Witching current and voltage with heating bes pe re hod nyh polycrystalline silicon doped with alkali me tals in region of inter-grain boundarie
Keywords:
intergrain boundaries, polycrystalline silicon, impurity thermalvoltaic effects
Abstract
The effect of changing the polarity of the voltage and current direction in a uniformly heated bes pe re hodnyh samples of polycrystalline silicon doped with alkali metals in the grain boundaries, occurring as a result of the joint manifestations of the processes of emission and capture of carriers in deep ener gy states due to defects at the grain boundaries and the migration of atoms in this area dissolved in silicon oxygen.
Downloads
Download data is not yet available.
References
Abdurakhmanov B. M., Olimov L. O, and Saidov M. S. // Applied Solar Energy ISSN 0003-701X. — 2008.— Vol. 44, No. 1. — P. 46—52.
Saidov M. S., Abdurakhmanov B. M., and Olimov L. O. // Applied Solar Energy ISSN 0003-701 X. — 2007. — Vol. 43, No. 4. — P. 203—207.
Olimov L. O. // Applied Solar Energy ISSN 0003-701X. — 2010. — Vol. 46, No. 2. — P. 118—121.
Абдурахманов Б. М., Олимов Л. О., Кучканов Ш. Переключение тока и напряжения при нагреве поликристаллического кремния легированными щелочными металлами // Журнал ДАН АН РУЗ. — 2012. — № 3.
Олимов Л. О. Автореф. канд. дис. (Андижан, Андижан гос. ун-т, 1999).
Olimov L. O., Adsorption of Alkali Metals and Their Effect on Electronic Properties of Grain Boundaries in Bulk of Polycrystalline Silicon. // Semiconductors. — 2010. — Vol. 44, No. 5. — P. 602—604.
Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применения / Пер. с англ. / Под. ред. Г. Харбек. — М.: Мир, 1989. — 344 с.
Олимов Л. О., Модель межзеренной границы в р-n структурах на основе поликристаллических полупроводников // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 173—179.
Олимов Л. О. Влияние межзеренных границ на перенос носителей заряда в поликристаллическом кремнии // Узбекский Физический Журнал. — 2005. — № 3. — С. 231—233.
Вавилов В. С., Киселев В. Ф., Мукашев Б. Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. — М.: Наука. Физматлит, 1990. — 260 с.
Олимов Л. О., Муйдинова М., Омонбоев Ф. Л. Электрические свойства межзеренных границ в объеме поликристаллического кремния // Физичeская инжeнeрия повeрхности. — 2013. — № 2. — С. 212—215.
Абдурахманов Б. М., Олимов Л. О., Абдураззақов Ф. С. // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 1. — С. 72 —76.
Saidov M. S., Abdurakhmanov B. M., and Olimov L. O. // Applied Solar Energy ISSN 0003-701 X. — 2007. — Vol. 43, No. 4. — P. 203—207.
Olimov L. O. // Applied Solar Energy ISSN 0003-701X. — 2010. — Vol. 46, No. 2. — P. 118—121.
Абдурахманов Б. М., Олимов Л. О., Кучканов Ш. Переключение тока и напряжения при нагреве поликристаллического кремния легированными щелочными металлами // Журнал ДАН АН РУЗ. — 2012. — № 3.
Олимов Л. О. Автореф. канд. дис. (Андижан, Андижан гос. ун-т, 1999).
Olimov L. O., Adsorption of Alkali Metals and Their Effect on Electronic Properties of Grain Boundaries in Bulk of Polycrystalline Silicon. // Semiconductors. — 2010. — Vol. 44, No. 5. — P. 602—604.
Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применения / Пер. с англ. / Под. ред. Г. Харбек. — М.: Мир, 1989. — 344 с.
Олимов Л. О., Модель межзеренной границы в р-n структурах на основе поликристаллических полупроводников // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 2. — С. 173—179.
Олимов Л. О. Влияние межзеренных границ на перенос носителей заряда в поликристаллическом кремнии // Узбекский Физический Журнал. — 2005. — № 3. — С. 231—233.
Вавилов В. С., Киселев В. Ф., Мукашев Б. Н. Дефекты в кремнии и на его поверхности. — М.: Наука. Физматлит, 1990. — 260 с.
Олимов Л. О., Муйдинова М., Омонбоев Ф. Л. Электрические свойства межзеренных границ в объеме поликристаллического кремния // Физичeская инжeнeрия повeрхности. — 2013. — № 2. — С. 212—215.
Абдурахманов Б. М., Олимов Л. О., Абдураззақов Ф. С. // Физическая инженерия поверхности. — 2010. — Т. 8, № 1. — С. 72 —76.
Published
2017-03-24
How to Cite
Олимов, Л. О., Абдурахманов, Б. М., & Омонбоев, Ф. Л. (2017). Witching current and voltage with heating bes pe re hod nyh polycrystalline silicon doped with alkali me tals in region of inter-grain boundarie. Journal of Surface Physics and Engineering, 12(1), 4-8. Retrieved from https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8158
Section
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
