Study of background radiation and its possibility limitations in the semiconductor ionization system
Keywords:
image converter, semiconductor electrode, ionization chamber, gas-discharge gap, semiinsulating gallium arsenide, photodetector, volt-ampere characteristic, photocurrent, pulse duration, impulse voltage
Abstract
Ergashev Results of experimental exploration phenomenon in plane gas discharge cell with semiconductor electrode reduces in the article. Possibility of limitation of background, which appears the hindrance for raising of contrast gratuity representation was shown.
Downloads
Download data is not yet available.
References
Хайдаров З., Хайдарова К. З., Йулдашев Х. Т. Высокочувствительная полупроводниковая ионизационная фотографическая камера для инфракрасного диапазона // Прикладная физика. — 2017. — № 1. — С. 65–69.
Йулдашев Х. Т., Хайдаров З., Касымов Ш. С. Кинетика пробоя в системе «полупроводник — газоразрядный промежуток» // Вестник СПбГУ. — 2017. — Сер. 4. — Т. 4 (62), вып. 1.
Йулдашев Х. Т., Ш. Ахмедов С., Хайдаров З. Исследование инфракрасной фотографической системы на основе кремния, легированного платиной // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2017. — Т. 2, № 1. — С. 12–19.
Лодыгин А. Н., Астров Ю. А., Порцель Л. М., Берегулин Е. В. Динамика таунсендовского разряда в аргоне // ЖТФ. — 2015. — Т. 85(5). — С. 27–31.
Астров Ю. А., Лодыгин А. Н., Порцель Л. М. Гексагональные структуры тока в системе «полупроводник — газоразрядный промежуток» // ЖТФ. — 2011. — Т. 81(2). — С. 42–47.
Лебедева Н. Н., Орбух В. И., Боброва Е. Ю. О формировании низкоомного состояния газа над поверхностью полупроводникового электрода в предпробойном режиме // Azərbaycan mil̇li ̇ elmlər akademiẏ asinin xəbərləri ̇ fizikariyaziyyat və texnika elmləri seriyası, fizika və
astronomiya. — 2005. — № 5. — С. 111–115.
Лодыгин А. Н., Порцель Л. М., Астров Ю. А. Газовый разряд в аргоне и азоте при криогенной температуре в тонких зазорах // Письма в ЖТФ. — 2008. — Т. 34(14). — С. 61–66.
Sadiq Y., Aktas K., Acar S., Salamov B. G. Influence of the microstructure on the charge transport in semiconductor gas discharge electronic devices // Superlattices and Microstructures. — 2010. — Vol. 47. — Р. 648–660.
Йулдашев Х. Т., Хайдаров З., Касымов Ш. С. Кинетика пробоя в системе «полупроводник — газоразрядный промежуток» // Вестник СПбГУ. — 2017. — Сер. 4. — Т. 4 (62), вып. 1.
Йулдашев Х. Т., Ш. Ахмедов С., Хайдаров З. Исследование инфракрасной фотографической системы на основе кремния, легированного платиной // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2017. — Т. 2, № 1. — С. 12–19.
Лодыгин А. Н., Астров Ю. А., Порцель Л. М., Берегулин Е. В. Динамика таунсендовского разряда в аргоне // ЖТФ. — 2015. — Т. 85(5). — С. 27–31.
Астров Ю. А., Лодыгин А. Н., Порцель Л. М. Гексагональные структуры тока в системе «полупроводник — газоразрядный промежуток» // ЖТФ. — 2011. — Т. 81(2). — С. 42–47.
Лебедева Н. Н., Орбух В. И., Боброва Е. Ю. О формировании низкоомного состояния газа над поверхностью полупроводникового электрода в предпробойном режиме // Azərbaycan mil̇li ̇ elmlər akademiẏ asinin xəbərləri ̇ fizikariyaziyyat və texnika elmləri seriyası, fizika və
astronomiya. — 2005. — № 5. — С. 111–115.
Лодыгин А. Н., Порцель Л. М., Астров Ю. А. Газовый разряд в аргоне и азоте при криогенной температуре в тонких зазорах // Письма в ЖТФ. — 2008. — Т. 34(14). — С. 61–66.
Sadiq Y., Aktas K., Acar S., Salamov B. G. Influence of the microstructure on the charge transport in semiconductor gas discharge electronic devices // Superlattices and Microstructures. — 2010. — Vol. 47. — Р. 648–660.
Published
2017-07-19
How to Cite
Йулдашев, Х. Т., Ахмедов, Ш. С., Рустамов, У. С., & Эргашев, К. М. (2017). Study of background radiation and its possibility limitations in the semiconductor ionization system. Journal of Surface Physics and Engineering, 2(1), 44 - 48. Retrieved from https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8742
Section
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
