Photosensitivity and current flow mechanism in p-CdTe-SiO2-Si heterostructures with deep impurity levels

Н. Жураев Ферганский филиал Ташкентского университета информационных технологий
М. Халилов Ферганский филиал Ташкентского университета информационных технологий
С. Отажонов Ферганский государственный университет
Н. Алимов Ферганский филиал Ташкентского университета информационных технологий

Keywords: picosecond photoconductivity, semiconductor film, recombination, generation, photovoltage, photosensitivity

Abstract

The photosensitivity and the current flow mechanism in low-dimensional p-CdTe-SiO2-Si heterostructures with deep impurity levels are studied. A picosecond photoconductivity was detected, which indicates the presence of a large concentration of surface recombination centers in CdTe films.

Downloads

Download data is not yet available.

Author Biographies

Н. Жураев, Ферганский филиал Ташкентского университета информационных технологий

с.н.с.

М. Халилов, Ферганский филиал Ташкентского университета информационных технологий

с.н.с.

С. Отажонов, Ферганский государственный университет

с.н.с.

Н. Алимов, Ферганский филиал Ташкентского университета информационных технологий

с.н.с.

References

Otazhonov S. M. Fotochuvstvitel’nost’ AFNplenok v geterostrukture iz SdTe-SiO2-Si pod dejstviem vneshnego elektricheskogo polya // Fizicheskaya inzheneriya poverhnosti. — 2004. — Vol. 2, No. 1–2. — P. 28–31.

Baranskij P. I., Klochkov V. P., Potykevich V. I. Poluprovodnikovaya elektronika. Svojstva materialov. Spravochnik. — K.: Naukova dumka, 1975. — 704 p.

Otazhonov S. M., Usmonov Ya. Ustrojstvo dlya deformirovaniya obrazcov pri osveschenii monohromaticheskim svetom // Patent IDP. — RUz 2000450, 2002. — 5 p.

Karimov M., Sultonov Sh. D. // FerPI nauchnotehnicheskij zhurnal. — 2004. — No. 2. — P. 20–23.

Bobrova E. A., Klevkov Yu. V., Med vedev S. A., Plotnikov A. F. Issledovanie glubokih elektro nnyh sostoyanij v teksturirovannyh polikristallah p-CdTe stehiometricheskogo sostava metodom DLTS // FTP. — 2002. — Vol. 36, vyp. 12. — P. 1426–1431.

Vajtkus Yu. Yu., Rasulov R. Ya., Ota zhonov S. M., Oripov U. // «Poverhnost’» Rent genovskie sinhronnye i nejtronnye issle dovaniya AN Rossii. — M.: «Nauka». — 1999.— No. 3. — P. 44–49.