Морфологічні дослідження твердих розчинів (Ge2)1-X(ZnSe)X
Анотація
Монокристалічні плівки твердого розчину (Ge2)1-x(ZnSe)x з обмеженого розчину-розплаву олова в діапазоні температур від 1023 К до 803 К при швидкості охолодження 1-1,5 К/хв на установці EPOC були вирощені на підкладках Ge та GaAs. Зазор між підкладками становив 0,65÷1,2 мм. Встановлено, що найменші значення густини дислокацій (ND=2·104÷105 cm-2) зафіксовано в епітаксіальних плівках при TNC = 893 K. Були досягнуті технологічні умови отримання гетероструктури GaAs-(Ge2)1‑x(ZnSe)x з гладкою межею. Температура плівкової підкладка і переохолодження становила ΔT = 7,2°C.
Завантаження
Посилання
Y. Wang, et al., “Bandgap broadly tunable GaZnSeAs alloy nanowires,” Physical Chemistry Chemical Physics, 15(8), 2912 2916 (2013). https://doi.org/10.1039/C2CP43718J
W. Huang, et al., “Composition-dependent perfect band gap tuning of ZnS1-xSex solid solutions for efficient photocatalysis,” Journal of Physics and Chemistry of Solids, 130, 41-45 (2019). https://doi.org/10.1016/j.jpcs.2019.02.008
S. Schorr, et al., “Electronic band gap of Zn2x (CuIn)1−xX2 solid solution series (X= S, Se, Te),” Journal of alloys and compounds, 414(1-2), 26-30 (2006). http://dx.doi.org/10.1016/j.jallcom.2005.07.014
M. Kaji, et al., “Liquid-phase epitaxy of GaAs-ZnSe Ga2Se3 alloy crystals on a ZnSe substrate,” Journal of crystal growth, 178(3), 242-245 (1997). https://doi.org/10.1016/S0022-0248(96)01187-6
M.S. Saidov, A.S. Saidov, and A.Sh. Razzakov, “Liquid Phase Epitaxy Photoluminescence and Photoelectrical Properties of Variband (Ge2)1-x(ZnSe)x Layers,” in: Tenth International Workshop on Physics of Semiconductor Devices, (India, 1999), pp. 1424-1427.
S. Fujiwara, Y. Namikawa, M. Irikura, K. Matsumoto, T. Kotani, and T. Nakamura, “Growth of dislocation-free ZnSe single crystal by CVT method,” Journal of Crystal Growth, 219(4), 353-360 (2000). https://doi.org/10.1016/S0022-0248(00)00671-0
Q. Zhang, H. Li, Y. Ma, and T. Zhai, “ZnSe nanostructures: Synthesis, properties and applications,” Progress in Materials Science, 83, 472-535 (2016). https://doi.org/10.1016/j.pmatsci.2016.07.005
D.W. Parent, A. Rodriguez, J.E. Ayers, and F.C. Jain. “Photoassisted MOVPE grown (n)ZnSe/(p+)GaAs heterojunction solar cells,” Solid-State Electronics, 47(4), 595-599 (2003). https://doi.org/10.1016/S0038-1101(02)00334-9
Y. Li, D. Yang, W. Nan, L. Zhang, H. Yu, B. Zhou, and Z. Hu, “The crystal growth of ZnSe by the traveling heater method with the accelerated crucible rotation technique,” Journal of Crystal Growth, 589, 126684 (2022). https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.126684
G.B. Stringfellow, “Epitaxial growth of metastable semiconductor alloys,” Journal of Crystal Growth, 564, 126065 (2021). https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2021.126065
A. Heurtel, A. Marbeuf, H. Tews, and Y. Marfaing, “Liquid phase epitaxy of ZnSe in Sn: Calculation of the ternary phase diagram and electronic properties,” Journal of Crystal Growth, 59(1-2), 167-171 (1982). https://doi.org/10.1016/0022-0248(82)90319-0
V.P. Maslov, A.V. Fedorenko, V.P. Kladko, O.Y. Gudymenko, K.M. Bozhko, and N.M. Zashchepkina, “Structure and electrical resistance of the passivating ZnSe layer on Ge,” Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 24(4), 425 430 (2021). https://doi.org/10.15407/spqeo24.03.425
M. Rubinstein, “Solubilities of gallium arsenide in metallic solvents,” J. Electrochem. Soc. 113, 752 (1966). https://doi.org/10.1149/1.2424107
J.P. Fleurial, and A. Borshchevsky, “Si-Ge-metal ternary phase diagram calculations,” J. Electrochem. Soc. 137, 2928 (1990). https://doi.org/10.1149/1.2087101
A.S. Saidov, et al., “Liquid-phase epitaxy of solid solutions (Ge2)1− x (ZnSe)x,” Materials chemistry and physics, 68(1), 1-6 (2001). http://dx.doi.org/10.1016/S0254-0584(00)00230-3
A.S. Saidov, and A.S. Razzokov, “Obtaining and morphological studies of epitaxial layers of the Si1-xGex solid solution,” Siberian Physical Journal, 15(2), 84-91 (2020). https://doi.org/10.25205/2541-9447-2020-15-2-84-91
A.S. Saidov, et al., “Investigation of the Crystallographic Perfection and Photoluminescence Spectrum of the Epitaxial Films of (Si2)1-x(GaP)x (0≤x≤1) Solid Solution, Grown on Si and GaP Substrates with the Crystallographic Orientation (111),” Advances in Condensed Matter Physics, 1-8 (2021). http://dx.doi.org/10.1155/2021/3472487
Авторське право (c) 2025 А.Ш. Раззоков, А.С. Саїдов, М.А. Шоназарова, Й.A. Раззаков, Д.Є. Кощанова
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
