Фоточутливість і механізм протікання струму в гетероструктурах p-CdTe-SiO2-Si з глибокими домішковими рівнями
Ключові слова:
пікосекундна фотопровідність, напівпровідникова плівка, рекомбінація, генерація, фотонапруга, фоточутливість
Анотація
Вивчено фоточувствительность і механізм протікання струму в низьковимірних гетероструктурах p-CdTe-SiO2-Si з глибокими домішковими рівнями. Виявлена пікосекундна фотопровідність, що свідчить про наявність великої концентрації поверхневих рекомбінаційних центрів в плівках CdTe.
Завантаження
##plugins.generic.usageStats.noStats##
Посилання
Otazhonov S. M. Fotochuvstvitel’nost’ AFNplenok v geterostrukture iz SdTe-SiO2-Si pod dejstviem vneshnego elektricheskogo polya // Fizicheskaya inzheneriya poverhnosti. — 2004. — Vol. 2, No. 1–2. — P. 28–31.
Baranskij P. I., Klochkov V. P., Potykevich V. I. Poluprovodnikovaya elektronika. Svojstva materialov. Spravochnik. — K.: Naukova dumka, 1975. — 704 p.
Otazhonov S. M., Usmonov Ya. Ustrojstvo dlya deformirovaniya obrazcov pri osveschenii monohromaticheskim svetom // Patent IDP. — RUz 2000450, 2002. — 5 p.
Karimov M., Sultonov Sh. D. // FerPI nauchnotehnicheskij zhurnal. — 2004. — No. 2. — P. 20–23.
Bobrova E. A., Klevkov Yu. V., Med vedev S. A., Plotnikov A. F. Issledovanie glubokih elektro nnyh sostoyanij v teksturirovannyh polikristallah p-CdTe stehiometricheskogo sostava metodom DLTS // FTP. — 2002. — Vol. 36, vyp. 12. — P. 1426–1431.
Vajtkus Yu. Yu., Rasulov R. Ya., Ota zhonov S. M., Oripov U. // «Poverhnost’» Rent genovskie sinhronnye i nejtronnye issle dovaniya AN Rossii. — M.: «Nauka». — 1999.— No. 3. — P. 44–49.
Baranskij P. I., Klochkov V. P., Potykevich V. I. Poluprovodnikovaya elektronika. Svojstva materialov. Spravochnik. — K.: Naukova dumka, 1975. — 704 p.
Otazhonov S. M., Usmonov Ya. Ustrojstvo dlya deformirovaniya obrazcov pri osveschenii monohromaticheskim svetom // Patent IDP. — RUz 2000450, 2002. — 5 p.
Karimov M., Sultonov Sh. D. // FerPI nauchnotehnicheskij zhurnal. — 2004. — No. 2. — P. 20–23.
Bobrova E. A., Klevkov Yu. V., Med vedev S. A., Plotnikov A. F. Issledovanie glubokih elektro nnyh sostoyanij v teksturirovannyh polikristallah p-CdTe stehiometricheskogo sostava metodom DLTS // FTP. — 2002. — Vol. 36, vyp. 12. — P. 1426–1431.
Vajtkus Yu. Yu., Rasulov R. Ya., Ota zhonov S. M., Oripov U. // «Poverhnost’» Rent genovskie sinhronnye i nejtronnye issle dovaniya AN Rossii. — M.: «Nauka». — 1999.— No. 3. — P. 44–49.
Опубліковано
2017-07-19
Як цитувати
Жураев, Н., Халилов, М., Отажонов, С., & Алимов, Н. (2017). Фоточутливість і механізм протікання струму в гетероструктурах p-CdTe-SiO2-Si з глибокими домішковими рівнями. Журнал фізики та інженерії поверхні, 2(1), 26 - 29. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8738
Розділ
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.