Релаксаційні зміни рухливості і концентрації носіїв заряду в Si з глибокими домішковими рівнями при впливі імпульсного тиску
Ключові слова:
тензовластивості, компенсований кремній, концентрація носіїв, рухливість носіїв, імпульсний тиск, гідростатичний тиск, домішки нікелю, динамічний тензоефект, глибокі рівні
Анотація
У роботі досліджена зміна концентрації та рухливості носіїв заряду в зразках n- і p-типу кремнію з домішкою нікелю при впливі імпульсного гідростатичного тиску й при зміні температури за допомогою електричного нагрівача вбудованого в досліджуваний зразок. Показано, що динамічний тензоефект цих зразків зв’язаний 50% від температури й 50% від коливальних ефектів кристалічної решітки зразків кремнію з домішкою нікелю.
Завантаження
##plugins.generic.usageStats.noStats##
Посилання
Полякова А.А. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов. – М.: Энергия, 1979. – 168 с.
Болтакс Б.И., Бахадырханов М.К., Городецкий С.М., Куликов Г.С. Компенсированный кремний. – Л.:, 1972. – 121 с.
Абдураимов А., Зайнабидинов С.З., Маматкаримов О.О., Турсунов И.Г., Химматкулов О. Динамическая проводимость компенсированного кремния при всестороннем гидростатическом сжатии//ФТП. – 1993. – Т. 27, Вып. 3. – С. 516-519.
Шейкман М.К., Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках//ФТП. – 1976. – Т. 10, Вып. 2. – С.203-233.
Абдураимов А., Зайнабидинов С.З., Маматкаримов О.О., Химаткулов О., Худайбергенов Т.Э. Установка гидростатистического давления с пневмоусилителем для исследования тензосвойвств полупроводниковых материалов//ПТЭ. – 1988. – № 5. – С. 229-231.
Zainabidinov S.Z., Mamatkarimov O.O., Tursunov I., Tuychie U. Dinamic syrain conductivity of compensated silicon//Modern phisics litters B. – 1998. – Vol. 12, № 9. – P. 335-341.
Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников. – М.: Высшая школа, 1984.
Болтакс Б.И., Бахадырханов М.К., Городецкий С.М., Куликов Г.С. Компенсированный кремний. – Л.:, 1972. – 121 с.
Абдураимов А., Зайнабидинов С.З., Маматкаримов О.О., Турсунов И.Г., Химматкулов О. Динамическая проводимость компенсированного кремния при всестороннем гидростатическом сжатии//ФТП. – 1993. – Т. 27, Вып. 3. – С. 516-519.
Шейкман М.К., Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках//ФТП. – 1976. – Т. 10, Вып. 2. – С.203-233.
Абдураимов А., Зайнабидинов С.З., Маматкаримов О.О., Химаткулов О., Худайбергенов Т.Э. Установка гидростатистического давления с пневмоусилителем для исследования тензосвойвств полупроводниковых материалов//ПТЭ. – 1988. – № 5. – С. 229-231.
Zainabidinov S.Z., Mamatkarimov O.O., Tursunov I., Tuychie U. Dinamic syrain conductivity of compensated silicon//Modern phisics litters B. – 1998. – Vol. 12, № 9. – P. 335-341.
Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников. – М.: Высшая школа, 1984.
Опубліковано
2012-09-29
Як цитувати
Маматкаримов, О. О., Хамидов, Р. Х., Жабборов, Р. Г., Туйчиев, У. А., & Кучкаров, Б. Х. (2012). Релаксаційні зміни рухливості і концентрації носіїв заряду в Si з глибокими домішковими рівнями при впливі імпульсного тиску. Журнал фізики та інженерії поверхні, 10(4), 418 - 422. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/10162
Розділ
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
