Analysis of transient processes in irradiated silicon p+nn+ -structures
Keywords:
transient voltage suppressor, radiation exposure, coefficient of radiation change in the lifetime, a silicon p nn -structure
Abstract
Based on experimental data of the dependence of the minority carrier lifetime from radiation exposure was concluded that the relationship Kτ0/Kτ(Ф) from ρ(Ф)/ρ(0) with a high degree of confidence (R2 = 0,96) is approximated by a straight line and actually it is very close to the well-known formula for the lifetime of minority carriers at high concentration of traps τp0(1 + Nsm/n0). The dependence of the Kτ from neutron fluence probably is determined by decreasing the concentration of majority carriers under irradiation.
Downloads
Download data is not yet available.
References
Кулаков В.М., Ладыгин Е.А., Шаховцов В.И. Действие проникающей радиации на изделия электронной техники. – М.: Советское радио, 1980. – 138 с.
Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. – М.: Энергия, 1967. – 164 с.
Зи С. Физика полупроводниковых приборов, книга 1. – М.: Мир, 1984. – 122 с.
Адирович Э.И., Карагергий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Токи двойной инжекции в полупроводниках. – М.: Советское Радио, 1978. – 78 с.
Вавилов В.С., Ухин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. – М.: Атомиздат, 1969. – 143 с.
Messenger G.C.//Report on International Symposium on Radiation Effects in Semiconductors (Toulouse). – 1967.
Рахматов А.З., Муратов А.Ф., Меркулов А.А., Исмаилов Р.И. Способ изготовления ограничителей напряжения. – Патент № 25328, 1994, Бюл. № 23.
Вавилов В.С., Горин Б.М., Данилин Н.С., Кив А.Е., Нуров Ю.Л., Шаховцов В.И. Радиационные методы в твердотельной электронике. – М.: Радио и связь, 1990. – 59 с.
Коршунов Ф.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.М. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. – Минск: Наука и техника, 1978. – 90 с.
Носов Ю.Р. Полупроводниковые импульсные диоды. – М.: Советское радио, 1964. – 61 с.
Buchler M.G.//Proc. IEEE. – 1968. – Vol. 56, No. 10. Р. 111.
Коноплёва Р.Ф., Новиков С.Р., Рубинова Э.Э. //ФТП. – 1969. – Т. 3. – С. 1119.
Рывкин C.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. – М.: Физ.-мат. литер, 1963. – 156 с.
Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. – М.: Энергия, 1967. – 164 с.
Зи С. Физика полупроводниковых приборов, книга 1. – М.: Мир, 1984. – 122 с.
Адирович Э.И., Карагергий-Алкалаев П.М., Лейдерман А.Ю. Токи двойной инжекции в полупроводниках. – М.: Советское Радио, 1978. – 78 с.
Вавилов В.С., Ухин Н.А. Радиационные эффекты в полупроводниках и полупроводниковых приборах. – М.: Атомиздат, 1969. – 143 с.
Messenger G.C.//Report on International Symposium on Radiation Effects in Semiconductors (Toulouse). – 1967.
Рахматов А.З., Муратов А.Ф., Меркулов А.А., Исмаилов Р.И. Способ изготовления ограничителей напряжения. – Патент № 25328, 1994, Бюл. № 23.
Вавилов В.С., Горин Б.М., Данилин Н.С., Кив А.Е., Нуров Ю.Л., Шаховцов В.И. Радиационные методы в твердотельной электронике. – М.: Радио и связь, 1990. – 59 с.
Коршунов Ф.П., Гатальский Г.В., Иванов Г.М. Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах. – Минск: Наука и техника, 1978. – 90 с.
Носов Ю.Р. Полупроводниковые импульсные диоды. – М.: Советское радио, 1964. – 61 с.
Buchler M.G.//Proc. IEEE. – 1968. – Vol. 56, No. 10. Р. 111.
Коноплёва Р.Ф., Новиков С.Р., Рубинова Э.Э. //ФТП. – 1969. – Т. 3. – С. 1119.
Рывкин C.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. – М.: Физ.-мат. литер, 1963. – 156 с.
Published
2012-10-12
How to Cite
Рахматов, А. З., & Каримов, А. В. (2012). Analysis of transient processes in irradiated silicon p+nn+ -structures. Journal of Surface Physics and Engineering, 10(4), 392 - 396. Retrieved from https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/10158
Section
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
