Інжекційний фотодіод на основі nSі-nCdS-n+CdS гетероструктури
Ключові слова:
гетеро структура, плівка, спектр, инжекційний
Анотація
Показано, що гетероструктури nSі-nCdS-n+CdS у пропускному напрямку струму при малих рівнях освітлення працюють як інжекційний фотодіод. Він має струмову чутливість Sλ ≈ 2.12 A/W при λ = 0.625 µm, що в 4.2 разів перевищує спектральну чутливість ідеального фотоприймача при цій довжині хвилі випромінювання. Високі значення Sл забезпечують високу ефективність перетворення світлової енергії в електричну при малих рівнях освітленості.
Завантаження
##plugins.generic.usageStats.noStats##
Посилання
Vikulin I.M., Stafeeyev V.I. Physics of semiconductor devices. – M.: The Soviet Radio, 1980. – 296 p.
Stafeeyev V.I. FGUP Scientific Production Amalgamation. – M.: Orion, 2008. – 103 p.
Stafeeyev V.I. Influence of resistivity of the thickness of semiconductor on shape of currentvoltage characteristics of diode//JTF. – 1958. – № 8. – P. 1631.
Mirsagatov Sh.A., Aytbayev B.U., Rubinov V.M. //FTP. – 1996. – Vol. 30, №.3. – P. 550.
Ambrozyak. Design and technology of semiconductor photoelectric devices. – M.: The Soviet Radio, 1970. – 392 p.
Stafeeyev V.I. FGUP Scientific Production Amalgamation. – M.: Orion, 2008. – 103 p.
Stafeeyev V.I. Influence of resistivity of the thickness of semiconductor on shape of currentvoltage characteristics of diode//JTF. – 1958. – № 8. – P. 1631.
Mirsagatov Sh.A., Aytbayev B.U., Rubinov V.M. //FTP. – 1996. – Vol. 30, №.3. – P. 550.
Ambrozyak. Design and technology of semiconductor photoelectric devices. – M.: The Soviet Radio, 1970. – 392 p.
Опубліковано
2017-07-21
Як цитувати
Sapaev, I. B. (2017). Інжекційний фотодіод на основі nSі-nCdS-n+CdS гетероструктури. Журнал фізики та інженерії поверхні, 11(3), 260 - 262. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8756
Розділ
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
