The influence of neutron irradiation on the processes of modulation in base region of silicon p+nn+-structure
Keywords:
transient voltage suppressor, neutron irradiation, a silicon p nn -structure, capacitance
Abstract
The results of research of the influence of neutron irradiation on the dependence of the capacitance on the reverse voltage of silicon p+nn+-structure are given. Under the influence of neutron irradiation dose of 3·1015 n/cm2 is found the expansion of initial thickness of the p+n-junction’s space charge – two and a half times, which is explained with formation of i-layer near the border of p+n-junction. While achieving a given electric field strength after exposure achieved with twice higher voltages. As a result is reduced the capacitance of the structure and turn-on time of the transient voltage suppressor.
Downloads
Download data is not yet available.
References
Алиев Р .Ю., Аскеров К.А. Влияние ионизирующих излучений на основные параметры фотодиодов на основе селенида индия//Прикладная физика. – 1999. – № 3. – С. 28.
Козловскийй В.В., Емцев В.В., Емцев К.В., Строкан Н.Б. и др. Влияние электронного облучения на скорость удаления носителей в кремнии и карбиде кремния модификации 4Н //ФТП. – 2008. – Т. 42, Вып. 2. – С. 243-248.
Саакян В.А. Действие различных видов облучения полупроводниковых приборов//Известия НАН Армении, Физика. – 2008. – Т. 43, № 5. – С. 348-354.
Рахматов А.З., Скорняков С., Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О., Бузруков У . Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния//Технология и конструирова ние в электронной аппаратуре (Одесса). – 2010. – № 5-6. – С. 30-35.
Рахматов А.З. Разработка физико-технических основ получения кремниевых ограничителей напряжения.– Автореф. дис. на соискание ученой степени к.т.н. – Ташкент, 2008.
Способ изготовления кремниевых ограничителей напряжения/Муратов А., Рахматов А., Меркулов А.А., Исмоилов И.Р. – Патент РУз № 5328. Бюл. № 3 от 30.09.1994.
Рахматов А.З., Петров Д.А., Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А. Исследование влияния нейтронного облучения на напряжение пробоя кремниевых ограничителей напряжения//Радиоэлектроника. Киев. – 2012. – № 7. – С. 1-4.
Рахматов А.З., Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А. Исследование влияния нейтронного облучения на характеристические параметры кремниевых ограничителей напряжения//Компоненты и технологии. – 2012. – № 5. – С. 52-54.
Рахматов А.З., Каримов А.В. Анализ переходных процессов в радиационно-облученных кремниевых p+nn+-структурах//ФИП. – 2012. – Т. 10. № 4. – С. 308-312.
Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Рахматов А.З., Скорняков С.Л.. Петров Д.А., Абдулхаев О.А. Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения//Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2012. – № 3. – С. 26-31.
Рахматов А.З., Абдулхаев О., Каримов А., Ёдгорова Д.М. Особенности работы ограничителя напряжения в импульсном режиме// ФТП. – 2013. – Т. 47, Вып. 3. – С. 364-368.
Рахматов А.З., Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А. Скорняков С.П. Приборные характеристики силовых диодов на основе кремниевых p+-n+, p+-n-n+ и p+-р-n-n+-структур//Компоненты и технологии. – 2012. – № 4. – С. 38-41.
Sze S.M., Kwok K.Ng. Physics of Semiconductor Devices. 3rd ed. Hoboken.- New Jersey: Wiley-Interscience, 2007. – 94 р.
Козловскийй В.В., Емцев В.В., Емцев К.В., Строкан Н.Б. и др. Влияние электронного облучения на скорость удаления носителей в кремнии и карбиде кремния модификации 4Н //ФТП. – 2008. – Т. 42, Вып. 2. – С. 243-248.
Саакян В.А. Действие различных видов облучения полупроводниковых приборов//Известия НАН Армении, Физика. – 2008. – Т. 43, № 5. – С. 348-354.
Рахматов А.З., Скорняков С., Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О., Бузруков У . Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния//Технология и конструирова ние в электронной аппаратуре (Одесса). – 2010. – № 5-6. – С. 30-35.
Рахматов А.З. Разработка физико-технических основ получения кремниевых ограничителей напряжения.– Автореф. дис. на соискание ученой степени к.т.н. – Ташкент, 2008.
Способ изготовления кремниевых ограничителей напряжения/Муратов А., Рахматов А., Меркулов А.А., Исмоилов И.Р. – Патент РУз № 5328. Бюл. № 3 от 30.09.1994.
Рахматов А.З., Петров Д.А., Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А. Исследование влияния нейтронного облучения на напряжение пробоя кремниевых ограничителей напряжения//Радиоэлектроника. Киев. – 2012. – № 7. – С. 1-4.
Рахматов А.З., Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А. Исследование влияния нейтронного облучения на характеристические параметры кремниевых ограничителей напряжения//Компоненты и технологии. – 2012. – № 5. – С. 52-54.
Рахматов А.З., Каримов А.В. Анализ переходных процессов в радиационно-облученных кремниевых p+nn+-структурах//ФИП. – 2012. – Т. 10. № 4. – С. 308-312.
Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Рахматов А.З., Скорняков С.Л.. Петров Д.А., Абдулхаев О.А. Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения//Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2012. – № 3. – С. 26-31.
Рахматов А.З., Абдулхаев О., Каримов А., Ёдгорова Д.М. Особенности работы ограничителя напряжения в импульсном режиме// ФТП. – 2013. – Т. 47, Вып. 3. – С. 364-368.
Рахматов А.З., Каримов А.В., Ёдгорова Д.М., Абдулхаев О.А. Скорняков С.П. Приборные характеристики силовых диодов на основе кремниевых p+-n+, p+-n-n+ и p+-р-n-n+-структур//Компоненты и технологии. – 2012. – № 4. – С. 38-41.
Sze S.M., Kwok K.Ng. Physics of Semiconductor Devices. 3rd ed. Hoboken.- New Jersey: Wiley-Interscience, 2007. – 94 р.
Published
2017-07-28
How to Cite
Рахматов, А. З. (2017). The influence of neutron irradiation on the processes of modulation in base region of silicon p+nn+-structure. Journal of Surface Physics and Engineering, 11(1), 129 - 132. Retrieved from https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8858
Section
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
