Формування та властивості МСМ-41 з інкапсульованим в його пори β-циклодекстрином, FeSO4 та їх кавітатом
Ключові слова:
нанопориста матриця МСМ-41, β-циклодекстрин, система «господар-гість», іє рархічна архітектура, імпеданс, діаграми Найквіста, діелектрична проникність, тангенс кута електричних втрат, термостимульована деполяризація
Анотація
Представлено результати досліджень характеристик пористої кремнеземної матриці МСМ-41 з інкапсульованим в її пори β-циклодекстрином (β-СD) в квітандному та кавітатному (з FeSO4) cтані. Встановлено характер змін частотної дисперсії імпедансу, тангенса кута електричних втрат та діелектричної проникності синтезованих інкапсулатів при нагріванні, освітленні та в магнітному полі. За даними термостимульованої деполяризації аналізуються відмінності в мо дифікації домішкового спектру, спричиненої різним видом гостьового контенту. Знайдено умо ви, при яких синтезовані наногібриди можуть виявитися цікавими з точки зору формування структур квантових акумуляторів електричної енергії та ємнісних головок для зчитування ін формації з магнітних носіїв.
Завантаження
##plugins.generic.usageStats.noStats##
Посилання
Барышников С. В., Чарная Е. В., Милинский А. Ю., Патрушев Ю. В. Фазовые переходы в KNO3, введенном в поры регулярной на но раз мерной пленки МСМ-41 // ФТТ. — 2013. — Т. 55, вып. 12. — С. 2439—2443.
Барышников С. В., Чарная Е. В., Милин ский А. Ю., Стукова Е. В., Tien C., Bohlmann W., Michel D. Диэлектрические свой ства смешан ных сегнетоэлектриков NaNO2 — KNO3 в нанопористых силикатных матрицах // ФТТ. — 2010. — Т. 51, вып. 6. — С. 1172—1176.
Жигалина О. М., Воротилов К. А., Кускова А. Н., Сигов А. С. Электронная микроскопия наноструктур титаната бария-стронция в матрице оксида алюминия // ФТТ. — 2009. — Т. 51, вып. 7. — С. 1400—1402.
Барышников С. В., Чарная Е. В., Стукова Е. В., Милинский А. Ю., Tien C. Ди элек три че с кие исследования нанопористых пле нок ок сида алюминия, заполненых се г не товою солью // ФТТ. — 2010. — Т. 52, вып. 7. — С. 1347—1350.
Данишевский А. М., Макарова Т. Л., Ситни ко ва А. А., Шанина Б. Д. Характеристики магнетизма в нанопористом углероде скластерами палладия // ФТТ. — 2011. — Т. 53, вып. 5. — С. 956—963.
Бухтиярова Г. А., Мартьяно О. Н., Якушкин С. С., Шуваева М. А., Баюков О. А. Со стояние железа в наночастицах, полученых методом пропитки силикагеля и оксида алю миния рас твором FeSO4// ФТТ. — 2010. — Т. 52, вып. 4. — С. 771—781.
Ивичева С. Н., Каргин Ю. Ф., Овченков Е. А., Кокшаров Ю. А., Юрков Г. Ю. Свойс т ва 3D — композитов на основе опаловых матриц и магнитных наночастиц // ФТТ. — 2011. — Т. 53, вып. 6. — С. 1053—1058.
Комогорцев С. В., Патрушева Т. Н., Балаев Д. А., Денисова Е. А., Пономаренко И. В. На ночастицы кобальтого феррита на основе ме зопористого диоксида кремния // Письма в ЖТФ. — 2009. — Т. 35, вып. 19. — С. 6—11.
Панова Г. Х., Никонов А. А., Набережнов А. А., Фокин А. В. Сопротивление и магнитная восприимчивость сверхпроводящегосвинца, внедренного в нанометровые поры сте кла // ФТТ. — 2009. — Т. 51, вып. 51. — С. 2098—2101.
Барышнико С. В., Tien С., Чарная Е. В., Lee M. K., Michel D., Bohlmann W., Ан дріянова Н. П. Диэлектрические и ЯМР-иссле дования суперионного проводника AgI вне дренного в мезопористые силикатные матрицы // ФТТ. — 2008. — Т. 50, вып. 7. — С. 1290—1294.
Choy J. H., Kwon S. J., Park G. S. High-tc su perconductors in the two-dimensional limit: [(PYCNH2N + 1)2HGI4]-Bi2Sr2Cam − 1CUmOy (m = 1 and 2) // Science. —1998. — Vol. 280, No. 5369. — Р. 1589—1592.
Choy J. H., Kwak S. Y., Park J. S., Jeong Y. J., Portier J. Intercalative Nanohybrids of Nu cleoside Monophosphates and DNA in Layered Metal Hydroxide // J. Am. Chem. Soc. —1999. — Vol. 121, No. 6. — Р. 1399—1400.
Grygorchak I. I., Seredyuk B. O., Tov styuk K. D., Bakhmatyuk B. P. High frequency capa ci tor nanostructure formation by intercalation // New Trends in Intercalation Compounds for Ener gy Storage. — Paris: Kluwer acad. publ. — 2002. — С. 543—545.
Voitovych S. A., Grygorchak I. I., Ak si men tye va O. I. Lateral semiconductive and polymer con du ctive nanolayered structures: preparation, pro perties and application // Mol. Cryst. Liq. Cryst. — 2008. — Vol. 497, No. 1. — P. 55—64.
Jin-Ho Choy, Seung-Min Peak, Jae-Min Oh, Eue-Soon Jang. Intercalative route to he te ro structured nanohybrids // Current Applied Phy sics. — 2002. — Vol. 2, No. 6 — P. 489— 495.
Лен Ж.-М. Супрамолекулярная химия. Концепции и перспективы / пер. с англ. — Новосибирск: Наука. Сиб. предприятие РАН, 1998. — С. 334. 17. Стид Дж. В. Этвуд Дж. Л. Супрамолекулярная химия /пер. с англ. — М: ИКЦ «Академкнига», 2007. — С. 896.
Elhabiri M., Albrecht-Gary A-M. Sup ra mo lecu lar edifices and switches based on metals // Co ordination Chemistry Reviews. — 2008. — Vol. 252, No. 10—11. — Р. 1079—1092.
Xuefeng Guo, Min Lai, Yan Kong, Weiping Ding, Qijie Yan and Peter C. T. Novel Co as sem bly Route to Cu−SiO2 MCM-41-like Mesoporous Materials// Langmuir. — 2004. — Vol. 20, No. 7. — P. 2879—2882.
Черных Е. В., Бричкин С. Б. Супрамолекуляр ные комплексы на основе циклодекстринов // Химия высоких энергий. — 2010. — Т. 44, № 2. — С. 115—133.
Войнов Ю. П., Габитова Н. Ф., Горкелик В. С., Свербиль П. П. Вторичное излучение син тетического опала, заполненого нит ри том натрия // ФТТ. — 2009. — Т. 51, вып. 7. — С. 1333—1337.
Белякова Л. А., Ляшенко Д. Ю., Гребенюк А. Г., Дзюбенко Л. С. Комплексы вклю че ния «β-циклодекстрин – бензолкарбоновая кислота»: стехиометрия, термодинамика ком плексообразования, устойчивость, термо стабильность // Поверхность. — 2009. — Т. 16, вып. 1. — С. 58—69.
Роllak M., Geballe T. H. Low frequency conduc tivity due to hopping processes in silicon // Phys. Rev. — 1961. — Vol. 122, No. 6. — P. 1742—1753.
Олехнович Н. М., Мороз И. И., Пушкарев А. В., Радюш Ю. В., Салак А. Н., Вышатко Н. П., Ferreira V. M. Температурная импеданс-спектроскопия твердых растворов (1 – x)Na1/2Bi1/2TiO3 – xLaMg1/2Ti1/2O3 // ФТТ. — 2008. — Т. 50, вып. 3. — С. 472—478.
Григорчак І. І., Іващишин Ф. О., Григорчак О. І., Матулка Д. В. Інтеркалатні на ностру к тури з ієрархічною супрамолекулярною ар хітектурою: отримання, властивості, за стосування // ФІП. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 284—292.
Bisquert J., Randriamahazaka H., Garcia-Belmon te G. Inductive behaviour by charge-transfer and relaxation in solid-state electrochemistry // Electrochimica Acta. — 2005. — Vol. 51, No. 4. — P. 627— 640.
Болтаев А. П., Бурбаев Т. М., Курбашов В.А., Рзаев М. М., Пенин Н. А., Сибельдин Н. Н. Эффекты накопления заряда и отрицательная емкость в гетероструктурах на основе кремния // Известия АН РФ. Серия физическая. — 1999. — Т 63, № 2. — С. 312—316.
Пенин Н. А Отрицательная емкость в полупроводниковых структурах // ФТП. — 1996. — Т. 30, вып. 4. — С. 626—634.
Болтаев А. П., Бурбаев Т. М., Калюжная Г. А., Курбашов В. А., Пенин Н. А. Отрицательная емкость в гетероструктурах Ni-TiO2-p-Si // Микроэлектроника. — 1995. — Т. 24, № 4. — С. 291—294.
Поклонский Н. А., Шпаковский С. В., Горбачук Н. И., Ластовский С. Б. Отрицательная емкость (импеданс индуктивного типа) крем ниевых р+ - n переходов, облученных быстрыми электронами // ФТП. — 2006. — Т. 40, вып. 7. — С. 824—828.
Mora-Sero I., Bisquert J., Fabregat-Santiago F., Garcia-Belmonte G. etc. Implications of the Negative Capacitance Observed at Forwars Bias in Nanocomposite and Polycrystalline Solar Cells // Nano Letters. — 2006. — Vol. 6, No. 4. — Р. 640—650.
Сесслер Г. Электреты. — М.: Мир, 1983. — 487 с.
Фридкин В. М. Сегнетоэлектрики — полупроводники. — М.: Наука, 1976. — 408 с. 34. Фридкин В. М. Фотосегнетоэлектрики — М.: Наука, 1979. — 204 с.
Каширининов П. Г, Карпенко В. П., Матвеев О. А. Фотоэлектретный эффект на полупроводниковых материалах // ФТП. — 1971. — Т. 5, вып. 1. — С. 62—68.
Мирзаев З. И., Набиев Г. А., Эргашов К. М. Фо тоэлектретное состояние без внешнего по ляризующего поля в однородных полупроводниках // ФИП. – 2008. — Т. 6, № 1—2. — С. 65—68.
Okutan M., Basaran E., Bakan H. I., Ya ku phanoglu F. AC conductivity and dielectric properties of Co-doped TiO2 // Physica B: Condensed Matter. — 2005. — Vol. 364, No. 1—4. — Р. 300—305.
Жуковський П. В., Партика Я., Венгерок П., Шостак Ю., Сидоренко Ю., Родзик А. Диэ лектрические свойства соединений Cd1 –xFexSe // ФТП. — 2000. — Т. 34, No. 10. — С. 1174—1177.
Тареев Б. М. Физика диэлектрических материалов. — М.: Энергия, — 1973. — 328 с.
Jonscher A. K. The «universal» dielectric response // Nature. — 1977. — Vol. 267, No. 5613. — P. 673—679.
Мотт Н., Девис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. — М.: Мир, 1982. — 662 с.
Нагаїв Э. Л. Малые металлические частицы // УФН. — 1992. — Т. 162, № 9, С. 49—124. 43. Болтаев А. П., Пудонин Ф. А. Аномально высокая низкочастотная эффективная диэлектрическая проницаемость в системе металлических наноостровов // ЖЭТФ. — 2008. — Т. 134, вып. 3. — C. 587—594.
Беляев Б. А., Дрокин Н. А. Cпектры им педан са тонких пермаллоевых пленок с наноос тровковой структурой // ФТТ. — 2012. — Т. 54, вып. 2. — С. 340—346.
Кастро Р. А., Онисимова Н. И., Бордовский В. А., Грабко Г. И. Влияние легирующей добавки на диэлектрические свойства модифицированого As2Se3 // ФТТ. — 2011. — Т. 53, вып. 3. — С. 430—432.
Гавриляченко В. Г., Кабиров Ю. В., Панченко Е. М., Ситало Е. И., Гавриляченко Т. В., Милов Е. В., Лянгузов Н. В. Особености диэлектрического спектра CaCu3Ti4O12 в низкочастотном диапазоне // ФТТ. — 2013. — Т. 55, вып. 8. — С. 1540—1543.
Анисимова Н. И., Бордовский В. А., Грабко В. И., Кастро Р. А. Особенности фотодиэлектрического эффекта в слоях α-As2Se3 // Письма в ЖТФ, 2013. — Т. 39, вып. 2. — С. 1—6.
Impedance spectroscopy. Theory, experiment and application / Ed. by Barsoukov E. and Macdonald J. R. — Canada: Wiley interscience, 2005. — 585 p.
Luryi S. Quantum capacitance devices // Appl. Phys. Lett. — 1988. — Vol. 52, No. 6, P. 501— 503. 50. Смоленский Г. А., Чупис И. Е. Сегнетомагне тики // УФН. — 1982. — Т. 137, вып. 3. — С. 415—448.
KimuraT., Goto T., Shintani H., Ishizaka K., Arima T., Tokura Y. Magnetic control of ferro electric polarization // Nature. — 2003. — Vol. 426, No. 6962. — P. 55—58.
Демин Р. В., Королева Л. И., Муминов А. З., Муковский Я. М. Гигантская объемная магнитострикция и колоссальное магнитосопротивление при комнатных температурах в La0,7Ba0,3MnO3 // ФТТ. — 2006. — Т. 48, вып. 2. — С. 305—307.
Барышников С. В., Чарная Е. В., Милин ский А. Ю., Стукова Е. В., Tien C., Bohlmann W., Michel D. Диэлектрические свой ства смешан ных сегнетоэлектриков NaNO2 — KNO3 в нанопористых силикатных матрицах // ФТТ. — 2010. — Т. 51, вып. 6. — С. 1172—1176.
Жигалина О. М., Воротилов К. А., Кускова А. Н., Сигов А. С. Электронная микроскопия наноструктур титаната бария-стронция в матрице оксида алюминия // ФТТ. — 2009. — Т. 51, вып. 7. — С. 1400—1402.
Барышников С. В., Чарная Е. В., Стукова Е. В., Милинский А. Ю., Tien C. Ди элек три че с кие исследования нанопористых пле нок ок сида алюминия, заполненых се г не товою солью // ФТТ. — 2010. — Т. 52, вып. 7. — С. 1347—1350.
Данишевский А. М., Макарова Т. Л., Ситни ко ва А. А., Шанина Б. Д. Характеристики магнетизма в нанопористом углероде скластерами палладия // ФТТ. — 2011. — Т. 53, вып. 5. — С. 956—963.
Бухтиярова Г. А., Мартьяно О. Н., Якушкин С. С., Шуваева М. А., Баюков О. А. Со стояние железа в наночастицах, полученых методом пропитки силикагеля и оксида алю миния рас твором FeSO4// ФТТ. — 2010. — Т. 52, вып. 4. — С. 771—781.
Ивичева С. Н., Каргин Ю. Ф., Овченков Е. А., Кокшаров Ю. А., Юрков Г. Ю. Свойс т ва 3D — композитов на основе опаловых матриц и магнитных наночастиц // ФТТ. — 2011. — Т. 53, вып. 6. — С. 1053—1058.
Комогорцев С. В., Патрушева Т. Н., Балаев Д. А., Денисова Е. А., Пономаренко И. В. На ночастицы кобальтого феррита на основе ме зопористого диоксида кремния // Письма в ЖТФ. — 2009. — Т. 35, вып. 19. — С. 6—11.
Панова Г. Х., Никонов А. А., Набережнов А. А., Фокин А. В. Сопротивление и магнитная восприимчивость сверхпроводящегосвинца, внедренного в нанометровые поры сте кла // ФТТ. — 2009. — Т. 51, вып. 51. — С. 2098—2101.
Барышнико С. В., Tien С., Чарная Е. В., Lee M. K., Michel D., Bohlmann W., Ан дріянова Н. П. Диэлектрические и ЯМР-иссле дования суперионного проводника AgI вне дренного в мезопористые силикатные матрицы // ФТТ. — 2008. — Т. 50, вып. 7. — С. 1290—1294.
Choy J. H., Kwon S. J., Park G. S. High-tc su perconductors in the two-dimensional limit: [(PYCNH2N + 1)2HGI4]-Bi2Sr2Cam − 1CUmOy (m = 1 and 2) // Science. —1998. — Vol. 280, No. 5369. — Р. 1589—1592.
Choy J. H., Kwak S. Y., Park J. S., Jeong Y. J., Portier J. Intercalative Nanohybrids of Nu cleoside Monophosphates and DNA in Layered Metal Hydroxide // J. Am. Chem. Soc. —1999. — Vol. 121, No. 6. — Р. 1399—1400.
Grygorchak I. I., Seredyuk B. O., Tov styuk K. D., Bakhmatyuk B. P. High frequency capa ci tor nanostructure formation by intercalation // New Trends in Intercalation Compounds for Ener gy Storage. — Paris: Kluwer acad. publ. — 2002. — С. 543—545.
Voitovych S. A., Grygorchak I. I., Ak si men tye va O. I. Lateral semiconductive and polymer con du ctive nanolayered structures: preparation, pro perties and application // Mol. Cryst. Liq. Cryst. — 2008. — Vol. 497, No. 1. — P. 55—64.
Jin-Ho Choy, Seung-Min Peak, Jae-Min Oh, Eue-Soon Jang. Intercalative route to he te ro structured nanohybrids // Current Applied Phy sics. — 2002. — Vol. 2, No. 6 — P. 489— 495.
Лен Ж.-М. Супрамолекулярная химия. Концепции и перспективы / пер. с англ. — Новосибирск: Наука. Сиб. предприятие РАН, 1998. — С. 334. 17. Стид Дж. В. Этвуд Дж. Л. Супрамолекулярная химия /пер. с англ. — М: ИКЦ «Академкнига», 2007. — С. 896.
Elhabiri M., Albrecht-Gary A-M. Sup ra mo lecu lar edifices and switches based on metals // Co ordination Chemistry Reviews. — 2008. — Vol. 252, No. 10—11. — Р. 1079—1092.
Xuefeng Guo, Min Lai, Yan Kong, Weiping Ding, Qijie Yan and Peter C. T. Novel Co as sem bly Route to Cu−SiO2 MCM-41-like Mesoporous Materials// Langmuir. — 2004. — Vol. 20, No. 7. — P. 2879—2882.
Черных Е. В., Бричкин С. Б. Супрамолекуляр ные комплексы на основе циклодекстринов // Химия высоких энергий. — 2010. — Т. 44, № 2. — С. 115—133.
Войнов Ю. П., Габитова Н. Ф., Горкелик В. С., Свербиль П. П. Вторичное излучение син тетического опала, заполненого нит ри том натрия // ФТТ. — 2009. — Т. 51, вып. 7. — С. 1333—1337.
Белякова Л. А., Ляшенко Д. Ю., Гребенюк А. Г., Дзюбенко Л. С. Комплексы вклю че ния «β-циклодекстрин – бензолкарбоновая кислота»: стехиометрия, термодинамика ком плексообразования, устойчивость, термо стабильность // Поверхность. — 2009. — Т. 16, вып. 1. — С. 58—69.
Роllak M., Geballe T. H. Low frequency conduc tivity due to hopping processes in silicon // Phys. Rev. — 1961. — Vol. 122, No. 6. — P. 1742—1753.
Олехнович Н. М., Мороз И. И., Пушкарев А. В., Радюш Ю. В., Салак А. Н., Вышатко Н. П., Ferreira V. M. Температурная импеданс-спектроскопия твердых растворов (1 – x)Na1/2Bi1/2TiO3 – xLaMg1/2Ti1/2O3 // ФТТ. — 2008. — Т. 50, вып. 3. — С. 472—478.
Григорчак І. І., Іващишин Ф. О., Григорчак О. І., Матулка Д. В. Інтеркалатні на ностру к тури з ієрархічною супрамолекулярною ар хітектурою: отримання, властивості, за стосування // ФІП. — 2010. — Т. 8, № 4. — С. 284—292.
Bisquert J., Randriamahazaka H., Garcia-Belmon te G. Inductive behaviour by charge-transfer and relaxation in solid-state electrochemistry // Electrochimica Acta. — 2005. — Vol. 51, No. 4. — P. 627— 640.
Болтаев А. П., Бурбаев Т. М., Курбашов В.А., Рзаев М. М., Пенин Н. А., Сибельдин Н. Н. Эффекты накопления заряда и отрицательная емкость в гетероструктурах на основе кремния // Известия АН РФ. Серия физическая. — 1999. — Т 63, № 2. — С. 312—316.
Пенин Н. А Отрицательная емкость в полупроводниковых структурах // ФТП. — 1996. — Т. 30, вып. 4. — С. 626—634.
Болтаев А. П., Бурбаев Т. М., Калюжная Г. А., Курбашов В. А., Пенин Н. А. Отрицательная емкость в гетероструктурах Ni-TiO2-p-Si // Микроэлектроника. — 1995. — Т. 24, № 4. — С. 291—294.
Поклонский Н. А., Шпаковский С. В., Горбачук Н. И., Ластовский С. Б. Отрицательная емкость (импеданс индуктивного типа) крем ниевых р+ - n переходов, облученных быстрыми электронами // ФТП. — 2006. — Т. 40, вып. 7. — С. 824—828.
Mora-Sero I., Bisquert J., Fabregat-Santiago F., Garcia-Belmonte G. etc. Implications of the Negative Capacitance Observed at Forwars Bias in Nanocomposite and Polycrystalline Solar Cells // Nano Letters. — 2006. — Vol. 6, No. 4. — Р. 640—650.
Сесслер Г. Электреты. — М.: Мир, 1983. — 487 с.
Фридкин В. М. Сегнетоэлектрики — полупроводники. — М.: Наука, 1976. — 408 с. 34. Фридкин В. М. Фотосегнетоэлектрики — М.: Наука, 1979. — 204 с.
Каширининов П. Г, Карпенко В. П., Матвеев О. А. Фотоэлектретный эффект на полупроводниковых материалах // ФТП. — 1971. — Т. 5, вып. 1. — С. 62—68.
Мирзаев З. И., Набиев Г. А., Эргашов К. М. Фо тоэлектретное состояние без внешнего по ляризующего поля в однородных полупроводниках // ФИП. – 2008. — Т. 6, № 1—2. — С. 65—68.
Okutan M., Basaran E., Bakan H. I., Ya ku phanoglu F. AC conductivity and dielectric properties of Co-doped TiO2 // Physica B: Condensed Matter. — 2005. — Vol. 364, No. 1—4. — Р. 300—305.
Жуковський П. В., Партика Я., Венгерок П., Шостак Ю., Сидоренко Ю., Родзик А. Диэ лектрические свойства соединений Cd1 –xFexSe // ФТП. — 2000. — Т. 34, No. 10. — С. 1174—1177.
Тареев Б. М. Физика диэлектрических материалов. — М.: Энергия, — 1973. — 328 с.
Jonscher A. K. The «universal» dielectric response // Nature. — 1977. — Vol. 267, No. 5613. — P. 673—679.
Мотт Н., Девис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. — М.: Мир, 1982. — 662 с.
Нагаїв Э. Л. Малые металлические частицы // УФН. — 1992. — Т. 162, № 9, С. 49—124. 43. Болтаев А. П., Пудонин Ф. А. Аномально высокая низкочастотная эффективная диэлектрическая проницаемость в системе металлических наноостровов // ЖЭТФ. — 2008. — Т. 134, вып. 3. — C. 587—594.
Беляев Б. А., Дрокин Н. А. Cпектры им педан са тонких пермаллоевых пленок с наноос тровковой структурой // ФТТ. — 2012. — Т. 54, вып. 2. — С. 340—346.
Кастро Р. А., Онисимова Н. И., Бордовский В. А., Грабко Г. И. Влияние легирующей добавки на диэлектрические свойства модифицированого As2Se3 // ФТТ. — 2011. — Т. 53, вып. 3. — С. 430—432.
Гавриляченко В. Г., Кабиров Ю. В., Панченко Е. М., Ситало Е. И., Гавриляченко Т. В., Милов Е. В., Лянгузов Н. В. Особености диэлектрического спектра CaCu3Ti4O12 в низкочастотном диапазоне // ФТТ. — 2013. — Т. 55, вып. 8. — С. 1540—1543.
Анисимова Н. И., Бордовский В. А., Грабко В. И., Кастро Р. А. Особенности фотодиэлектрического эффекта в слоях α-As2Se3 // Письма в ЖТФ, 2013. — Т. 39, вып. 2. — С. 1—6.
Impedance spectroscopy. Theory, experiment and application / Ed. by Barsoukov E. and Macdonald J. R. — Canada: Wiley interscience, 2005. — 585 p.
Luryi S. Quantum capacitance devices // Appl. Phys. Lett. — 1988. — Vol. 52, No. 6, P. 501— 503. 50. Смоленский Г. А., Чупис И. Е. Сегнетомагне тики // УФН. — 1982. — Т. 137, вып. 3. — С. 415—448.
KimuraT., Goto T., Shintani H., Ishizaka K., Arima T., Tokura Y. Magnetic control of ferro electric polarization // Nature. — 2003. — Vol. 426, No. 6962. — P. 55—58.
Демин Р. В., Королева Л. И., Муминов А. З., Муковский Я. М. Гигантская объемная магнитострикция и колоссальное магнитосопротивление при комнатных температурах в La0,7Ba0,3MnO3 // ФТТ. — 2006. — Т. 48, вып. 2. — С. 305—307.
Опубліковано
2017-07-05
Як цитувати
Біщанюк, Т. М., & Григорчак, І. І. (2017). Формування та властивості МСМ-41 з інкапсульованим в його пори β-циклодекстрином, FeSO4 та їх кавітатом. Журнал фізики та інженерії поверхні, 12(2), 169-183. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8585
Розділ
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
