Tensoresistive effect in the system potential barriers in semiconductor films

Г. Гулямов Наманганский инженерно-педагогический институт
A. Г. Гулямов Наманганский инженерно-педагогический институт
Г. Н. Мажидова Наманганский инженерно-педагогический институт

Keywords: tensosensitive, transparency of potential barrier, semiconductor tensosensitive thin films

Abstract

In the work proposed model of the tensosensitive semiconductor film according to which, the film is considered as system of potential barriers. It is considered tensosensitive systems of potential barriers. It is shown that the model according to which at deformation varies only width of a potential barrier can explain is abnormal great values of factor tensosensitive thin film Bi2Te3 and Sb2 Te3, receptions by a vacuum dusting.

Downloads

Download data is not yet available.

Author Biographies

Г. Гулямов, Наманганский инженерно-педагогический институт

с.н.с.

A. Г. Гулямов, Наманганский инженерно-педагогический институт

с.н.с.

Г. Н. Мажидова, Наманганский инженерно-педагогический институт

с.н.с.

References

Шамирзаев Х., Юсупова Д.А., Мухамедиев Э.Д., Онар›улов К.Э.//Физическая инженерия поверхности. – 2006. – T. 4, № 1-2. – C. 86-90.

Шкловский Б., Эфрос А.Л. Электронные свойства легиранных полупроводников. – М.: Наука, 1979.

Ландау Л.Д., Лифщиц Е.М. Квантовая механика. – М.: Наука, 1974.

Киреев П.С. Физика полупроводников. – М.: Высшая школа, 1975.

Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника. Справочник. – К.: Наукова думка, 1975.