Heterojunctions based on In4Se3 layered crystals
Keywords:
indium selenide layered crystals, heterojunctions, atomic force microscopy, spectral characteristics, current-voltage characteristics
Abstract
Heterojunctions n-InSe–p-In4Se3 and p-InSe–n-In4Se3 were prepared by direct optical contact method. The topology of van der Waals surfaces of InSe and In4Se3 basis crystals were investigated by atomic force microscopy. The energy band diagram of the n-InSe–p-In4Se3 heterojunctions were constructed. It was found that the diode factor of n-InSe–p-In4Se3 heterojunctions had the value 1,1. The sensitivity spectral areas of n-InSe–p-In4Se3 and p-InSe–n-In4Se3 heterostructures were identified.
Downloads
Download data is not yet available.
References
Geim A. U., Grigorieva I. V. Van der Waals heterostructures // Nature. — 2013. — Vol. 499. — 419 p.
Ковалюк З. Д. Слоистые полупроводники. / В кн.: Физические основы полупроводникового материаловедения. — К.: «Наукова думка», 1982. — C. 14–18.
Bercha D. M., Borets A. M., Stakhyra I. M., Tovstyuk K. D. The band edge and the energy spectrum of In2Se // Phys. st. sol. — 1967. — Vol. 21, No. 2. — P. 769–774.
Савчин В. П. Особенности кинетических свойств слоистого кристала In4Se3 // ФТП. — 1981. — Т. 15, № 7. — С. 1430–1432.
Катеринчук В. Н., Ковалюк З. Д., Нетяга В. В., Беца Т. В. Гетеропереходы n-SnSSe– p-InSe // Письма в ЖТФ. — 2000. — Т. 26, № 17. — С. 6–10.
Balakrishnan N., Kydrynskyi Z., Fay M., Mudd G., Svatek S., Makarovsky O., Kovalyuk Z., Eaves L., Beton P., Potane A. Room Temperature Electroluminescence from Mechanically Formed van der Waals III–VI Homojunctions and heterojunctions // Advanced Optical Materials. — 2014. — Vol. 2, No. 11. — P. 1064–1069.
Манассон В. А., Малик А. Н., Баранюк В. Б. Эффективный солнечный элемент для работы при низких уровнях освещенности // Письма в ЖТФ. — 1981. — Т. 7, № 9. — С. 549–552.
Фотоприемники видимого и ИК диапазонов / Под. ред. Р. Дж. Киеса. — М.: «Радио и связь», 1985. — 328 c.
Ковалюк З. Д. Слоистые полупроводники. / В кн.: Физические основы полупроводникового материаловедения. — К.: «Наукова думка», 1982. — C. 14–18.
Bercha D. M., Borets A. M., Stakhyra I. M., Tovstyuk K. D. The band edge and the energy spectrum of In2Se // Phys. st. sol. — 1967. — Vol. 21, No. 2. — P. 769–774.
Савчин В. П. Особенности кинетических свойств слоистого кристала In4Se3 // ФТП. — 1981. — Т. 15, № 7. — С. 1430–1432.
Катеринчук В. Н., Ковалюк З. Д., Нетяга В. В., Беца Т. В. Гетеропереходы n-SnSSe– p-InSe // Письма в ЖТФ. — 2000. — Т. 26, № 17. — С. 6–10.
Balakrishnan N., Kydrynskyi Z., Fay M., Mudd G., Svatek S., Makarovsky O., Kovalyuk Z., Eaves L., Beton P., Potane A. Room Temperature Electroluminescence from Mechanically Formed van der Waals III–VI Homojunctions and heterojunctions // Advanced Optical Materials. — 2014. — Vol. 2, No. 11. — P. 1064–1069.
Манассон В. А., Малик А. Н., Баранюк В. Б. Эффективный солнечный элемент для работы при низких уровнях освещенности // Письма в ЖТФ. — 1981. — Т. 7, № 9. — С. 549–552.
Фотоприемники видимого и ИК диапазонов / Под. ред. Р. Дж. Киеса. — М.: «Радио и связь», 1985. — 328 c.
Published
2017-04-05
How to Cite
Ковалюк, З. Д., Катеринчук, В. М., Кушнір, Б. В., & Товарницький, М. В. (2017). Heterojunctions based on In4Se3 layered crystals. Journal of Surface Physics and Engineering, 1(3), 242-245. Retrieved from https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8309
Section
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
