Особенности взаимодействия ускоренных ионов С60 с поверхностью ITO мишени

  • М. В. Малеев Национальный технический университет «Харьковский политехнический институт»
  • Е. Н. Зубарев Национальный технический университет «Харьковский политехнический институт»
  • В. Е. Пуха Национальный технический университет «Харьковский политехнический институт»
  • А. Н. Дроздов Национальный технический университет «Харьковский политехнический институт»
  • А. С. Вус Национальный технический университет «Харьковский политехнический институт»
  • А. В. Пеньков Center for Nano-Wear, Yonsei University, Seoul, Republic of Korea

Анотація

В работе исследованы закономерности роста пленок и эрозии поверхности при облучении мишеней из оксида индия-олова (ITO, 90 % In2O3 + 10 % SnO2) пучком ускоренных ионов С60 с энергией в интервале 2,5–20 кэВ при температуре TS мишеней 373–673 K. Определена зависимость коэффициента распыления ITO от энергии бомбардирующих ионов. При энергии выше 3,75 кэВ TS = 373 K и происходит процесс травления поверхности мишени. Рост угле­родных пленок на поверхности облучаемых мишеней из ITO наблюдается в интервале энергий ионов 2,5–3,75 кэВ. Обнаружена зависимость коэффициента распыления от температуры. При энергии ионов C60 5 кэВ до температуры 423 K происходит травление мишени, а выше температуры 448 K до 673 K рост пленки и уменьшение коэффициента распыления углеродной пленки с повышением температуры.

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Біографії авторів

М. В. Малеев, Национальный технический университет «Харьковский политехнический институт»
Н.С.
Е. Н. Зубарев, Национальный технический университет «Харьковский политехнический институт»
Н.С.
В. Е. Пуха, Национальный технический университет «Харьковский политехнический институт»
Н.С.
А. Н. Дроздов, Национальный технический университет «Харьковский политехнический институт»
Н.С.
А. С. Вус, Национальный технический университет «Харьковский политехнический институт»
Н.С.
А. В. Пеньков, Center for Nano-Wear, Yonsei University, Seoul, Republic of Korea
Н.С.

Посилання

1. Gordon R. G. Criteria for choosing transparent conductors // MRS bulletin. — 2000. — Vol. 25, No. 8. — P. 52–57.

2. Fortunato E., Barquinha P., Martins R. Oxide Se miconductor Thin–Film Transistors: A Review of Recent Advances // Advanced ma terials. — 2012. — Vol. 24, No. 22. — P. 2945– 2986.

3. Green M. A. Thin-film solar cells: review of materials, technologies and commercial status // Journal of Materials Science: Materials in Electronics. — 2007. — Vol. 18, No. 1. — P. 15–19.

4. Bauer T. et al. Indium-tin-oxide-coated glass as dichroic mirror for far-infrared electromagnetic radiation // Journal of applied physics. — 2002. — Vol. 92, No. 4. — P. 2210–2212.

5. Kim Y. H. et al. Fabrication of multi-electrode array platforms for neuronal interfacing with bi-layer lift-off resist sputter deposition // Journal of Micromechanics and Microengineering. — 2013. — Vol. 23, No. 9. — 097001 p.

6. Leem J. W., Yu J. S. Indium tin oxide subwa velength nanostructures with surface antireflection and superhydrophilicity for high-efficiency Si-based thin film solar cells // Optics express. — 2012. — Vol. 20, No. 103. — P. A431–A440.

7. Kawasaki Y., Shibahara K. Effects of B18Hx + and B18Hx dimer ion implantations on crystallinity and retained B dose in silicon // Journal of Vacuum Science & Technology A. — 2012. — Vol. 30, No. 1. — 011601 p.

8. Toyoda N., Yamada I. Gas cluster ion beam equipment and applications for surfa ce processing //Plasma Science, IEEE Tran sa ctions on. — 2008. — Vol. 36, No. 4. — P. 1471–1488.

9. Popok V. N. et al. Cluster-surface interaction: From soft landing to implantation // Surface Science Reports. — 2011. — Vol. 66, No. 10. — P. 347–377.

10. Toyoda N. et al. Refilling and Planarization of Patterned Surface with Amorphous Carbon Films by Using Gas Cluster Ion Beam Assisted Deposition // Japanese Journal of Applied Physics. — 2010. — Vol. 49, No. 6S. — 06GH13 p.

11. Bourelle E. et al. Sidewall polishing with a gas cluster ion beam for photonic device applications // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam In teractions with Materials and Atoms. — 2005. — Vol. 241, No. 1. — P. 622–625.

12. Seki T. Nano-processing with gas cluster ion beams // Surface and Coatings Technology. — 2009. — Vol. 203, No. 17. — P. 2446–2451.

13. MacCrimmon R. et al. Gas cluster ion beam infusion processing of semiconductors // Nuclear Instruments and Methods in Physics Re search Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. — 2006. — Vol. 242, No. 1. — P. 427–430.

14. Winograd N. The magic of cluster SIMS // Analytical Chemistry. — 2005. — Vol. 77, No. 7. — P. 142A–149A.

15. Winograd N. Molecular depth profiling // Surface and Interface Analysis. — 2013. — Vol. 45, No. 1. — P. 3–8.

16. Khadem M. et al. Ultra-thin nano-patterned wear-protective diamond-like carbon coatings deposited on glass using a C60 ion beam // Carbon. — 2014. — Vol. 80. — P. 534–543.

17. Chen Y. Y. et al. X-ray photoelectron spectrometry depth profiling of organic thin films using C60 sputtering //Analytical chemistry. — 2008. — Vol. 80, No. 2. — P. 501–505.

18. Pukha V. E. et al. Modification of Fullerene Nanocolumn Structure by Accelerated C60 Ions // Journal of nanoscience and nanotechnology. — 2012. — Vol. 12, No. 4. — P. 3091–3100.

19. Pukha V. E. et al. Nanocrystalline diamond thin films deposited from C60 monoenergetic fullerene ion beam // Journal of nanoscience and nanotechnology. — 2007. — Vol. 7, No. 4–5. — P. 1370–1376.

20. Pukha V. E. et al. Growth of nanocomposite films from accelerated C60 ions // Journal of Physics D: Applied Physics. — 2012. — Vol. 45, No. 33. — P. 335302.

21. Pukha V. E. et al. Synthesis, structure and properties of superhard nanostructured films deposited by the C60 ion beam // Journal of nanoscience and nanotechnology. — 2012. — Vol. 12, № 6. — P. 4762–4768.

22. Penkov O. V. et al. Tribological properties of nanostructured DLC coatings deposited by C60 ion beam // Tribology International. — 2013. — Vol. 60. — P. 127–135.

23. Малеев М.В. и др. Закономерности распыления кремневых и углеродных мишеней ускоренными ионами фуллерена C60 // Физическая инженерия поверхности. — 2015. — Т. 13, № 1. — С. 181–104.

24. Малеев М. В. и др. Распыления SiO2 мишеней ускоренными ионами фуллерена C60 // Металлофизика новейшие технологии. В печати.

25. Ионов Н. И. Исследование газоразрядной и космической плазмы с помощью многоэлектродных зондов // Ж. техн. физ. — 1964. — Т. 34. — 769 с.

26. Бериш Р., Молчанов В. А. (ред.). Распыление твердых тел ионной бомбардировкой: Физическое распыление одноэлементных твердых тел. — Мир, 1984. — Вып. 1. — 253 c.

27. Sigmund P. Recollections of fifty years with sputtering // Thin Solid Films. — 2012. — Vol. 520, No. 19. — P. 6031–6049.

28. Sigmund P., Szymonski M. Temperature-dependent sputtering of metals and insulators // Applied Physics A. — 1984. — Vol. 33, No. 3. — P. 141–152.

29. Морозов С. Н., Расулев У. Х. Эмиссия квазитепловых ионов при бомбардировке твердого тела кластерными ионами // Журнал технической физики. — 2009. — Т. 79. — № 7.

30. Sun S. Szakal, C., Winograd, N., & Wucher, A. Energetic Ion Bombardment of Ag Surfaces by C60 and Ga + Projectiles // Journal of the American Society for Mass Spectrometry. — 2005. — Vol. 16, No. 10. — P. 1677–1686.

31. Postawa Z. Czerwinski, B., Szewczyk, M., Smiley, E. J., Winograd, N., & Garrison, B. J. Microscopic insights into the sputtering of Ag {111} induced by C60 and Ga bombardment // The Journal of Physical Chemistry B. — 2004. — Vol. 108, No. 23. — P. 7831–7838.

32. Калиниченко А. И., Перепёлкин С. С., Стрельницкий В. Е. Структурная перестройка углеродной мишени в термоупругих пиках ионов 12C+ и 40Ar+ низких энергий // Вопросы атомной науки и техники. Серия: «Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение. — 2005. — № 3. — С. 182–184.

33. Калиниченко А. И., Перепёлкин С. С., Стрельницкий В. Е. Эффект нелокального теплового пика низкоэнергетического иона и его влияние на кинетические процессы в твёрдом теле // Вопросы атомной науки и техники. Серия: «Физика радиационных повреждений и радиационное материаловедение. — 2007. — № 2. — С. 215–219.

34. Ashida T. et al. Thermal transport properties of polycrystalline tin-doped indium oxide films // Journal of applied physics. — 2009. — Vol. 105, No. 7. — 073709 p.

35. Симеонов Г. В. и др. Физико-химические свойства окислов. Справочник. — М.: Ме¬таллургия, 1978. — 65 с.

36. Chang M. C., Ryong R., Jhon M. S. Thermo dynamic properties of liquid carbon // Carbon. — 1985. — Vol. 23, No. 5. — P. 481– 485.

37. Leider H. R., Krikorian O. H., Young D. A. Thermodynamic properties of carbon up to the critical point // Carbon. — 1973. — Vol. 11, No. 5. — P. 555–563.

38. Savvatimskiy A. I. Experimental electrical resistivity of liquid carbon in the temperature range from 4800 to ~20,000 K // Carbon. — 2009. — Vol. 47, No. 10. — P. 2322–2328.

39. Никольский Б. П. Справочник химика: «Химия», 1966. — Т. 1. — 1072 с.
Опубліковано
2015-12-04
Як цитувати
Малеев, М. В., Зубарев, Е. Н., Пуха, В. Е., Дроздов, А. Н., Вус, А. С., & Пеньков, А. В. (2015). Особенности взаимодействия ускоренных ионов С60 с поверхностью ITO мишени. Журнал фізики та інженерії поверхні, 13(2), 184 -. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/4557