Хамидов, Р. Х., Наманганский инженерно-технологический институт Узбекистан, Uzbekistan
-
Journal of Surface Physics and Engineering Vol. 10 No. 4 (2012): Фізична інженерія поверхні - Статті
Relaxation changes in the mobility and concentration of charge carriers in Si with deep impurity levels under the action of pulsed pressure
Abstract PDF (Українська)