Теплове розширення щільності станів і температурна залежність ширини забороненої зони Gе

Автор(и)

  • Г. Гулямов Наманганский инженерно-педагогический институт Узбекистан
  • Н. Ю. Шарибаев Наманганский инженерно-педагогический институт Узбекистан
  • У. И. Эркабоев Наманганский инженерно-педагогический институт Узбекистан

Ключові слова:

щільність станів, теплове розширення енергетичних станів, чисельне моделювання, ширина забороненої зони

Анотація

Моделюванням процесу термічного розширення щільності станів напівпровідника, досліджена температурна залежність ширини забороненої зони Ge. Чисельним аналізом установлено, що нелінійна залежність ширини забороненої зони Ge при низьких температурах зумовлена наявністю енергетичних рівнів, у забороненій зоні поблизу дозволених зон. Результати розрахунків добре погоджуються з експериментальними даними. 

Біографії авторів

  • автор Г. Гулямов, афіліація Наманганский инженерно-педагогический институт Узбекистан
    с.н.с.
  • автор Н. Ю. Шарибаев, афіліація Наманганский инженерно-педагогический институт Узбекистан
    с.н.с.
  • автор У. И. Эркабоев, афіліація Наманганский инженерно-педагогический институт Узбекистан
    с.н.с.

Завантаження

Опубліковано

2012-09-27

Номер

Том 10 № 4 (2012): Фізична інженерія поверхні

Розділ

Статті

Ліцензія

У відповідності з типовим шаблоном.

Як цитувати

Теплове розширення щільності станів і температурна залежність ширини забороненої зони Gе. (2012). Журнал фізики та інженерії поверхні, 10(4), 366-370. https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/10139

Статті цього автора (цих авторів), які найбільше читають