Вплив порядку йонної шмплантації на люмінесцентний спектр нанокристалів ZnSe

  • Ганна Бойченко Харківський Національний університет ім. В.Н. Каразіна, м. Харків, Україна https://orcid.org/0000-0002-2444-2052
  • Сергій Кононенко Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна, Харків, Україна https://orcid.org/0000-0001-6060-2589
  • Фадей Комаров Інститут проблем прикладної фізики, Білорусь, м.Мінськ
  • Оганес Калантар'ян Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна, Харків, Україна https://orcid.org/0000-0002-5625-6908
  • Віталій Журенко Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна, Харків, Україна https://orcid.org/0000-0002-4738-094X
  • Станіслав Авотін Харківський Національний аграрний університет імені В.В. Докучаєва 62483, Харківська область, Харківський район, п/в “Докучаєвське - 2”
  • Микола Рохманов Харківський Національний аграрний університет імені В.В. Докучаєва 62483, Харківська область, Харківський район, п/в “Докучаєвське - 2”
DOI: https://doi.org/10.26565/2312-4334-2021-3-21
Ключові слова: селенід цинку, йонна імплантація, v, фітування функціями Гауса

Анотація

У статті представлені результати математичної обробки люмінесцентних спектрів нанокристалів ZnSe. Зразки були підготовлено шляхом імплантації йонів Zn+ з енергією 150 кеВ та йонів Se+ з енергією 170 кеВ в шарі діоксиду кремнію, отриманого окисленням кремнієвої підкладки. Ми проаналізували два типи зразків, отриманих за різною послідовністю імплантації: спочатку імплантували Zn+, а потім Se+ (зразок А); зворотна послідовність — з імплантованими на початку йонами Se+ (зразок B). Спектри, отримані для різних послідовностей імплантації A і B, відрізнялися один від одного. Було встановлено, що крім інтенсивних смуг з максимумами 2,3 еВ (540 нм) і 2,85 еВ (430 нм), які були пов'язані з власними люмінесцентними центрами ZnSe, існували дві смуги з максимумами 1,9 еВ (650 нм) і 2,6 еВ (480 нм), які були пов’язані із власними дефектами SiO2. Цим було продемонстровано вплив середовища (матриці діоксиду кремнію), де утворювались нанокристали ZnSe, на його люмінесцентні спектри. Математична обробка форми смуги з максимумом 2,85 еВ показала, що такі параметри, як повна ширина при половині висоти максимуму, асиметрія та ексцес вказують на залежність розкиду розмірів нанокристалів ZnSe від порядку імплантації йонів. Результати добре узгоджуються з даними трансмісійної електронної мікроскопії.

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Посилання

P. Reiss et al., Materials Chemistry and Physics, 84, 1 (2004), https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2003.11.002

M. Makhavikou et al., Surface and Coatings Technology, 344, 25 (2018), https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2018.03.017

B. Dong et al., Chem. Commun. 46, 39 (2010), https://doi.org/10.1039/C0CC02042G

J.Z. Zheng et al., Appl. Phys. Lett. 62, 63 (1993), https://doi.org/10.1063/1.108820

H. Qi et al., Optik, 127, 14 (2016), https://doi.org/10.1016/j.ijleo.2016.03.079

J.R. Sparks et al., Adv. Mater. 23, 14 (2011), https://doi.org/10.1002/adma.201003214

B. Feng et al., J. Mater Sci: Mater Electron, 26, 5 (2015), https://doi.org/10.1007/s10854-015-2818-5

U. Philipose et al, J. Appl. Phys. 100, 084316 (2006), https://doi.org/10.1063/1.2362930

J.D. Budai et al., Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 452 (1996), https://doi.org/10.2172/425296

P.D. Townsend et al., J. Appl. Phys. 121, 145101 (2017), https://doi.org/10.1063/1.4979725

M.D. Mason et al., Phys. Rev. Lett. 80, 24 (1998), https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.80.5405

T. Kato, S. Omachi, H. Aso, SSPR&SPR (Windsor, Ontario, Canada: 2002), (Eds.) T. Caelli et al., LNCS 2396, 405 (2002), https://doi.org/10.1007/3-540-70659-3

Y. Chu et al., Surface & Coatings Technology, 348, 91 (2018), https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2018.05.008

Y.B. Soskovets, A.Y. Khairullina, V.A. Babenko, Journal of Applied Spectroscopy, 73, 4 (2006), https://doi.org/10.1007/s10812-006-0121-1

R. Salh, H.-J. Fitting, Phys. Status Solidi (c), 4, (3) (2007), https://doi.org/10.1002/pssc.200673717

P.J. Dean, A.D. Pitt, M.S. Skolnick, P.J. Wright, B. Cockayne, Journal of Crystal Growth, 59, 1–2 (1982), https://doi.org/10.1016/0022-0248(82)90341-4

M. Wakaki, K. Kudo, T. Shibuya, Physical Properties and Data of Optical Materials (New York: CRC Press LLC: 2007).

NIST/SEMATECH e-Handbook of Statistical Methods (NIST/SEMATECH: 2012), https://doi.org/10.18434/M32189

A.H. Ramezani, S. Hoseinzadeh, Zh. Ebrahiminejad, Appl. Phys. A. 126, 481 (2020), https://doi.org/10.1007/s00339-020-03671-7

Опубліковано
2021-09-28
Цитовано
Як цитувати
Бойченко, Г., Кононенко, С., Комаров, Ф., Калантар’ян, О., Журенко, В., Авотін, С., & Рохманов, М. (2021). Вплив порядку йонної шмплантації на люмінесцентний спектр нанокристалів ZnSe. Східно-європейський фізичний журнал, (3), 141-144. https://doi.org/10.26565/2312-4334-2021-3-21
Номер
№ 3 (2021): Східно-європейський фізичний журнал
Розділ
Статті

Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:

    • Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
    • Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
    • Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).

Найбільш популярні статті цього автора (авторів)