Кучкаров, Б. Х., Наманганский инженерно-технологический институт Узбекистан, Узбекистан
-
Журнал фізики та інженерії поверхні Том 10 № 4 (2012): Фізична інженерія поверхні - Статті
Релаксаційні зміни рухливості і концентрації носіїв заряду в Si з глибокими домішковими рівнями при впливі імпульсного тиску
Анотація PDF