Визначення локалізованих енергетичних станів за квазірівнями фермі зі змінюванням часу

G. Guliamov Namangan Engineering Pedagogical Institute Uzbekistan
N. Y. Sharibaev Namangan Engineering Pedagogical Institute Uzbekistan Namangan Engineering Institute of Technology Uzbekistan
U. I. Erkaboev Namangan Engineering Pedagogical Institute Uzbekistan

Ключові слова: низькотемпературний локалізований стан, спектроскопія дискретних станів, підвищення точності результатів, дискретний спектр щільності станів

Анотація

Досліджено генераційно-рекомбінаційний процес електронів із заповнених локалізованих поверхневих станів за часом їх життя. Показано застосовність похідної функції розподілу Дірака як δ-функції за низьких температур для дослідження температурної залежності спектру густини поверхневих станів. З метою підвищення точності одержаних результатів у роботі запропоновано метод спектроскопії дискретних станів за квазірівнями Фермі зі змінюванням часу.

Завантаження

Біографії авторів

G. Guliamov, Namangan Engineering Pedagogical Institute Uzbekistan

с.н.с.

N. Y. Sharibaev, Namangan Engineering Pedagogical Institute Uzbekistan Namangan Engineering Institute of Technology Uzbekistan

с.н.с.

U. I. Erkaboev, Namangan Engineering Pedagogical Institute Uzbekistan

с.н.с.

Посилання

Guliamov G., Sharibaev N.Yu. The temperature dependence of the density of surface states, determined by transient spectroscopy//Physical Engineering surface. − 2010. − Vol. 8, No. 1. − P. 53-68.

Guliamov G., Karimov I.N., Sharibaev N.Yu. Erkaboev U. Determination of the density of surface states at the semiconductor dielectric structures in Al-SiO2-Si and Al-SiO2-n-Si at low temperature//Uzbek Journal of Physics. − 2010. − Vol. 12, No. 3. − P. 143-146.

Guliamov G., Sharibaev N.Yu. Determination of the density of surface states of the interface, the semiconductor-insulator in the MIS structure// FTP. − 2011. − Vol. 45, No. 2. − P. 178-182.

Nosov Y.R., Shilin V.A. Fundamentals of Physics, charge-coupled devices. − M.: Nauka, 1986.

Guliamov G., Sharibaev N.Yu. X-ray, synchrotron and neutron research//Surface. − 2012, No. 9. − P. 13-17.

Zeldovich J.B., Myshkis A.D. Elements of applied mathematics. − M.: Nauka, 1972. − 592 p.

Karimov I.N. Basics of optimization of the physical processes at the semiconductor-insulator. − Dis . doc., Sci. Science, Tashkent, 1995. − 232 p.