Структурні, електричні і оптичні властивості плівок графіту нарисованих олівцями різної твердості
Анотація
В роботі представлено результати дослідження структурних, оптичних та електричних властивостей тонких плівок графіту в залежності від твердості стержнів (2H, H, HB, B та 2В) отриманих методом “Олівець-на-напівпровіднику”. Такі дослідження мають велике значення для подальшої розробки високоефективних приладів на основі гетеропереходів для електроніки і оптоелектроніки. За допомогою скануючого електронного мікроскопа було одержано типові зображення поверхні утворені відбитими електронами (BSE) і показано при трьох збільшеннях (100х, 500х і 1000х). Оскільки стержні досліджуваних олівців складаються з сумішей глини та графіту було проведено більш детальний аналіз елементів з яких складаються стержні. EDS аналіз показав, що основними складниками досліджуваних стержнів є очищений графітовий порошок, а також O, Al і Si що входять до складу каоліну формула якого H4Al2Si2O9, або Al2O3 • 2SiO2 • 2H2O - головна складова частина звичайної глини. Також було визначено елементний склад мікрооб'єму досліджуваних зразків. Не зважаючи на похибку, яка виникає при визначенні складу C і O (~ 12%) можна стверджувати, що все ж таки зберігається закономірність між вмістом графіту і твердістю олівця. Тобто чим більший вміст графіту — тим м'якший стержень. Вимірювання товщини плівок графіту проведено з використанням інтерферометра МИИ-4 за стандартною методикою. Середня товщина всіх досліджуваних плівок становила ~ 150 нм, оскільки товщина плівок отриманих таким методом в основному визначається шороховатістю поверхні соляної підкладки. Нарисовані плівки графіту володіють вищим питомим опором ніж об’ємні зразки (стержні олівців) з яких вони були виготовлені. Опір плівок зростає при зростанні твердості олівців, що обумовлено зростанням кількості домішки глини в графіті, яка є діелектриком. Встановлено, що зростання твердості олівця призводить до зростання пропускання.
Завантаження
Посилання
V.V. Brus, M.A. Gluba, X. Zhang, K. Hinrichs, J. Rappich, and N.H. Nickel, Solar energy, 107, 74 (2014), https://doi.org/10.1016/j.solener.2014.05.021
H. Parkhomenko, M. Solovan, V.V. Brus, E. Maystruk, and P.D. Maryanchuk, Optical Engineering, 57(1), 017116 (2018), https://doi.org/10.1117/1.OE.57.1.017116
K. Kostarelos, and K.S. Novoselov, Nature nanotechnology, 9(10), 744 (2014), https://doi.org/10.1038/nnano.2014.224
A.C. Neto, F. Guinea, N.M. Peres, K.S. Novoselov, and A.K. Geim, Reviews of modern physics, 81(1), 109 (2009), https://doi.org/10.1103/RevModPhys.81.109
M.D. Stoller, S. Park, Y. Zhu, J. An, and R.S, Ruoff, Nano letters, 8(10), 3498 (2008), https://doi.org/10.1021/nl802558y
M.M. Solovan, H.P. Parkhomenko, and P.D. Marianchuk, Journal of Physical Studies, 23(4), (2019), https://doi.org/10.30970/jps.23.4801
D. Neumaier, S. Pindl, and M.C. Lemme, Nature Materials, 18(6), 525 (2019), https://doi.org/10.1038/s41563-019-0359-7
M. Jung, P. Rickhaus, S. Zihlmann, A. Eichler, P. Makk, C. Schönenberger, Nanoscale, 11(10), 4355 (2019), https://doi.org/10.1039/C8NR09963D
R. You, Y.Q. Liu, Y.L. Hao, D.D. Han, Y.L. Zhang, and Z. You, Advanced Materials, 32(15), 1901981 (2020), https://doi.org/10.1002/adma.201901981
Y. Miyasaka, A. Nakamura, and J. Temmyo, Japanese Journal of Applied Physics, 50(4S), 04DH12 (2011), https://doi.org/10.1143/JJAP.50.04DH12
M. Yankowitz, Q. Ma, P. Jarillo-Herrero, and B.J. LeRoy, Nature Reviews Physics, 1(2), 112 (2019), https://doi.org/10.1038/s42254-018-0016-0
V.V. Brus, O.L. Maslyanchuk, M.M. Solovan, P.D. Maryanchuk, I. Fodchuk, V.A. Gnatyuk, and T. Aoki, Scientific reports, 9(1), 1 (2019), https://doi.org/10.1038/s41598-018-37637-w
V.V. Brus, M. Gluba, J. Rappich, F. Lang, P.D. Maryanchuk, and N.H. Nickel, ACS applied materials & interfaces, 10(5), 4737 (2018), https://doi.org/10.1021/acsami.7b17491
M.N. Solovan, G.O. Andrushchak, A.I. Mostovyi, T.T. Kovaliuk, V.V. Brus, and P.D. Maryanchuk, Semiconductors, 52(2), 236 (2018), https://doi.org/10.1134/S1063782618020185
V.V. Brus, and P.D. Maryanchuk, Carbon, 78, 613 (2014), https://doi.org/10.1016/j.carbon.2014.07.021
V.V. Brus, P.D. Maryanchuk, M.I. Ilashchuk, J. Rappich, I.S. Babichuk, and Z.D. Kovalyuk, Solar Energy, 112, 78 (2015), https://doi.org/10.1016/j.solener.2014.11.023
V.V. Brus, and P.D. Maryanchuk, Applied Physics Letters, 104(17), 173501 (2014), https://doi.org/10.1063/1.4872467
K. Chopra, and S. Das, Thin-film solar cells (Vol. 450), (Mir, Moscow, 1986).
N.F. Mott, and E.A. Davis, Electronic Processes in Non-Crystalline Materials, (Oxford University Press, Oxford, New York, 2012).
J.Y.W. Seto, Journal of Applied Physics, 46, 5247 (1975). https://doi.org/10.1063/1.321593
V.V. Brus, M.I. Ilashchuk, I.G. Orletskyi, M.M. Solovan, G.P. Parkhomenko, I.S. Babichuk, and P.D. Maryanchuk. Nanotechnology, 31(50), 505706 (2020), https://doi.org/10.1088/1361-6528/abce55
Авторське право (c) 2022 Сергій І. Курищук, Тарас Т. Ковалюк, Іван П. Козярський, Михайло М. Солован
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).