Doping by silicon and photovoltaic properties of thin thulium sesquisulfide films
Keywords:
film, alloying, resistance, thermo EMF, photoconductivity, photo EMF, donor level, accep tor level
Abstract
The alloying of thin films θ-Tm2S3 is carried out by atoms of Si. In the field of temperatures 90— 500 K temperature dependences of specific resistance and thermo EMF of the alloyed films are mea sured. Spectral dependences of photoconductivity and photo EMF in the field of energy of photons 0.2—3.3 эВ are investigated. It is suggested that in the process of photoconductivity an es sen tial role play acceptor levell, formed by vacancies in a cationic sublattice, at their compensation by atoms of silicon.
Downloads
Download data is not yet available.
References
Gasgnier M. Rare Earth Compounds (Oxides, Sul fides, Silicides, Boron,..) as Thin Films and Crys talls // Phys. Status Solidi A. — 1989. — Vol. 114, No. 11. — P. 11—71.
Verna A. S. Electronic and optical properties of rare-earth chalcogenides and pnictides // Afri can physical review. — 2009. — Vol. 3. — P. 11—29.
Ohta M., Hirai S., Mori T., Nishimura T., Shimakage K. Thermoelectric Properties of Th3P4ty pe Rare-earth Sulfides Ln2S3(Ln = Gd, Tb) pre pared by Reaction of Their Oxides with CS2 // Journal of Aloys and Compunds. — 2007. — Vol. 451, No. 1—2. — P. 627—631.
Ohta M., Hirai S., Kato H, Nishimura T., Uemu ra Y. Termoelectric Properties of Lantanium Sesquisulfides with Ti Additive // Applied Physics Letters. — 2005. — Vol. 87, No. 4. — P. 042106—1—042106—3.
Ohta M., Hirai S., Mori T., Yajima Y., Nishi mura T., Shimakage K. Effect of non-stoi chimetry on the rmoelectric properties of γ-Tb2S3–X // Jou rnal of Aloys and Compunds. — 2006. — Vol. 418, No. 1—2. — P. 209—212.
Кертман А. В. Оптическая сульфидная керамика // Соросовский образовательный журнал. Химия, 2000. — С. 1—6.
Тетелошвили М., Джабуа З. Гигинеишвили А. Технология приготовления тонких плёнок Tm2S3 дискретным испарением // Nano-Stu dies. — 2013. — Vol. 7. — P. 229—232.
Джабуа З. У., Гигинеишвили А. В., Стаматели М. Ю., Давитадзе К. Д., Илуридзе Г. Н. Оптические и фотоэлектрические свойства нелегированных и легированных кадмием и свинцом тонких плёнок полуторного сульфида неодима // ФТТ. — 2006. — Т. 48, № 8, — С. 1397—1401.
Глурджидзе Л. Н., Кехайов Т. Д., Гзиришвили Д. Г., Бжалава Т. Л., Санадзе В. В. Спектры отражения, поглощения, фотопроводимо сти и фото ЭДС тонких плёнок YbS при 300 K // ФТТ. — 1980. — Т. 22. — С. 660—664.
Джабуа З. У. Приготовление, легирование и фи зические свойства тонких плёнок некоторых сульфидов и антимонидов редкоземельных элементов / Диссертация на соискание учё ной степени доктора технических. — Тби лиси, 2005. — 299 с.
Tacer S. M., Gruber I. B. Thermoelectric proper ties of Re compounds // Mat. Res. Bull. — 1981. — Vol. 16. — P. 1407—1500.
Бьюб Р. Фотопроводимость твёрдых тел. — М., ИЛ, 1962. — 256 с.
Голубков А. В., Гончарова Е. В., Жузе В. П., Ло гинов Г. М., Сергеева В. М., Смирнов И. А. Физические свойства халькогенидов ред коземельных элементов. — Л.: Наука, 1973. — 260 с.
Verna A. S. Electronic and optical properties of rare-earth chalcogenides and pnictides // Afri can physical review. — 2009. — Vol. 3. — P. 11—29.
Ohta M., Hirai S., Mori T., Nishimura T., Shimakage K. Thermoelectric Properties of Th3P4ty pe Rare-earth Sulfides Ln2S3(Ln = Gd, Tb) pre pared by Reaction of Their Oxides with CS2 // Journal of Aloys and Compunds. — 2007. — Vol. 451, No. 1—2. — P. 627—631.
Ohta M., Hirai S., Kato H, Nishimura T., Uemu ra Y. Termoelectric Properties of Lantanium Sesquisulfides with Ti Additive // Applied Physics Letters. — 2005. — Vol. 87, No. 4. — P. 042106—1—042106—3.
Ohta M., Hirai S., Mori T., Yajima Y., Nishi mura T., Shimakage K. Effect of non-stoi chimetry on the rmoelectric properties of γ-Tb2S3–X // Jou rnal of Aloys and Compunds. — 2006. — Vol. 418, No. 1—2. — P. 209—212.
Кертман А. В. Оптическая сульфидная керамика // Соросовский образовательный журнал. Химия, 2000. — С. 1—6.
Тетелошвили М., Джабуа З. Гигинеишвили А. Технология приготовления тонких плёнок Tm2S3 дискретным испарением // Nano-Stu dies. — 2013. — Vol. 7. — P. 229—232.
Джабуа З. У., Гигинеишвили А. В., Стаматели М. Ю., Давитадзе К. Д., Илуридзе Г. Н. Оптические и фотоэлектрические свойства нелегированных и легированных кадмием и свинцом тонких плёнок полуторного сульфида неодима // ФТТ. — 2006. — Т. 48, № 8, — С. 1397—1401.
Глурджидзе Л. Н., Кехайов Т. Д., Гзиришвили Д. Г., Бжалава Т. Л., Санадзе В. В. Спектры отражения, поглощения, фотопроводимо сти и фото ЭДС тонких плёнок YbS при 300 K // ФТТ. — 1980. — Т. 22. — С. 660—664.
Джабуа З. У. Приготовление, легирование и фи зические свойства тонких плёнок некоторых сульфидов и антимонидов редкоземельных элементов / Диссертация на соискание учё ной степени доктора технических. — Тби лиси, 2005. — 299 с.
Tacer S. M., Gruber I. B. Thermoelectric proper ties of Re compounds // Mat. Res. Bull. — 1981. — Vol. 16. — P. 1407—1500.
Бьюб Р. Фотопроводимость твёрдых тел. — М., ИЛ, 1962. — 256 с.
Голубков А. В., Гончарова Е. В., Жузе В. П., Ло гинов Г. М., Сергеева В. М., Смирнов И. А. Физические свойства халькогенидов ред коземельных элементов. — Л.: Наука, 1973. — 260 с.
Published
2017-07-05
How to Cite
Джабуа, З. У., Тетелошвили, М. Г., & Гигинеишвили, А. В. (2017). Doping by silicon and photovoltaic properties of thin thulium sesquisulfide films. Journal of Surface Physics and Engineering, 12(2), 232-236. Retrieved from https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8601
Section
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
