/10.1051/e3sconf/202458304002
Y.V. Trofimov, L.N. Survilo, E.F. Ostretsov, and M.S. Tivanov, “Physicochemical features of dielectrical nano-barrier layers in CdSexS1-x films formed by screen printing method,” Lithuanian Journal of Physics, 52(3), 219–223 (2012). https://doi.org/10.3952/physics.v52i3.2473
A.S. Abdinov, M.A. Jafarov, N.M. Mechtiyev, E.F. Nasirov, and H.M. Mamedov, “Photodetectors of IR radiation on the basis of CdS1-xSex films deposited from solution,” in: 16th International Conference on Photoelectronics and Night Vision Devices, vol. 4340, pp. 107-111 (2000). SPIE. https://doi.org/10.1117/12.407716
M.A. Karimov, and N.H. Yuldashev, “Obliquely deposited CdTe:In films with anomalous photovoltaic properties,” Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 71, 1151–1153 (2007). https://doi.org/10.3103/S1062873807080291
Z.X. Mirzajonov, K.A. Sulaymonov, T.I. Rakhmonov, F.T. Yusupov, D.Sh. Khidirov, and J.S. Rakhimjonov, “Advancements in Zinc Oxide (ZnO) thin films for photonic and optoelectronic applications: a focus on doping and annealing processes,” E3S Web of Conferences, 549, 03013 (2024). https://doi.org/10.1051/e3sconf/202454903013
B.Z. Akhmadaliev, N.K. Yuldashev, and I.I. Yulchiev, Surface-Radiative Modes and Longitudinal Excitons in the Spectra of Exciton–Polariton Luminescence. Opt. Spectrosc. 125, 343–352 (2018). https://doi.org/10.1134/S0030400X18090023
F.T. Yusupov, T.I. Rakhmonov, M.F. Akhmadjonov, M.M. Madrahimov, and S.S. Abdullayev, “Enhancing ZnO/Si Heterojunction Solar Cells: A Combined Experimental and Simulation Approach,” East European Journal of Physics, (3), 425 434. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2024-3-51
Цитування
Study of the Influence of Temperature on the Transitions of the CdS/Si/CdTe Heterosystem
Giyasova Feruza A., Bakhronov Khayot N., Yuldoshev Murodjon A., Sapaev Ibrokhim B., Ikramov Rustamjon G., Giyasov Farkhod A., Bekchanova Mira R., Qaxxarov Maxmudjon M. & Abdullayev Hakimjon O. (2025) East European Journal of Physics
Crossref
Авторське право (c) 2025 Валіджон Т. Мірзаєв, Бозорбой Дж. Ахмадалієв, Іфтіхорджон І. Юлчієв, Мумінджон М. Мадраксимов, Тохірбек І. Рахмонов
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
