Механізм перенесення струму в структурі Al-p-CdTe-Mo З різною товщиною бази

  • Sh. A. Mirsagatov Physical technical institute of the Academy of Sciences of Uzbekistan, Tashkent
  • A. K. Uteniyazov Karakalpak State University, Nukus
Ключові слова: плівка, бар’єр Шотткі, діодна структура

Анотація

У роботі досліджується механізм перенесення струму в структурі Al-p-CdTe-Mo, коли товщина бази w ≤ 10 μm. Наведено результати досліджень вольт-амперних характеристик структури Al-p-CdTe-Mo з різними товщинами бази та впливу товщини бази на механізм перенесення струму. Відповідно для зразків № 1 і № 2 при щільності струму ~8,62∙10–8–4,36∙10–5A/cm2  і ~5,08∙10–7–2,44∙10–5A/cm2 результати отримані по теорії, в якій враховуються тільки дифузійні складові струму і падіння прикладених напруг на товщині бази в діодних структурах. При великій щільності струму ~4,36∙10–5–1,95 A/cm2 і ~2,44∙10–5–3,98 A/cm2, відповідно для зразків № 1 і № 2, результати отримані з теорії дрейфового механізму перенесення струму, що враховує можливість обміну вільними носіями всередині рекомбінаційного комплексу. 

Завантаження

Біографії авторів

Sh. A. Mirsagatov, Physical technical institute of the Academy of Sciences of Uzbekistan, Tashkent
С.н.с.
A. K. Uteniyazov, Karakalpak State University, Nukus
С.н.с.

Посилання

Takahashi T., Watanabe S. // IEEE Trans. Nucl. Sci. — 2001. — Vol. 48. — 950 p.

Watanabe S., Takahashi T., Okada Y., Sato G., Kouda M., Mitani T., Kabayashi Y., Nakazawa K., Kuroda Y., Onishi M. // IEEE Trans. Nucl. Sci. — 2002. — Vol. 49. — 210 p.

Tanaka T., Kabayashi T., Mitani T., Nakazawa K., Oonuki K., Sato G., Takahashi T., Watanabe S. // New Astronomy Reviews. — 2004. — Vol. 48. — 309 p.

Kosyachenko L. A., Sklyarchuk V. M., Maslyan chuk O. L., Grushko E. V., Gnatyuk V. A., Hatanaka Y. Letters to the RUs. — 2006. — Vol. 32, No. 24. — P. 29–37.

Mirsagatov Sh. A., Uteniyazov A. K. Technical Phy sics Letters. — 2012. — Vol. 38, No. 1. — P. 70–76.

Mirsagatov Sh. A., Uteniyazov A. K., Achi lov A. S. // FTT. — 2012. —Vol. 54. — No. 9. — 1643 p.

Zhanabergenov Zh., Mirsagatov Sh. A., Karazhanov S. Zh. Inorganic Materials. — 2005. — Vol. 41. — No. 8. — 915 p.

Sze S., Physics of Semiconductor devices. — Moscow.: «Mir». — 1984. — Vol. 1. — 455 p.

Stafeev V. I. // JTP. — 1958. — Vol. 28. — No. 8. — 1631 p.

Leyderman A. Yu., Minbaeva M. K. // FTP. — 1996. — Vol. 30. — 1729 p.

Leyderman A. Yu. DAN UzSSR. — 1987. — Vol. 7. — 21 p.

Leyderman A. Yu. DAN UzSSR 1989. — Vol. 4. — 25 p.

Sheynkman M. G., Korsunskaya N. E. In: Physics connections A2. / Science, M. — 1986. — Vol. 6. — 109 p.

Leyderman A. Yu. DAN UzSSR. — 1989. — Vol. 1. — 24 p.

Adirovich E. I., Karageorgy-Alkalaev P. M., Leyderman A. Yu. Double injection currents in semiconductors. — M.: Sov. radio, 1978. — 249 p.
Опубліковано
2017-02-24
Як цитувати
Mirsagatov, S. A., & Uteniyazov, A. K. (2017). Механізм перенесення струму в структурі Al-p-CdTe-Mo З різною товщиною бази. Журнал фізики та інженерії поверхні, 13(3), 325 - 329. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8023