Механізм перенесення струму в структурі Al-p-CdTe-Mo З різною товщиною бази

  • Sh. A. Mirsagatov Physical technical institute of the Academy of Sciences of Uzbekistan, Tashkent
  • A. K. Uteniyazov Karakalpak State University, Nukus
Ключові слова: плівка, бар’єр Шотткі, діодна структура

Анотація

У роботі досліджується механізм перенесення струму в структурі Al-p-CdTe-Mo, коли товщина бази w ≤ 10 μm. Наведено результати досліджень вольт-амперних характеристик структури Al-p-CdTe-Mo з різними товщинами бази та впливу товщини бази на механізм перенесення струму. Відповідно для зразків № 1 і № 2 при щільності струму ~8,62∙10–8–4,36∙10–5A/cm2  і ~5,08∙10–7–2,44∙10–5A/cm2 результати отримані по теорії, в якій враховуються тільки дифузійні складові струму і падіння прикладених напруг на товщині бази в діодних структурах. При великій щільності струму ~4,36∙10–5–1,95 A/cm2 і ~2,44∙10–5–3,98 A/cm2, відповідно для зразків № 1 і № 2, результати отримані з теорії дрейфового механізму перенесення струму, що враховує можливість обміну вільними носіями всередині рекомбінаційного комплексу. 

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Біографії авторів

Sh. A. Mirsagatov, Physical technical institute of the Academy of Sciences of Uzbekistan, Tashkent
С.н.с.
A. K. Uteniyazov, Karakalpak State University, Nukus
С.н.с.

Посилання

Takahashi T., Watanabe S. // IEEE Trans. Nucl. Sci. — 2001. — Vol. 48. — 950 p.

Watanabe S., Takahashi T., Okada Y., Sato G., Kouda M., Mitani T., Kabayashi Y., Nakazawa K., Kuroda Y., Onishi M. // IEEE Trans. Nucl. Sci. — 2002. — Vol. 49. — 210 p.

Tanaka T., Kabayashi T., Mitani T., Nakazawa K., Oonuki K., Sato G., Takahashi T., Watanabe S. // New Astronomy Reviews. — 2004. — Vol. 48. — 309 p.

Kosyachenko L. A., Sklyarchuk V. M., Maslyan chuk O. L., Grushko E. V., Gnatyuk V. A., Hatanaka Y. Letters to the RUs. — 2006. — Vol. 32, No. 24. — P. 29–37.

Mirsagatov Sh. A., Uteniyazov A. K. Technical Phy sics Letters. — 2012. — Vol. 38, No. 1. — P. 70–76.

Mirsagatov Sh. A., Uteniyazov A. K., Achi lov A. S. // FTT. — 2012. —Vol. 54. — No. 9. — 1643 p.

Zhanabergenov Zh., Mirsagatov Sh. A., Karazhanov S. Zh. Inorganic Materials. — 2005. — Vol. 41. — No. 8. — 915 p.

Sze S., Physics of Semiconductor devices. — Moscow.: «Mir». — 1984. — Vol. 1. — 455 p.

Stafeev V. I. // JTP. — 1958. — Vol. 28. — No. 8. — 1631 p.

Leyderman A. Yu., Minbaeva M. K. // FTP. — 1996. — Vol. 30. — 1729 p.

Leyderman A. Yu. DAN UzSSR. — 1987. — Vol. 7. — 21 p.

Leyderman A. Yu. DAN UzSSR 1989. — Vol. 4. — 25 p.

Sheynkman M. G., Korsunskaya N. E. In: Physics connections A2. / Science, M. — 1986. — Vol. 6. — 109 p.

Leyderman A. Yu. DAN UzSSR. — 1989. — Vol. 1. — 24 p.

Adirovich E. I., Karageorgy-Alkalaev P. M., Leyderman A. Yu. Double injection currents in semiconductors. — M.: Sov. radio, 1978. — 249 p.
Опубліковано
2017-02-24
Як цитувати
Mirsagatov, S. A., & Uteniyazov, A. K. (2017). Механізм перенесення струму в структурі Al-p-CdTe-Mo З різною товщиною бази. Журнал фізики та інженерії поверхні, 13(3), 325 - 329. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/8023