Явление памяти в двухбарьерной n++pnn+-структуре

  • А. В. Каримов Физико-технический институт НПО «Физика–Солнце» АН РУз
  • Д. М. Ёдгорова Физико-технический институт НПО «Физика–Солнце» АН РУз
  • О. А. Абдулхаев Физико-технический институт НПО «Физика–Солнце» АН РУз

Анотація

В двухбарьерной кремниевой n++pnn+-структуре в режиме запирания nn+-p-перехода в предпробойной области при подсветке одиночным импульсом обнаружено явление оптической памяти, а при подаче прямого порогового тока к p-n-переходу обнаруживается электрическая полевая память.

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Біографії авторів

А. В. Каримов, Физико-технический институт НПО «Физика–Солнце» АН РУз
Професор
Д. М. Ёдгорова, Физико-технический институт НПО «Физика–Солнце» АН РУз
Д. ф.-м. н.
О. А. Абдулхаев, Физико-технический институт НПО «Физика–Солнце» АН РУз
Н. с.

Посилання

1. Зи С. М. Физика полупроводниковых приборов. Часть 1. М.: Мир. - С. 237-240; 429-450.

2. Никольский Ю. А. Оптическая память гетероструктуры nInSb-SiO2-pSi. - Физика и техника полупроводников. - 2002. Т. 36. - Вып. 9. - С. 1065-1067.
Опубліковано
2015-06-22
Як цитувати
Каримов, А. В., Ёдгорова, Д. М., & Абдулхаев, О. А. (2015). Явление памяти в двухбарьерной n++pnn+-структуре. Журнал фізики та інженерії поверхні, 12(3), 357 - 359. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/2855
Номер
Том 12 № 3 (2014): Фізична інженерія поверхні
Розділ
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.

Найбільш популярні статті цього автора (авторів)