Вплив опромінення на властивості CdTe детекторів
Анотація
A comparative analysis of published experimental data about the concentration, capture cross section and type of traps in CdTe: Cl has been carried out. Based on the performed analysis an identification of registered levels on acceptor and donor type was realized. The numerical simulations have been performed to study the effect of radiation defects arising under the influence of hard X-ray irradiation on the electrical and detector properties of cadmium telluride. The role of radiation-induced and background defects has been determined for the processes of degradation of the spectroscopic characteristics of CdTe:Cl detectors operated under conditions of ionizing radiation.
Завантаження
Посилання
Derek S. Bale, Csaba Szeles Nature of polarization in wide-bandgap semiconductor detectors under high-flux irradiation: Application
to semi-insulating Cd1−xZnxTe // Physical Review B.– 2008. – Vol. 77. – Issue 3. – P. 035205-1–035205-16.
Fraboni B., Pasquini L., Castaldini A., Cavallini A., Siffert P. X-ray irradiation effects on the trapping properties of Cd1−xZnxTe
detectors // Journal of Applied Physics. – Vol. 106. – 2009, No.9. – P. 093713.
Fraboni B., Cavalcoli D., Cavallini A., and Fochuck P. Electrical activity of deep traps in high resistivity CdTe: Spectroscopic
characterization // Journal of Applied Physics. – 2009. – Vol. 105. – P. 073705–6.
Babentsov V., Franc J., James R.B. Compensation and carrier trapping in indium-doped CdTe: Contributions from an important
near-mid-gap donor // Applied Phys. Letters Vol. 94.– 2009. – P. 052102.
Carini G.A., Bolotnikov A.E., Camarda G.S. Effect of Te precipitates on the performance of CdZnTe detectors // Applied
Physics Letters.– 2006. – Vol. 88. – P.143515-1 – 143515-3
Gul R., Keeter K., Rodriguez R., Bolotnikov A.E. at al. Point defects in Pb-, Bi-, and In-doped CdZnTe detectors: deep-level
transient spectroscopy (DLTS) measurements // Journal of Electronic Materials. – 2012. – Vol. 41, No. 3. – P. 488-493.
Cavallini A., Fraboni B. Defective states induced in CdTe and CdZnTe detectors by high and low energy neutron irradiation //
Journal of Applied Physics. – 2003. – Vol. 94, No.5. –P. 3135-3142.
Belas E., Grill R., Franc J., Hlídek, P. Linhart V., Slavíček T., Höschl P. Correlation of electrical and optical properties with
charge collection efficiency of In-doped and In+Si co-doped CdTe // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research
Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. – 2008. – Vol. 591. - Issue 1. - P. 200–202.
Gul R., Bolotnikov A., Kim H.K., Rodriguez R., Keeter K., Li Z., Gu G., James R.B. Point Defects in CdZnTe Crystals Grown
by Different Techniques //Journal of Electronic Materials. – 2011. – Vol. 40, No. 3. – P. 274–279.
Cavallini A., Fraboni B., Dusi W., Zanarini M., Hage-Ali M., Siffert P. Defects introduced in cadmium telluride by γ irradiation
// Journal of Applied Physics. – 2001. – Vol. 89, No. 8. – P. 4664–4666.
Fraboni B., Cavallini A., Auricchio N., Dusi W., Zanarini M., Siffert P. Time and thermal recovery of irradiated CdZnTe detectors
// Semiconductor Science and Technology. - 2006. - Vol. 21.– No.3. – P. 1034-1040.
Kondrik A.I. Modelirovanie svoistv CdZnTe i parametrov detektorov γ-izlucheniya na ego osnove // Tekhnologiya i konstruirovanie
v elektronnoi apparature. – 2004. – No.6. – S. 17-22.
Tapiero M., Benjelloun N., Zielinger J.P. Hamd S.E., Noguet C. Photoinduced current transient spectroscopy in high-resistivity
bulk materials: Instrumentation and methodology // Journal of Applied Physics. – 1988.– Vol. 64. – P.4006-4012.
Cavallini A., Frabony B., Dusi W. Compensation processes in CdTe-based compounds // Nuclear Science, IEEE Transactions.
– 2005. – Vol. 52. – Issue 5. – P.1964-1967.
Fraboni B., Cavallini A., Auricchio N., Bianconi M. Deep traps induced by 700 keV protons in CdTe and CdZnTe detectors //
Nuclear Science Symposium Conference Record. (Oct. 29 – Nov. 1 2006). San Diego, Canada. – IEEE. – 2006. – P. 3594-
Hofmann D.M, Stadler W., Christmann P., Meyer B.K. Defects in CdTe and Cd1−xZnxTe // Nuclear Instruments and Methods in
Physics Research. – Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment. – 1996. – Vol. 380. – Issues
-2. – P. 117-120.
Castaldini A., Cavallini A., Fraboni B. Deep energy levels in CdTe and CdZnTe // Journal of Applied Physics. – 1998. – Vol.
, No. 4. – P. 2121-2126.
Castaldini A., Cavallini A., Fraboni B., Fernandez P., Piqueras J. Midgap traps related to compensation processes in CdTe alloys
// Phys. Rev. B. – 1997. – Vol. 56, No. 23. – P. 14897-14900.
Kondrik A.I. Effektivnost’ sbora zaryadov v datchikakh γ-izluchenia s razlichnoi konfiguratcyei elektrodov // Tekhnologia i
konstruirovanie v elektronnoi apparature. – 2012. – No.4. – S. 47-51.
Stadler W., Hofmann D., Alt H., Muschik T., Meyer B., Weigel E., Mueller-Vogt G., Salk M., Rupp E., Benz K. Optical investigations
of defects in Cd1-xZnxTe // Physical Review B. – 1995.– Vol. 51, No. 16. – P. 10619-10630.
Allen J.W. Spectroscopy of lattice defects in tetrahedral II-VI compounds // Semiconductor Science and Technology. – 1995.–
Vol. 10, No. 8. – P. 1049-1055.
Fraboni B., Cavallini A., Dusi W. Damage induced by ionizing radiation on CdZnTe and CdTe detectors // Nuclear Science,
IEEE Transactions. – 2004. – Vol. 51. – Issue 3. – P. 1209-1215.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
