Фоточутливість і механізм протікання струму в гетероструктурах p-CdTe-SiO2-Si з глибокими домішковими рівнями

  • Н. Жураев Ферганский филиал Ташкентского университета информационных технологий
  • М. Халилов Ферганский филиал Ташкентского университета информационных технологий
  • С. Отажонов Ферганский государственный университет
  • Н. Алимов Ферганский филиал Ташкентского университета информационных технологий
Ключові слова: пікосекундна фотопровідність, напівпровідникова плівка, рекомбінація, генерація, фотонапруга, фоточутливість

Анотація

Вивчено фоточувствительность і механізм протікання струму в низьковимірних гетероструктурах p-CdTe-SiO2-Si з глибокими домішковими рівнями. Виявлена пікосекундна фотопровідність, що свідчить про наявність великої концентрації поверхневих рекомбінаційних центрів в плівках  CdTe.

 

 

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Біографії авторів

Н. Жураев, Ферганский филиал Ташкентского университета информационных технологий
с.н.с.
М. Халилов, Ферганский филиал Ташкентского университета информационных технологий
с.н.с.
С. Отажонов, Ферганский государственный университет
с.н.с.
Н. Алимов, Ферганский филиал Ташкентского университета информационных технологий
с.н.с.

Посилання

Otazhonov S. M. Fotochuvstvitel’nost’ AFNplenok v geterostrukture iz SdTe-SiO2-Si pod dejstviem vneshnego elektricheskogo polya // Fizicheskaya inzheneriya poverhnosti. — 2004. — Vol. 2, No. 1–2. — P. 28–31.

Baranskij P. I., Klochkov V. P., Potykevich V. I. Poluprovodnikovaya elektronika. Svojstva materialov. Spravochnik. — K.: Naukova dumka, 1975. — 704 p.

Otazhonov S. M., Usmonov Ya. Ustrojstvo dlya deformirovaniya obrazcov pri osveschenii monohromaticheskim svetom // Patent IDP. — RUz 2000450, 2002. — 5 p.

Karimov M., Sultonov Sh. D. // FerPI nauchnotehnicheskij zhurnal. — 2004. — No. 2. — P. 20–23.

Bobrova E. A., Klevkov Yu. V., Med vedev S. A., Plotnikov A. F. Issledovanie glubokih elektro nnyh sostoyanij v teksturirovannyh polikristallah p-CdTe stehiometricheskogo sostava metodom DLTS // FTP. — 2002. — Vol. 36, vyp. 12. — P. 1426–1431.

Vajtkus Yu. Yu., Rasulov R. Ya., Ota zhonov S. M., Oripov U. // «Poverhnost’» Rent genovskie sinhronnye i nejtronnye issle dovaniya AN Rossii. — M.: «Nauka». — 1999.— No. 3. — P. 44–49.
Опубліковано
2017-07-19
Як цитувати
Жураев, Н., Халилов, М., Отажонов, С., & Алимов, Н. (2017). Фоточутливість і механізм протікання струму в гетероструктурах p-CdTe-SiO2-Si з глибокими домішковими рівнями. Журнал фізики та інженерії поверхні, 2(1), 26 - 29. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8738