Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой
Abstract
У польовому транзисторі з динамічним навантаженням у двополюсному режимі включення, коли електричне поле подається на перехід стік-затвор (витік з’єднаний до затвору) можна отримати на два порядки вищий коефіцієнт посилення на відміну від відомої схеми із загальним витоком. Чим ближче робоча точка до режиму відсічення каналу, тим вище коефіцієнт посилення за напругою.
Downloads
Download data is not yet available.
References
1. Patent USA US 6750698 B1 Jun, 15, 2004. Cascade circuits utilizing normally — of junction
field effect transistors for low on-resistance and low voltage applications. http://www. freepatentsonline.com/6750698.html
2. Wes Hayward and Jeff Damm. The Hybrid Cascode — A General Purpose AGC IF Amplifier, 2007 — Р. 33–37.
3. Милехин А. Г. Радиотехнические схемы на полевых транзисторах.— М.: Энергия, 1976. — С. 15–29.
4. Corina M. D., Corina D. C., Gabriel N. P., Angela I. Study of low signal amplifier with field effect transistors // Acta technica corviniensis-bulletin of engineering. — 2009 . — Vol. 1. — Р. 59–66.
5. Karimov A. V., Yodgorova D. M., Abdulkhaev O. A. Long Channel Field Effect Transistor with Short Channel Transistor Properties // Semiconductors ©Pleiades Publishing, Ltd. — 2014. — Vol. 48, — No. 4. — Р. 481–486.
6. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам / Под редакцией Н. Н. Горюнова. — М.: Энергия, 1976. — С. 411–413.
7. Каримов А. В., Джураев Д. Р., Ёдгорова Д. М., Рахматов А. З., Абдулхаев О. А., Каманов Б. М., Тураев А. А. Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1. — С. 30–32.
8. Sze S. M., Kwok K. Ng. Physics of Semiconductor Devices. Hoboken–New Jersey: Wiley-Interscience, 2007. — 94 p.
field effect transistors for low on-resistance and low voltage applications. http://www. freepatentsonline.com/6750698.html
2. Wes Hayward and Jeff Damm. The Hybrid Cascode — A General Purpose AGC IF Amplifier, 2007 — Р. 33–37.
3. Милехин А. Г. Радиотехнические схемы на полевых транзисторах.— М.: Энергия, 1976. — С. 15–29.
4. Corina M. D., Corina D. C., Gabriel N. P., Angela I. Study of low signal amplifier with field effect transistors // Acta technica corviniensis-bulletin of engineering. — 2009 . — Vol. 1. — Р. 59–66.
5. Karimov A. V., Yodgorova D. M., Abdulkhaev O. A. Long Channel Field Effect Transistor with Short Channel Transistor Properties // Semiconductors ©Pleiades Publishing, Ltd. — 2014. — Vol. 48, — No. 4. — Р. 481–486.
6. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам / Под редакцией Н. Н. Горюнова. — М.: Энергия, 1976. — С. 411–413.
7. Каримов А. В., Джураев Д. Р., Ёдгорова Д. М., Рахматов А. З., Абдулхаев О. А., Каманов Б. М., Тураев А. А. Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2011. — № 1. — С. 30–32.
8. Sze S. M., Kwok K. Ng. Physics of Semiconductor Devices. Hoboken–New Jersey: Wiley-Interscience, 2007. — 94 p.
Published
2015-11-24
How to Cite
Каримов, А. В., Ёдгорова, Д. М., Каманов, Б. М., Джураев, Д. Р., & Тураев, А. А. (2015). Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой. Journal of Surface Physics and Engineering, 13(1), 12 - 16. Retrieved from https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/4489
Section
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
