Туйчиев, У. А., Наманганский инженерно-технологический институт Узбекистан, Узбекистан

• Журнал фізики та інженерії поверхні Том 10 № 4 (2012): Фізична інженерія поверхні - Статті
  Релаксаційні зміни рухливості і концентрації носіїв заряду в Si з глибокими домішковими рівнями при впливі імпульсного тиску
  Анотація  PDF