Електрофізичні властивості супрамолекулярних ансамблів InSe<CH4N2S>, InSe<FeSO4> ТА InSe<CH4N2S<FeSO4>>

  • Ф. О. Іващишин Національний університет «Львівська політехніка»
  • І. І. Григорчак Національний університет «Львівська політехніка»
  • Д. В. Матулка Національний університет «Львівська політехніка»
Ключові слова: InSе, CH4N2S, FeSO4, інтеркаляція, імпедансна спектроскопія

Анотація

У роботі представлені результати досліджень електропровідних властивостей супрамолекулярних ансамблів InSe<CH4N2S>, InSe<FeSO4> та InSe<CH4N2S<FeSO4>> в залежності від ступеня ієрархізації гостьового контенту. Зокрема показано, що впровадження тіосечовини між шари монокристала InSe приводить до 3-кратного зменшення дійсної частини комплексного питомого опору інтеркалату. Розрахунки показали, що саме впровадження тіосечовини приводить до значних змін: густини станів на рівні Фермі, довжини перескоку і розкиду пасткових центрів. Підтвердження розрахунків отримано при вимірюванні струмів термостимульованої деполяризації. Натомість впровадження сульфату заліза (ІІ) приводить до появи явища «від’ємної ємності» при освітленні, що відкриває перспективу створення фотокерованих ліній затримки. Натомість коінтеркаляція тіосечовини та сульфату заліза (ІІ) нівелює перелічені вище ефекти. Також досліджено магнето- та фоточутливість отриманих інтеркалатів.

 

 

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Біографії авторів

Ф. О. Іващишин, Національний університет «Львівська політехніка»
с.н.с.
І. І. Григорчак, Національний університет «Львівська політехніка»
с.н.с.
Д. В. Матулка, Національний університет «Львівська політехніка»
с.н.с.

Посилання

Slack G. A. New materials and performance limits for thermoelectric cooling, in CRC handbook of thermoelectrics (ed: D. M. Rowe) // CRC Press, Boca Raton. — 1995. — Р. 407–440.

Slack G. A. Design concepts for improved thermoelectric materials (ed T. M. Tritt, M. G. Kanatzidis, H. B. Lyon Jr and G. D. Mahan)// Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Warrendale. — Pennsylvania: MRS Press. — 1997. — Vol. 478. — Р. 47–54.

Шевельков А. В. Аномально низкая теплопроводность и термоэлектрические свойства новых катионных клатратов в системе Sn-In-As-I / А. В. Шевельков, Е. А. Кельм, А. В. Оленев, В. А. Кульбачинский, В. Г. Кытин // Физика и техника полупроводников. — 2011. — Т. 45. — С. 1454–1458.

Борщ Н. А. Электронная структура Znзамещенных германиевых клатратов / Н. А. Борщ, Н. С. Перславцева, С. И. Курганский // Физика и техника полупроводников. — 2009. — Т. 43, вып. 5. — С. 590–594.

Moustafa Sh. Ibrahim. Etaiw Supramolecular host-guest systems as frameworks for excitation energy transfer / Sh. Ibrahim. Moustafa, El-din H. Safaa // Spectrochimica Acta. — 2002. — Part A 58. — Р. 373–378.

Bishchaniuk T. M. Colossal magnetocapacitance effect at room temperature / T. M. Bishchaniuk, I. I. Grygorchak // Applied Physics Letters. — 2014. — Vol. 104. — P. 203104-1–203104-3.

Puzzarini C. Molecular Structure of Thiourea / C. Puzzarini // J. Phys. Chem. A. — 2012. — Vol. 116. — P. 4381−4387.

Jones M. J. Molecular dynamics of cyclohexane guest molecules in the cyclohexane / thiourea inclusion compound: an incoherent quasielastic neutron scattering investigation / M. J. Jones, F. Guillaume, K. D. M. Harris, A. E. Aliev, P. Girard, A. -J. Dianoux // Molecular Physics. — 1998. — Vol. 93. — P. 545–554.

Pluta T. Electric properties of urea and thiourea / T. Pluta, A. J. Sadlej // J. Chem. Phys. — 2001. — Vol. 114. — P. 136–146.

Seidell, Atherton, Linke, William F. Solubilities of Inorganic and Organic Compounds (2nd ed.) // NY: D. Van Nostrand Company, 1919. — 343 p.

Lies R. M. A. III–VI Compounds / R. M. A. Lies // Preparation and cryst. growth material with layered structure. — Dordrecht-Boston, 1977. — P. 225–254.

Friend R. H. Electronic Properties of intercalation complexes of the transition metal dichalcogenides / R. H. Friend, A. D. Yoffe // Adv. Phys. — 1987. — Vol. 1. — P. 1–94.

Grygorchak Ivan. Intercalated Nanostructure Con sisting of Inorganic Receptor and Organic Ambipolar Semiconductor / Ivan Grygorchak, Fedir Ivashchyshyn, Pavlo Stakhira, Renji R. Reghu, Vladyslav Cherpak, and Juozas Vidas Grazulevicius // Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics. — 2013. — Vol. 8. — P. 1–5.

Стойнов З. Б. Электрохимический импеданс / З. Б. Стойнов, Б. М. Графов, Б. СавоваСтойнова, В. В. Елкин. — Москва: Наука, 1991. — 336 с.

Impedance spectroscopy. Theory, experiment and application / Ed. E. Barsoukov and J. R. Macdonald // Wiley interscience (Canada), 2005. — 585 р.

Алешкин В. Я. Примесные резонансные состояния в полупроводниках / В. Я. Алешкин, Л. В. Гавриленко, М. А. Одноблюдов, И. Н. Яссиевич // Физика и техника полупроводников. — 2008. — Т. 42. — С. 899–922.

Роllak M. Low frequency conductivity due to hopping processes in silicon / M. Роllak, T. H. Geballe // Phys. Rev. — 1961. — Vol. 6. — Р. 1743–1753.

Bisquert J., Randriamahazaka H., GarciaBelmonte G. Inductive behaviour by chargetransfer and relaxation in solid-state electrochemistry / J. Bisquert, H. Randriamahazaka, G. Garcia-Belmonte // Electrochimica Acta. — 2005. — Vol. 51. — P. 627–640.

Mora-Sero I. Implications of the Negative Capacitance Observed at Forwars Bias in Nanocomposite and Polycrystalline Solar Cells / I. Mora-Sero, J. Bisquert // Nano Letters. — 2006. — Vol. 6. — No. 4. — Р. 640–650.
Опубліковано
2017-07-19
Як цитувати
Іващишин, Ф. О., Григорчак, І. І., & Матулка, Д. В. (2017). Електрофізичні властивості супрамолекулярних ансамблів InSe<CH4N2S>, InSe<FeSO4> ТА InSe<CH4N2S<FeSO4>&gt;. Журнал фізики та інженерії поверхні, 2(1), 4 - 11. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8734

Найбільш популярні статті цього автора (авторів)