Аналіз перехідних процесів у радіаційно опромінених кремнієвих p+nn+ -структурах
Ключові слова:
обмежник напруги, радіаційне опромінення, коефіцієнт радіаційної зміни часу життя, кремнієва p nn -структура
Анотація
На основі експериментальних даних залежності часу життя неосновних носіїв заряду від радіаційного опромінення зроблено висновок, що залежність Kτ0/Kτ(Ф) від ρ(Ф)/ρ(0) з високим ступенем вірогідності (R2 = 0,96) апроксимується прямою лінією й по суті вона дуже близька до відомої формули для часу життя неосновних носіїв заряду при великих концентраціях уловлювачів τp = τp0(1 + Nсм/n0). При цьому залежність Kτ від флюенса нейтронів найімовірніше визначається зменшенням концентрації основних носіїв під впливом опромінення.
Завантаження
Посилання
Кулаков В.М., Ладыгин Е.А., Шаховцов В.И. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники. – М.: Советское радио, 1980. – 138 с.
Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. – М.: Энергия, 1967. – 164 с.
Зи С. Физика полупроводниковых приборов, книга 1. – М.: Мир, 1984. – 122 с.
Адирович Э.И., Карагергий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Токи двойной инжекции в полупроводниках. – М.: Советское Радио, 1978. – 78 с.
Вавилов В.С., Ухин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. – М.: Атомиздат, 1969. – 143 с.
Messenger G.C.//Report on International Symposium on Radiation Effects in Semiconductors (Toulouse). – 1967.
Рахматов А.З., Муратов А.Ф., Меркулов А.А., Исмаилов Р.И. Способ изготовления ограничителей напряжения. – Патент № 25328, 1994, Бюл. № 23.
Вавилов В.С., Горин Б.М., Данилин Н.С., Кив А.Е., Нуров Ю.Л., Шаховцов В.И. Радиационные методы в твердотельной электронике. – М.: Радио и связь, 1990. – 59 с.
Коршунов Ф.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.М. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. – Минск: Наука и техника, 1978. – 90 с.
Носов Ю.Р. Полупроводниковые импульсные диоды. – М.: Советское радио, 1964. – 61 с.
Buchler M.G.//Proc. IEEE. – 1968. – Vol. 56, No. 10. Р. 111.
Коноплёва Р.Ф., Новиков С.Р., Рубинова Э.Э. //ФТП. – 1969. – Т. 3. – С. 1119.
Рывкин C.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. – М.: Физ.-мат. литер, 1963. – 156 с.
Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. – М.: Энергия, 1967. – 164 с.
Зи С. Физика полупроводниковых приборов, книга 1. – М.: Мир, 1984. – 122 с.
Адирович Э.И., Карагергий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Токи двойной инжекции в полупроводниках. – М.: Советское Радио, 1978. – 78 с.
Вавилов В.С., Ухин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. – М.: Атомиздат, 1969. – 143 с.
Messenger G.C.//Report on International Symposium on Radiation Effects in Semiconductors (Toulouse). – 1967.
Рахматов А.З., Муратов А.Ф., Меркулов А.А., Исмаилов Р.И. Способ изготовления ограничителей напряжения. – Патент № 25328, 1994, Бюл. № 23.
Вавилов В.С., Горин Б.М., Данилин Н.С., Кив А.Е., Нуров Ю.Л., Шаховцов В.И. Радиационные методы в твердотельной электронике. – М.: Радио и связь, 1990. – 59 с.
Коршунов Ф.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.М. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. – Минск: Наука и техника, 1978. – 90 с.
Носов Ю.Р. Полупроводниковые импульсные диоды. – М.: Советское радио, 1964. – 61 с.
Buchler M.G.//Proc. IEEE. – 1968. – Vol. 56, No. 10. Р. 111.
Коноплёва Р.Ф., Новиков С.Р., Рубинова Э.Э. //ФТП. – 1969. – Т. 3. – С. 1119.
Рывкин C.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. – М.: Физ.-мат. литер, 1963. – 156 с.
Опубліковано
2012-10-12
Як цитувати
Рахматов, А. З., & Каримов, А. В. (2012). Аналіз перехідних процесів у радіаційно опромінених кремнієвих p+nn+ -структурах. Журнал фізики та інженерії поверхні, 10(4), 392 - 396. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/10158
Розділ
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
