Аналіз перехідних процесів у радіаційно опромінених кремнієвих p+nn+ -структурах
Ключові слова:
обмежник напруги, радіаційне опромінення, коефіцієнт радіаційної зміни часу життя, кремнієва p nn -структура
Анотація
На основі експериментальних даних залежності часу життя неосновних носіїв заряду від радіаційного опромінення зроблено висновок, що залежність Kτ0/Kτ(Ф) від ρ(Ф)/ρ(0) з високим ступенем вірогідності (R2 = 0,96) апроксимується прямою лінією й по суті вона дуже близька до відомої формули для часу життя неосновних носіїв заряду при великих концентраціях уловлювачів τp = τp0(1 + Nсм/n0). При цьому залежність Kτ від флюенса нейтронів найімовірніше визначається зменшенням концентрації основних носіїв під впливом опромінення.
Завантаження
##plugins.generic.usageStats.noStats##
Посилання
Кулаков В.М., Ладыгин Е.А., Шаховцов В.И. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники. – М.: Советское радио, 1980. – 138 с.
Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. – М.: Энергия, 1967. – 164 с.
Зи С. Физика полупроводниковых приборов, книга 1. – М.: Мир, 1984. – 122 с.
Адирович Э.И., Карагергий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Токи двойной инжекции в полупроводниках. – М.: Советское Радио, 1978. – 78 с.
Вавилов В.С., Ухин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. – М.: Атомиздат, 1969. – 143 с.
Messenger G.C.//Report on International Symposium on Radiation Effects in Semiconductors (Toulouse). – 1967.
Рахматов А.З., Муратов А.Ф., Меркулов А.А., Исмаилов Р.И. Способ изготовления ограничителей напряжения. – Патент № 25328, 1994, Бюл. № 23.
Вавилов В.С., Горин Б.М., Данилин Н.С., Кив А.Е., Нуров Ю.Л., Шаховцов В.И. Радиационные методы в твердотельной электронике. – М.: Радио и связь, 1990. – 59 с.
Коршунов Ф.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.М. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. – Минск: Наука и техника, 1978. – 90 с.
Носов Ю.Р. Полупроводниковые импульсные диоды. – М.: Советское радио, 1964. – 61 с.
Buchler M.G.//Proc. IEEE. – 1968. – Vol. 56, No. 10. Р. 111.
Коноплёва Р.Ф., Новиков С.Р., Рубинова Э.Э. //ФТП. – 1969. – Т. 3. – С. 1119.
Рывкин C.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. – М.: Физ.-мат. литер, 1963. – 156 с.
Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. – М.: Энергия, 1967. – 164 с.
Зи С. Физика полупроводниковых приборов, книга 1. – М.: Мир, 1984. – 122 с.
Адирович Э.И., Карагергий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Токи двойной инжекции в полупроводниках. – М.: Советское Радио, 1978. – 78 с.
Вавилов В.С., Ухин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. – М.: Атомиздат, 1969. – 143 с.
Messenger G.C.//Report on International Symposium on Radiation Effects in Semiconductors (Toulouse). – 1967.
Рахматов А.З., Муратов А.Ф., Меркулов А.А., Исмаилов Р.И. Способ изготовления ограничителей напряжения. – Патент № 25328, 1994, Бюл. № 23.
Вавилов В.С., Горин Б.М., Данилин Н.С., Кив А.Е., Нуров Ю.Л., Шаховцов В.И. Радиационные методы в твердотельной электронике. – М.: Радио и связь, 1990. – 59 с.
Коршунов Ф.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.М. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. – Минск: Наука и техника, 1978. – 90 с.
Носов Ю.Р. Полупроводниковые импульсные диоды. – М.: Советское радио, 1964. – 61 с.
Buchler M.G.//Proc. IEEE. – 1968. – Vol. 56, No. 10. Р. 111.
Коноплёва Р.Ф., Новиков С.Р., Рубинова Э.Э. //ФТП. – 1969. – Т. 3. – С. 1119.
Рывкин C.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. – М.: Физ.-мат. литер, 1963. – 156 с.
Опубліковано
2012-10-12
Як цитувати
Рахматов, А. З., & Каримов, А. В. (2012). Аналіз перехідних процесів у радіаційно опромінених кремнієвих p+nn+ -структурах. Журнал фізики та інженерії поверхні, 10(4), 392 - 396. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/10158
Розділ
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
