Дослідження рухомості та електропровідності силіциду хрому
Анотація
Досліджено температурну залежність рухливості в силіцидах хрому в інтервалі температур 80 ÷ 780 К. Рухливість поступово зростає до температури 350 К, потім насичується в діапазоні температур 350 ÷ 450 К, потім поступово зменшується. Показано, що рухливість залежить від розкиду носіїв заряду на кристалічній решітці, домішкових іонів, дислокацій та силіцидних включень. Частота зіткнень пропорційна T3/2, а рухливість змінюється залежно від температури як T-3/2. При високих температурах фонони можна розглядати як «заморожені» дефекти, а частота зіткнень з їх волі пропорційна T. Досліджено також температурні залежності електропровідності в цьому діапазоні температур. Виявлено ділянки з негативними та позитивними температурними коефіцієнтами.
Завантаження
Посилання
M.Sh. Isaev, A.G. Gaibov, and A.A. Eshkulov, “Investigation of parameters of Schottky diodes based on chromium silicides,” Journal of Physics: Conference Series, 1679, 022029 (2020). https://doi.org/10.1088/1742-6596/1679/2/022029
Sh.B. Utamuradova, A.V. Stanchik, D.A. Rakhmanov, A.S. Doroshkevich, and K.M. Fayzullaev, New Materials, “X-Ray Structural Analysis of n-Si, Irradiated with Alpha Particles,” Compounds and Applications, 6(3), 214 (2022). http://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/NMCA/V6N3/Utamuradova_et_al.pdf
D. Nematov, Kh. Kholmurodov, A. Stanchik, K. Fayzullaev, V. Gnatovskaya, and T. Kudzoev, “On the Optical Properties of the Cu2ZnSn[S1−xSex]4 System in the IR Range,” Trends in Sciences, 20(2), 4058 (2023). https://doi.org/10.48048/tis.2023.4058
S.A. Muzafarova, Sh.B. Utamuradova, A.М. Abdugafurov, K.M. Fayzullaev, E.M. Naurzalieva, and D.A. Rakhmanov, “Characteristics of X-ray and gamma radiation detectors based on polycrystalline CdTe and CdZnTe films,” Applied Physics, 4, 81 (2021). https://applphys.orion-ir.ru/appl-21/21-4/PF-21-4-81.pdf (in Russian)
D. Nematov, Kh. Kholmurodov, A. Stanchik, K. Fayzullaev, V. Gnatovskaya, and T. Kudzoev, “A DFT Study of Structure, Electronic and Optical Properties of Se-Doped Kesterite Cu2ZnSnS4(CZTSSe),” Letters in Applied NanoBioScience, 12(3), 67 (2023). https://doi.org/10.33263/LIANBS123.067
A.S. Achilov, R.R. Kabulov, S.B. Utamuradova, and S.A. Muzafarova, “Effect of temperature on the current transfer mechanism in the reverse I–V characteristics of the n-CdS/i-CdSxTe1−x/p-CdTe heterostructure,” Modern Physics Letters B, 2350162, (2023). https://doi.org/10.1142/S0217984923501622
B.I. Boltaks, M.K. Bakhadyrkhanov, S.M. Gorodetsky, and G.S. Kulikov, Compensated silicon, (Nauka, Leningrad, 1972). (in Russian)
M. Isaev, A. Gaibov, A. Eshkulov, and P. Saidachmetov, “Formation of Nanosized Films of Chromium Silicides on Silicon Surface,” in: XIV International Scientific Conference “INTERAGROMASH 2021”, (2022), pp. 1031-1041. https://doi.org/10.1007/978-3-030-80946-1_93
M.Sh. Isaev, Sh.G. Norov, and A.D. Mazhidov, “Study of galvanomagnetic properties of the surface layer of diffusion-doped silicon,” Electronic Processing of Materials, 42(6), 80 (2006). https://eom.ifa.md/ru/journal/shortview/848. (in Russian)
N.A. Turgunov, E.Kh. Berkinov, and R.M. Turmanova, “Accumalations of impurity Ni atoms and their effect on the electrophysical properties of Si,” in: E3S Web of Conferences, 402, 14018 (2023). https://doi.org/10.1051/e3sconf/202340214018
Sh.B. Utamuradova, Sh.Kh. Daliev, K.M. Fayzullaev, D.A. Rakhmanov, and J.Sh. Zarifbayev, New Materials, Compounds and Applications, 7(1), 37 (2023). http://jomardpublishing.com/UploadFiles/Files/journals/NMCA/V7N1/Utamuradova_et_al.pdf
Y.Y. Kryuchkov, V.M. Malyutin, V.F. Pichugin, and V.V. Sohoreva, “Development and application of fast ion backscattering spectroscopy methods for analyzing the composition and structure of ion-irradiated dielectric layers,” Bulletin of the Tomsk Polytechnic University. Georesource Engineering, 303(3), 12 (2000). https://cyberleninka.ru/article/n/razrabotka-i-primenenie-metodov-spektroskopii-obratnogo-rasseyaniya-bystryh-ionov-dlya-analiza-sostava-i-struktury-ionno-obluchennyh. (in Russian)
S.B. Utamuradova, A.V. Stanchik, and D.A. Rakhmanov, “X-Ray Structural Investigations Of n-Si Irradiated with Protons,” East European Journal of Physics, 2, 201 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-2-21
Sh.B. Utamuradova, A.V. Stanchik, K.M. Fayzullaev, and B.A. Bakirov, “Raman scattering of light by silicon single crystals doped with chromium atoms,” Applied Physics, 2, 33 (2022). https://applphys.orion-ir.ru/appl-22/22-2/PF-22-2-33_RU.pdf (in Russian)
N.A. Turgunov, E.K. Berkinov, and D.K. Mamajonova, “Decay of Impurity Clusters of Nickel and Cobalt Atoms in Silicon under the Influence of Pressure,” Journal of Nano- and Electronic Physics, 13(5), 1 (2021). https://doi.org/10.21272/jnep.13(5).05006
Авторське право (c) 2023 Махмудходжа Ш. Ісаєв, Тохірджон У. Атамірзаєв, Мухаммадсодік Н. Маматкулов, Уралбой Т. Асатов, Махмуджон А. Туламетов
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
