Thin film CdTe-structures with barrier Schottky

Ш. А. Мирсагатов Физико-технический институт, Научно-производственноe объединение “Физика-Солнце”
А. С. Ачилов Физико-технический институт, Научно-производственноe объединение “Физика-Солнце”
Б. Н. Заверюхин Физико-технический институт, Научно-производственноe объединение “Физика-Солнце”

Keywords: semiconductor, film, nuclear radiation, detector, barrier Schottky, energy resolution

Abstract

At first for registration of nuclear radiation film CdTe-detector structures with Schottky barrier were created. The structures are made on the basis of large block-p-CdTe films with resistivity ρ ∼107 Om⋅cm. Crystallites of the films are orthogonal to plane of Mo-substrate on which they are formed. The capacitance-voltage, current-voltage characteristics and an energy resolution of the structures were measured and transport mechanisms of current carriers were defined for different values of bias voltage. The structures registried α-particles with energy 5.482 MeV from source Am241. Energy resolution R of the structures was 22 ÷ 29 keV at T = 293 K. It is established that improving of the characteristics of the detector structures associated with removal processes of an electron injection in region of back Mo-contact. It was found that source of the electron injection аt high bias voltages are Mo-contact and oxide MoO3 between the film and the molybdenum contact.

Downloads

Download data is not yet available.

Author Biographies

Ш. А. Мирсагатов, Физико-технический институт, Научно-производственноe объединение “Физика-Солнце”

с.н.с.

А. С. Ачилов, Физико-технический институт, Научно-производственноe объединение “Физика-Солнце”

с.н.с.

Б. Н. Заверюхин, Физико-технический институт, Научно-производственноe объединение “Физика-Солнце”

с.н.с.

References

Ботнарюк В.М., Жиляев Ю.В., Иванов А.М., Строкан Н.Б., Федоров Л.М. Особенности эпитаксиальных слоев GaAs как детекторов α-частиц//Пиcьма ЖТФ. – 1998. – Т. 24, Bып. 7. – С. 8-15.
Строкан Н.Б., Иванов А.М., Савкина Н.С., Давыдов Д.В., Богданова Е.В., Лебедев А.А. Применение SiC-триодных структур как детекторов ядерных частиц//ФТП. – 2002. – Т. 36, Bып. 3. – С. 375-378.

Takahashi T., Watanabe S.//IEEE Trans. Nucl. Sci., – 2001. – Vol. 48. – P. 950.

Watanabe S., Takahashi T., Okada Y., Sato G., Kouda M., Mitani T., Kabayashi Y., Nakazawa K., Kuroda Y., Onishi M.//IEEE Trans. Nucl. Sci. – 2002. – Vol. 49. – P. 210.

Tanaka T., Kabayashi T., Mitani T., Nakazawa K., Oonuki K., Sato G., Takahashi T., Watanabe
S.//New Astronomy Reviews. – 2004. – Vol. 48. – P. 309.

Косяченко Л.А., Склярчук В.М., Маслянчук О.Л., Грушко Е.В., Гнатюк В.А., Aoki T. Hatanaka Y. Особенности электрических характеристик диодов Шоттки на основе CdTe с почти собственной проводимостью//Письма в ЖТФ.– 2006. – Т. 32, Bып. 24. – С.29-37.

Hermon H., Shieber M., James R.B. Journal of Electronic Materials. – 1999. – Vol. 28. – Р. 688702.

Поликристаллические полупроводники/Под ред. Г. Харбеке. – М.: Мир, 1989. – 341 с.

Заверюхин Б.Н., Мирсагатов Ш.А., Заверюхина Н.Н., Володарский В.В., Заверюхина Е.Б. Пленочные детекторы ядерных излучений из теллурида кадмия//Пиcьма ЖТФ. – 2003. – Т. 29, Bып. 22. – С. 80-87.

Косяченко Л., Маслячук О., Склярчук В. Особенности переноса заряда в диодах Шоттки на основе полуизолирующего CdTe//ФТП. – 2005. – Т. 39, Bып. 6. – С. 754-761.

Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. – М.: Советское радио, 1980. – 296 c.

Zanio K. Semiconductors and Semimals//Acad. Press, N.Y. – 1978. – Vol. 13. – P. 210.

Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. – М.: Мир, 1973. – 210 с.