Поточний стан досліджень кремнію з бінарними сполуками GexSi1-x та можливості їх застосування в електроніці
Анотація
Визначено технологічні режими отримання сплавів GexSi1-x шляхом введення атомів германію в монокристалічний кремній дифузійним методом. За результатами дослідження встановлено, що фундаментальні параметри сформованих сплавів GexSi1‑x відрізняються від фундаментальних параметрів вихідного кремнію, зокрема змінюються енергетичні значення ширини забороненої зони кремнію. Елементний аналіз поверхні зразків показав, що концентрація кремнію (в атомних відсотках) становила ~70,66%, германію ~29,36%. Передбачалося, що на поверхні кремнію і в лицьовій частині утворюється тонкий шар сплаву сполуки складу приблизно Ge0.3Si0.7 (0,5÷2 мкм). Аналіз спектрів (p) показує, що спектр містить піки ~303 cm-1 and ~406 cm-1, що відповідають зв'язкам Ge-Ge і Si-Ge відповідно. Також було показано, що бінарні сполуки GexSi1-x є нових матеріалів для сучасної електроніки, показано можливість створення на їх основі властивостей в електроніці, на їх основі запропоновано створювати прилади з новою функціональністю та високоефективними сонячними елементами.
Завантаження
Посилання
M. Tomassini, J. Veirman, R. Varache, et al., J. Appl. Phys. 119, 084508 (2016). https://doi.org/10.1063/1.4942212
A.S. Saidov, A.Sh. Razzakov, D.V. Saparov, Press Technical Physics Letters, 28(11), 927-928 (2002). https://doi.org/10.1134/1.1526886
J. Lindroos, D.P. Fenning, D.J. Backlund, E. Verlage, A. Gorgulla, S.K. Estreicher, H. Savin, and T. Buonassisi, J. Appl. Phys. 113(20), 204906 (2013). https://doi.org/10.1063/1.4807799
B. Cook, Energies, 15(8), 2957 (2022). https://doi.org/10.3390/en15082957
M. Ogino, Phys. Stat. Sol. (a), 72, 535 (1982). https://doi.org/10.1002/pssa.2210720214
T. Walthera, C. . Humphreys, A.G. Cullis, Appl. Phys. Lett. 71, 729 (1997). https://doi.org/10.1063/1.119627
F.A. Trumbore, Bell System Technical Journal, 309(1), 205 (1960). https://doi.org/10.1002/j.1538-7305.1960.tb03928.x
N.F. Zikrillaev, S.V. Koveshnikov, S.B. Isamov, B.A. Abdurahmonov, and G.A. Kushiev, Semiconductors, 56(1), 29-31 (2022). https://doi.org/10.1134/S1063782622020191
R. Duffy, V.C. Venezia, J. Loo, M.J.P. Hopstaken, M.A. Verheijen, J.G.M. van Berkum, G.C.J. Maas, Y. Tamminga, T. Dao, C. Demeurisse, Appl. Phys. Lett. 86, 081917 (2005). https://doi.org/10.1063/1.1869540
M.I. Alonso, K. Winer, Raman spectra of c-Si1-xGex alloys, Physical Review B, 39(14) 10056 (1989). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.39.10056
A. Picco, E. Bonera, E. Grilli, and M. Guzzi, Physical Review, 82(11), 115317 (2010). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.82.115317
D. Rouchon, M. Mermoux, F. Bertin, J.M. Hartmann, Journal of Crystal Growth, 392, 66 (2014). https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2014.01.019
A.R. Toshev, В.A. Abdurakhmanov, Kh.M. Iliev, S.A. Tachilin, and В.Е. Egamberdiev, Surface Engineering and Applied Electrochemistry, USA, 46(5), 505 (2010). https://doi.org/10.3103/S1068375510050170
U. Schmid, N.E. Christensen, M. Cardona, Solid State Communications, 75(1), 39 (1990). https://doi.org/10.1016/0038-1098(90)90154-4
D. Duveau, B. Fraisse, F. Cunin, L. Monconduit, Chem. Mater. 27(9), 3226 (2015). https://doi.org/10.1021/cm504413g
H.-S. Tsai, Y.-Z. Chen, H. Medina, T.-Y. Su, T.-S. Chou, H.-S. Tsai, Y.-Z. Chen, et al., Physical Chemistry Chemical Physics, 17(33), 21389 (2015). https://doi.org/10.1039/C5CP02469B
E. Onaran, M.C. Onbasli, A. Yesilyurt, H.Y. Yu, A.M. Nayfeh, and A.K. Okyay, Optics Express, 20(7), 7608 (2012). https://doi.org/10.1364/OE.20.007608
J. Ghosh, S.K Chattopadhyay, A.K. Meikap, and S.K. Chatterjee Indian Academy of Sciences, 29(4), 385 (2006). https://doi.org/10.1007/BF02704140
D. Duveau, B. Fraisse, F. Cunin, and L. Monconduit, Chemistry of Materials, 27(9), 3226 (2015). https://doi.org/10.1021/cm504413g
A.S. Risbaev, J.B. Khujaniyazov, I.R. Bekpulatov, A.M. Rakhimov, J. Surf. Investig. 11, 994 (2017). https://doi.org/10.1134/S1027451017050135
N.F. Zikrillaev, G.A. Kushiev, S.B. Isamov, B.A. Abdurakhmanov, O.B. Tursunov, J. Nano- Electron. Phys. 15, 01021 (2023). https://doi.org/10.21272/jnep.15(1).01021
Авторське право (c) 2023 Нурулла Ф. Зікріллаєв, Гійосіддін А. углі Кушієв, Сергій В. Ковешніков, Бахромджон А. Абдурахманов, Угілой К. Курбонова, Абдуджалол А. Сатторов
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
