Вплив нейтронного опромінення на процеси модуляції базової області кремнієвої p+nn+-структури
Ключові слова:
обмежувальний діод, нейтронне опромінення, кремнієва p nn -структура, ємність
Анотація
Наведено результати дослідження впливу нейтронного опромінення на характер залежності ємності від замикаючої напруги кремнієвої p+nn+-структури. Під впливом нейтронного опромінення дозою 3⋅1015 н/см2 виявлене збільшення вихідної товщини шару об’ємного заряду p+n-переходу у два з половиною рази, що пояснюється утворенням і-шару в границі з p+nпереходом. При цьому досягнення заданої напруженості електричного поля після опромінення досягається при напругах у два рази більших, у результаті зменшується ємність структури та час включення обмежувального діода.
Завантаження
##plugins.generic.usageStats.noStats##
Посилання
Алиев Р .Ю., Аскеров К.А. Влияние ионизирующих излучений на основные параметры фотодиодов на основе селенида индия//Прикладная физика. – 1999. – № 3. – С. 28.
Козловскийй В.В., Емцев В.В., Емцев К.В., Строкан Н.Б. и др. Влияние электронного облучения на скорость удаления носителей в кремнии и карбиде кремния модификации 4Н //ФТП. – 2008. – Т. 42, Вып. 2. – С. 243-248.
Саакян В.А. Действие различных видов облучения полупроводниковых приборов//Известия НАН Армении, Физика. – 2008. – Т. 43, № 5. – С. 348-354.
Рахматов А.З., Скорняков С., Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О., Бузруков У . Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния//Технология и конструирова ние в электронной аппаратуре (Одесса). – 2010. – № 5-6. – С. 30-35.
Рахматов А.З. Разработка физико-технических основ получения кремниевых ограничителей напряжения.– Автореф. дис. на соискание ученой степени к.т.н. – Ташкент, 2008.
Способ изготовления кремниевых ограничителей напряжения/Муратов А., Рахматов А., Меркулов А.А., Исмоилов И.Р. – Патент РУз № 5328. Бюл. № 3 от 30.09.1994.
Рахматов А.З., Петров Д.А., Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А. Исследование влияния нейтронного облучения на напряжение пробоя кремниевых ограничителей напряжения//Радиоэлектроника. Киев. – 2012. – № 7. – С. 1-4.
Рахматов А.З., Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А. Исследование влияния нейтронного облучения на характеристические параметры кремниевых ограничителей напряжения//Компоненты и технологии. – 2012. – № 5. – С. 52-54.
Рахматов А.З., Каримов А.В. Анализ переходных процессов в радиационно-облученных кремниевых p+nn+-структурах//ФИП. – 2012. – Т. 10. № 4. – С. 308-312.
Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Рахматов А.З., Скорняков С.Л.. Петров Д.А., Абдулхаев О.А. Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения//Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2012. – № 3. – С. 26-31.
Рахматов А.З., Абдулхаев О., Каримов А., Ёдгорова Д.М. Особенности работы ограничителя напряжения в импульсном режиме// ФТП. – 2013. – Т. 47, Вып. 3. – С. 364-368.
Рахматов А.З., Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А. Скорняков С.П. Приборные характеристики силовых диодов на основе кремниевых p+-n+, p+-n-n+ и p+-р-n-n+-структур//Компоненты и технологии. – 2012. – № 4. – С. 38-41.
Sze S.M., Kwok K.Ng. Physics of Semiconductor Devices. 3rd ed. Hoboken.- New Jersey: Wiley-Interscience, 2007. – 94 р.
Козловскийй В.В., Емцев В.В., Емцев К.В., Строкан Н.Б. и др. Влияние электронного облучения на скорость удаления носителей в кремнии и карбиде кремния модификации 4Н //ФТП. – 2008. – Т. 42, Вып. 2. – С. 243-248.
Саакян В.А. Действие различных видов облучения полупроводниковых приборов//Известия НАН Армении, Физика. – 2008. – Т. 43, № 5. – С. 348-354.
Рахматов А.З., Скорняков С., Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О., Бузруков У . Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния//Технология и конструирова ние в электронной аппаратуре (Одесса). – 2010. – № 5-6. – С. 30-35.
Рахматов А.З. Разработка физико-технических основ получения кремниевых ограничителей напряжения.– Автореф. дис. на соискание ученой степени к.т.н. – Ташкент, 2008.
Способ изготовления кремниевых ограничителей напряжения/Муратов А., Рахматов А., Меркулов А.А., Исмоилов И.Р. – Патент РУз № 5328. Бюл. № 3 от 30.09.1994.
Рахматов А.З., Петров Д.А., Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А. Исследование влияния нейтронного облучения на напряжение пробоя кремниевых ограничителей напряжения//Радиоэлектроника. Киев. – 2012. – № 7. – С. 1-4.
Рахматов А.З., Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А. Исследование влияния нейтронного облучения на характеристические параметры кремниевых ограничителей напряжения//Компоненты и технологии. – 2012. – № 5. – С. 52-54.
Рахматов А.З., Каримов А.В. Анализ переходных процессов в радиационно-облученных кремниевых p+nn+-структурах//ФИП. – 2012. – Т. 10. № 4. – С. 308-312.
Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Рахматов А.З., Скорняков С.Л.. Петров Д.А., Абдулхаев О.А. Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения//Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2012. – № 3. – С. 26-31.
Рахматов А.З., Абдулхаев О., Каримов А., Ёдгорова Д.М. Особенности работы ограничителя напряжения в импульсном режиме// ФТП. – 2013. – Т. 47, Вып. 3. – С. 364-368.
Рахматов А.З., Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А. Скорняков С.П. Приборные характеристики силовых диодов на основе кремниевых p+-n+, p+-n-n+ и p+-р-n-n+-структур//Компоненты и технологии. – 2012. – № 4. – С. 38-41.
Sze S.M., Kwok K.Ng. Physics of Semiconductor Devices. 3rd ed. Hoboken.- New Jersey: Wiley-Interscience, 2007. – 94 р.
Опубліковано
2017-07-28
Як цитувати
Рахматов, А. З. (2017). Вплив нейтронного опромінення на процеси модуляції базової області кремнієвої p+nn+-структури. Журнал фізики та інженерії поверхні, 11(1), 129 - 132. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8858
Розділ
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
