Небезпечні зв'язки між гідрогенізованим аморфним кремнієм та спектрами поглинання дефектів
Анотація
У даній роботі теоретично досліджено спектри дефектного поглинання дефектів, характерних для гідрогенізованого аморфного кремнію. Показано, що для визначення спектрів поглинання дефектів за формулою Кубо-Грінвуда необхідно записати невизначений інтеграл у цій формулі в певному вигляді. Було виявлено, що електронні переходи за участю дефектних станів поділяються на дві частини в залежності від енергії поглинених фотонів. Значення парціального дефектного спектра поглинання при малих енергіях поглинених фотонів майже не впливають на загальний спектр поглинання дефектів. Встановлено, що основну роль у визначенні спектра поглинання дефектів відіграють парціальні спектри, які визначаються оптичними переходами електронів між дозволеними зонами та дефектами. Показано, що при степеневому розподілі щільності електронних станів у дозволених зонах спектри оптичних переходів між ними та дефектами не залежать від величини цієї потужності.
Завантаження
Посилання
V.I. Fistul, Introduction to semiconductor physics, (Vysshaya shkola, Moscow, 1984). (in Russian)
M.S. Ablova, G.S. Kulikov, and S.K. Persheev, “Metastable states of undoped amorphous hydrogenated, created by γ irradiation,” FTP, 36(8), 1001-1003 (2002). (in Russian)
M. Gunes, and Ch.R. Wronski, “Differences in densities of charged defect states and kinetics of Staebler-Wronski effect in undoped (nontrinsic) hydrogenated amorphous silicon thin films,” J. Appl. Phys. 81(8), 3526-3536 (1997). https://doi.org/10.1063/1.365000
R.G. Ikramov, A.A. Mamaxanov, M.A. Nuriddinova, R.M. Jalolov, Kh.A. Muminov, and B.Q. Sultonov, “Calculation of the interband absorption spectrum of amorphous semiconductors using the Kubo-Greenwood formula,” Journal of Applied Science and Engineering, 25(5), 767-772 (2022). http://jase.tku.edu.tw/articles/jase-202210-25-5-0007
G.D. Cody, “Hydrogenated Amorphous Silicon, Part B, Optical Properties,” in: Semiconductors and Semimetals, vol. 21, edited by J.I. Pankove, (Academic Press Inc., Orlando, 1984).
S.K. O’Leary, “On the relationship between the distribution of electronic states and the optical absorption spectrum in amorphous semiconductors,” Solid State Commun. 109, 589–594 (1999). https://doi.org/10.1016/S0038-1098(98)00605-X
S. Zainobidinov, R.G. Ikramov, and R.M. Zhalalov, “Urbach energy and tails of the density of states of amorphous semiconductors,” Journal of Applied Spectroscopy, 78(2), 223-227 (2011). https://doi.org/10.1007/s10812-011-9450-9
R.G. Ikramov. “Distribution function of electron states of dangling bonds in amorphous semiconductors,” Estestv. Tekhn. Nauki, 6, 53 (2007) (in Russian).
F. Orapunt, and S.K. O'Leary, “A quantitative characterization of the optical absorption spectrum associated with hydrogenated amorphous silicon,” Mater Electron. 20, 1033-1038 (2009). https://doi.org/10.1007/s10854-008-9825-8
S. Zainobidinov, R.G. Ikramov, R.M. Zhalalov, and M.A. Nuritdinova, “Distribution of electron density of states in allowed bands and interband absorption in amorphous semiconductors,” Optics and spectroscopy, 110(5), 762–766 (2011). https://doi.org/10.1134/S0030400X11030271
R.G. Ikramov, M.A. Nuriddinova, and Kh.A. Muminov, “Calculation of the density of electronic states in the valence band from the experimental spectrum of interband absorption of amorphous semiconductors,” Journal of Applied Spectroscopy, 88(3), 378 382 (2021). https://doi.org/10.1007/s10812-021-01200-9
Авторське право (c) 2023 Рустамжон Г. Ікрамов, Хуршидбек А. Мумінов, Машхура А. Нурітдінова, Бобур Q. Сутонов, Ойбек Т. Холмірзаєв, Азамходжа А. Мамаханов
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
