Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал
Ключові слова:
інтеркаляція, імпедансна спектроскопія, GaSe, сегнетоелектричний рідкий кристалл, ультразвукова модифікація
Анотація
Представлено результати дослідження характеристик селеніду галію з впровадженим між його шари сегнетоелектричним рідким кристалом (segnRK), що складається з ахірального смектика (похідна фенілбензоату) та хіральної компоненти. Встановлено характер змін частотної поведінки питомого імпедансу, діелектричної проникності та тангенса кута втрат при різних температурах та після ультразвукового опромінення протягом 5 та 15 хвилин. З’ясовано відмінність між впливом поля акустичної хвилі і температури на властивості наноструктури GaSe<segnRK>
Завантаження
##plugins.generic.usageStats.noStats##
Посилання
Лен Ж.-М. Супрамолекулярная химия. Концепции и перспективы/Пер. з англ. – Новосибирск: Наука. Сиб. предприятие РАН, 1998. – 334 с.
Стид Дж.В., Этвуд Дж.Л. Супрамолекулярная химия/Пер. с англ. – М: ИКЦ “Академкнига”, 2007. – 896 с.
Ivashchyshyn F., Grygorchak I., Stakhira P., Cherpak V., Micov M. Nonorganic semiconductor – Conductive polymer intercalate nanohybrids: Fabrication, properties, application//Current Applied Physics. – 2012. – Vol. 12. – P. 160-165.
Kuhn A., Chevy A., Chevalier R. Crystal structure and interatomic distance in GaSe//Phys. Status Sol. – 1975. – Vol. A31. – P. 469-475.
Friend R. H., Yoffe A. D. Electronic Properties of intercalation complexes of the transition metal dichalcogenides//Adv. Phys. – 1987. – № 1. – P. 1-94.
Покладок Н.Т., Григорчак І.І., Григорчак О.І., Іващишин Ф.О., Стахіра П.Й. Наноструктури GaSe з магнітовпорядкованими “гостьовими” конфігураціями в температурному та електромагнітному полях//Sensor electronics and microsystem technologies. – 2010. – T. 1(7), № 4. – С. 69-78.
Mora-Sero I., Bisquert J. Implications of the Negative Capacitance Observed at Forwars Bias in Nanocomposite and Polycrystalline Solar Cells //Nano Letters.–2006.–Vol. 6, № 4.– P. 640-650.
Impedance spectroscopy. Theory, experiment and application/Ed. Barsoukov E. and Macdonald J.R. – Canada: Wiley interscience, 2005. – 585 p.
Pollak M., Geballe T. H. Low frequency conductivity due to hopping processes in silicon//Phys. Rev. – 1961. – Vol. 6. – P. 1743-1753.
Мустафаева С.Н., Асседов М.М. Прыжковая проводимость в монокристаллах p-GaSe// Изв. АН СССР. Неорган. материалы. – 1988. – Т. 24, Вып. 6. – C. 917-920.
Панченко Т.В., Карпова Л.М., Дуда В.М. Диэлектрическая релаксация в кристаллах Bi12SiO20:Cr//Физика твердого тела. – 2000. – Т. 42, Вып. 4. – С. 671-675.
Поплавко Ю.М. Физика диэлектриков. – К.: Вища школа, 1980. – 397 с.
Стид Дж.В., Этвуд Дж.Л. Супрамолекулярная химия/Пер. с англ. – М: ИКЦ “Академкнига”, 2007. – 896 с.
Ivashchyshyn F., Grygorchak I., Stakhira P., Cherpak V., Micov M. Nonorganic semiconductor – Conductive polymer intercalate nanohybrids: Fabrication, properties, application//Current Applied Physics. – 2012. – Vol. 12. – P. 160-165.
Kuhn A., Chevy A., Chevalier R. Crystal structure and interatomic distance in GaSe//Phys. Status Sol. – 1975. – Vol. A31. – P. 469-475.
Friend R. H., Yoffe A. D. Electronic Properties of intercalation complexes of the transition metal dichalcogenides//Adv. Phys. – 1987. – № 1. – P. 1-94.
Покладок Н.Т., Григорчак І.І., Григорчак О.І., Іващишин Ф.О., Стахіра П.Й. Наноструктури GaSe
Mora-Sero I., Bisquert J. Implications of the Negative Capacitance Observed at Forwars Bias in Nanocomposite and Polycrystalline Solar Cells //Nano Letters.–2006.–Vol. 6, № 4.– P. 640-650.
Impedance spectroscopy. Theory, experiment and application/Ed. Barsoukov E. and Macdonald J.R. – Canada: Wiley interscience, 2005. – 585 p.
Pollak M., Geballe T. H. Low frequency conductivity due to hopping processes in silicon//Phys. Rev. – 1961. – Vol. 6. – P. 1743-1753.
Мустафаева С.Н., Асседов М.М. Прыжковая проводимость в монокристаллах p-GaSe// Изв. АН СССР. Неорган. материалы. – 1988. – Т. 24, Вып. 6. – C. 917-920.
Панченко Т.В., Карпова Л.М., Дуда В.М. Диэлектрическая релаксация в кристаллах Bi12SiO20:Cr//Физика твердого тела. – 2000. – Т. 42, Вып. 4. – С. 671-675.
Поплавко Ю.М. Физика диэлектриков. – К.: Вища школа, 1980. – 397 с.
Опубліковано
2017-07-28
Як цитувати
Біщанюк, Т. М., Балабан, О. В., Григорчак, І. І., & Фечан, А. В. (2017). Формування та властивості інтеркалатних наноструктур конфігурації неорганічний напівпровідник/сегнетоелектричний рідкий кристал. Журнал фізики та інженерії поверхні, 11(1), 91 - 96. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8853
Розділ
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
