Легування кремнієм і фотоелектричні властивості тонких плівок полуторного сульфіду тулія

  • З. У. Джабуа Департамент физики, Грузинский технический университет
  • М. Г. Тетелошвили Департамент физики, Грузинский технический университет
  • А. В. Гигинеишвили Департамент физики, Грузинский технический университет
Ключові слова: плівка, легування, електроопір, термо ЕРС, фотопровідність, фото ЕРС, донорний рівень, акцепторні рівень

Анотація

Проведено легування тонких плівок θ-Tm2S3 атомами Si. В області температур 90—500 К виміряні температурні залежності питомого електроопору і термо ЕРС легованих плівок. До слідже но спектральні залежності фотопровідності і фото ЕРС в області енергії фотонів 0,2—3,3 еВ. Висловлено припущення, що в процесі фотопровідності істотну роль відіграють акцепторні рівні, утворені вакансіями в катіонній підгратці, при їх компенсації атомами кремнію.

 

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Біографії авторів

З. У. Джабуа, Департамент физики, Грузинский технический университет
с.н.с.
М. Г. Тетелошвили, Департамент физики, Грузинский технический университет
с.н.с.
А. В. Гигинеишвили, Департамент физики, Грузинский технический университет
с.н.с.

Посилання

Gasgnier M. Rare Earth Compounds (Oxides, Sul fides, Silicides, Boron,..) as Thin Films and Crys talls // Phys. Status Solidi A. — 1989. — Vol. 114, No. 11. — P. 11—71.

Verna A. S. Electronic and optical properties of rare-earth chalcogenides and pnictides // Afri can physical review. — 2009. — Vol. 3. — P. 11—29.

Ohta M., Hirai S., Mori T., Nishimura T., Shimakage K. Thermoelectric Properties of Th3P4ty pe Rare-earth Sulfides Ln2S3(Ln = Gd, Tb) pre pared by Reaction of Their Oxides with CS2 // Journal of Aloys and Compunds. — 2007. — Vol. 451, No. 1—2. — P. 627—631.

Ohta M., Hirai S., Kato H, Nishimura T., Uemu ra Y. Termoelectric Properties of Lantanium Sesquisulfides with Ti Additive // Applied Physics Letters. — 2005. — Vol. 87, No. 4. — P. 042106—1—042106—3.

Ohta M., Hirai S., Mori T., Yajima Y., Nishi mura T., Shimakage K. Effect of non-stoi chimetry on the rmoelectric properties of γ-Tb2S3–X // Jou rnal of Aloys and Compunds. — 2006. — Vol. 418, No. 1—2. — P. 209—212.

Кертман А. В. Оптическая сульфидная керамика // Соросовский образовательный журнал. Химия, 2000. — С. 1—6.

Тетелошвили М., Джабуа З. Гигинеишвили А. Технология приготовления тонких плёнок Tm2S3 дискретным испарением // Nano-Stu dies. — 2013. — Vol. 7. — P. 229—232.

Джабуа З. У., Гигинеишвили А. В., Стаматели М. Ю., Давитадзе К. Д., Илуридзе Г. Н. Оптические и фотоэлектрические свойства нелегированных и легированных кадмием и свинцом тонких плёнок полуторного сульфида неодима // ФТТ. — 2006. — Т. 48, № 8, — С. 1397—1401.

Глурджидзе Л. Н., Кехайов Т. Д., Гзиришвили Д. Г., Бжалава Т. Л., Санадзе В. В. Спектры отражения, поглощения, фотопроводимо сти и фото ЭДС тонких плёнок YbS при 300 K // ФТТ. — 1980. — Т. 22. — С. 660—664.

Джабуа З. У. Приготовление, легирование и фи зические свойства тонких плёнок некоторых сульфидов и антимонидов редкоземельных элементов / Диссертация на соискание учё ной степени доктора технических. — Тби лиси, 2005. — 299 с.

Tacer S. M., Gruber I. B. Thermoelectric proper ties of Re compounds // Mat. Res. Bull. — 1981. — Vol. 16. — P. 1407—1500.

Бьюб Р. Фотопроводимость твёрдых тел. — М., ИЛ, 1962. — 256 с.

Голубков А. В., Гончарова Е. В., Жузе В. П., Ло гинов Г. М., Сергеева В. М., Смирнов И. А. Физические свойства халькогенидов ред коземельных элементов. — Л.: Наука, 1973. — 260 с.
Опубліковано
2017-07-05
Як цитувати
Джабуа, З. У., Тетелошвили, М. Г., & Гигинеишвили, А. В. (2017). Легування кремнієм і фотоелектричні властивості тонких плівок полуторного сульфіду тулія. Журнал фізики та інженерії поверхні, 12(2), 232-236. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8601