The temperature dependence of the band gap of Si and Ge by the model

Н. Ю. Шарибаев Наманганский инженерно-технологический институт

Keywords: band gap at low temperatures, the density of states of the model, the temperature dependence of the energy spectrum

Abstract

The model decomposition of the density of states in a series of GN(Ei, Et, T)-derivative functions of discrete states of the ionization energy The temperature dependence of the band gap of Si and Ge. Numerical results indicate that the band gap of Si and Ge in the ideal case, if the band gap energy levels available at low temperatures greater than the experimental results: Si – 0.018 eV, Ge– 0.008 еV.

Downloads

Download data is not yet available.

Author Biography

Н. Ю. Шарибаев, Наманганский инженерно-технологический институт

с.н.с.

References

Гулямов Г., Шарибаев Н.Ю.//ФИП. − 2010. − Т. 8, № 1. − С. 53-58.

Гулямов Г., Шарибаев Н.Ю.//ФТП. − 2011. − Т. 45, Вып. 2. − С. 178-182.

Гулямов Г., Шарибаев Н.Ю.//Поверхность. − 2012. − № 9. − С. 13-17.

Гулямов Г., Шарибаев Н.Ю.//ФИП. − 2012. − Т. 10, № 2. − С. 221-225.

Гулямов Г., Шарибаев Н.Ю., Эркабоев У .И./ /ФИП. − 2012. − Т. 10, № 4. − С. 308-312.

Шалимова К.В. Физика полупроводников. − М.: Энергоатомиздат, 1985. − 392 с.

Мотт Н., Девис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. Т. 1. − М.: Мир, 1982. − 664 с.

Бонч-Бруевич В.Б., и др. Электронная теория некристаллических полупроводников. − М.: Наука, 1981. − 384 с.