Исследование структуры и химического состава тонких поликристаллических пленок сульфида кадмия при γ-облучении
Анотація
Морфологія, фазовий склад і структура поверхні плівок сульфіду кадмію, отриманих за допомогою електрогідродинамічного (ЕГД) розпилення рідини в атмосфері кисню, були досліджені методами скануючої електронної мікроскопії (SEM), атомно-силової мікроскопії (AFM), енергодисперсійного аналізу (EDS) та рентгеноструктурного аналізу (XRD). Досліджено вплив γ-фотонів на кристалічну структуру плівок CdS. Показано, що радіаційно-стимульована дифузія сприяє росту кристалітів сульфіду кадмію зі структурою вюрцита. Отримані результати свідчать про те, що при осадженні плівок CdS методом ЕГД-пульверізації, нескладними технічними методами, змінюючи час напилення, температуру підкладки, а також співвідношення сірки та кадмію в вихідному розчині, можна отримувати напівпровідникові шари із контрольованими структурою та стехіометричним складом.
Завантаження
##plugins.generic.usageStats.noStats##
Посилання
1. Hasse M. A., J. Qiu, J. M. DePuydt, H. Cheng. Blue-green laser diodes // Appl. Phys. Lett. — 1991. — Vol. 59 — P. 1272.
2. Ganguli N., Acharya S., and I. Dasgupta. First-principles study of the electronic structure of CdS/ZnSe coupled quantum dots // Phys. Rev. B. — 2014. — Vol. 89. — P. 245423.
3. Li X., Zhang Ze., Chen L., Liu Z., Cheng J., Ni W., Xie E., Wang B. Cadmium sulfide quantum dots sensitized tin dioxideetitanium dioxide heterojunction for efficient photoelectrochemical hydrogen production // Journal of Power Sources. — 2014. — Vol. 269. — P. 866–872.
4. Dibbell R. S. and Watson D. F. Distance-dependent electron transfer in tethered assemblies of CdS quantum dots and TiO2 nanoparticles // J. Phys. Chem. C. — 2009. — Vol. 113. — P. 3139–3149.
5. Болотов В. В., Коротченко В. А., Мамонтов А. П., Ржанов А. В., Смирнов Л. С., Шаймеев С. С. Радиационные эффекты в полупроводниках при малых дозах облучения частицами // Физика и техника полупроводников. — 1980. — Т. 14, вып. II. — С. 2257–2260.
6. Борковская О. Ю., Дмитрук Н. Л., Конакова Р. В., Литовченко В. Г. Пространственная локализация эффекта радиационно-стимулированного геттерирования // Физика и техника полупроводников. — 1984. — Т. 18, вып. 10. — С. 1885–1887.
7. Golovanov V. V. Characterization of stannic dioxide nanosensors, invited paper in International Journal of Materials and Product Technology // Special issue: Nano/Microsystems and Manufacturing. Inderscience Enterprises Limited. — 2003. — Vol. 18, Nos. 4/5/6. — P. 296–312.
8. Горюнова Н. А. Сложные алмазоподобные полупроводники — М.: Сов. радио, 1968. — 267 с.
9. Новик Г. А., Поляков С. М. О механизме формирования преимущественных ориентаций слоев сульфида кадмия, полученных испарением в вакууме // Кристаллография. — 1978. — Т. 23, № 4. — С. 886–889.
10. Wilson J. I., Woods J. The electrical properties of evaporated films of cadmium sulphide // J. Phys. Chem. Solids. — 1973. — Vol. 26, No. 2. — P. 171–181.
11. Dawertitz L., Dornics M. The influence of stoichiometry on the structure of vacuum deposited CdS films // Phys. Stat. Sol.(a). — 1975. — Vol. 20, No. 1. — K37–K39.
12. Шалимова К. В., Травина Т. С., Потапов Ю. В., Старостин В. В. Электрические свойства поликристаллических пленок сульфида кадмия // Изв. ВУЗов, Физика. — 1964. — Т. 3. — С. 134–139.
13. King P. J. The optimum conditions for the evaporation of cadmium sulphide films for the generation of microwave ultrasonics // Brit. J. Appl. Phys. — 1969. — Vol. 2, No. 9. — P. 1349–1352.
14. Gupta B. K., Agnihorti O. P. Effect of cation-anion ratio on crystallinity and optical properties of cadmium sulphide films prepared by chemical spray deposition process // Solid State Communication. — 1977. — Vol. 23, No. 5. — P. 295–300.
15. Палатник Л. С., Сорокин В. К. Основы пленочного материаловеденияю.— М.: Наука, 1973. — 295 с.
16. Сергеева Л. А., Подлужный В. В., Калинкин И. П., Костиков Ю. П., Иванов И. К. Электронная микроскопия поверхности термообработанных пленок селенида кадмия // Изв. АН СССР, Неорганические Материалы. — 1980. — Т. 16, № 1. — С. 22–27.
17. Подлужный В. В., Сергеева Л. А., Калинкин И. П. О природе межкристаллитных барьеров в термообработанных пленках селенида кадмия // Изв. ВУЗов, Физика. — 1981. — Т. 1. — С. 105–108.
18. Кукушкин С. А., Сергеева Л. А., Калинкин И. П. Механизм и кинетика начальных стадий окисления пленок селенида кадмия // Журн. Техн. Физики. — 1982. — Т. 52, № 2. — С. 388–390.
19. Lopen O. P. Observation of Cd crystal growth in thin CdSe films during an airbake // Phys. Stat. Sol.(a). — 1972. — Vol. 9, No. 1. — P. 263–266.
20. Chu T. L., Chu S. S., Van Der Leeden G. A., Lin C. J., Boyd J. R. Polycrystalline silicon p-n junctions // Solid State Electron. — 1978. — Vol. 21, No. 5. — P. 781–786.
21. Кузнецов В. Д. Кристаллы и кристаллизация . — М.: Гостехиздат, 1963. — 411 с.
2. Ganguli N., Acharya S., and I. Dasgupta. First-principles study of the electronic structure of CdS/ZnSe coupled quantum dots // Phys. Rev. B. — 2014. — Vol. 89. — P. 245423.
3. Li X., Zhang Ze., Chen L., Liu Z., Cheng J., Ni W., Xie E., Wang B. Cadmium sulfide quantum dots sensitized tin dioxideetitanium dioxide heterojunction for efficient photoelectrochemical hydrogen production // Journal of Power Sources. — 2014. — Vol. 269. — P. 866–872.
4. Dibbell R. S. and Watson D. F. Distance-dependent electron transfer in tethered assemblies of CdS quantum dots and TiO2 nanoparticles // J. Phys. Chem. C. — 2009. — Vol. 113. — P. 3139–3149.
5. Болотов В. В., Коротченко В. А., Мамонтов А. П., Ржанов А. В., Смирнов Л. С., Шаймеев С. С. Радиационные эффекты в полупроводниках при малых дозах облучения частицами // Физика и техника полупроводников. — 1980. — Т. 14, вып. II. — С. 2257–2260.
6. Борковская О. Ю., Дмитрук Н. Л., Конакова Р. В., Литовченко В. Г. Пространственная локализация эффекта радиационно-стимулированного геттерирования // Физика и техника полупроводников. — 1984. — Т. 18, вып. 10. — С. 1885–1887.
7. Golovanov V. V. Characterization of stannic dioxide nanosensors, invited paper in International Journal of Materials and Product Technology // Special issue: Nano/Microsystems and Manufacturing. Inderscience Enterprises Limited. — 2003. — Vol. 18, Nos. 4/5/6. — P. 296–312.
8. Горюнова Н. А. Сложные алмазоподобные полупроводники — М.: Сов. радио, 1968. — 267 с.
9. Новик Г. А., Поляков С. М. О механизме формирования преимущественных ориентаций слоев сульфида кадмия, полученных испарением в вакууме // Кристаллография. — 1978. — Т. 23, № 4. — С. 886–889.
10. Wilson J. I., Woods J. The electrical properties of evaporated films of cadmium sulphide // J. Phys. Chem. Solids. — 1973. — Vol. 26, No. 2. — P. 171–181.
11. Dawertitz L., Dornics M. The influence of stoichiometry on the structure of vacuum deposited CdS films // Phys. Stat. Sol.(a). — 1975. — Vol. 20, No. 1. — K37–K39.
12. Шалимова К. В., Травина Т. С., Потапов Ю. В., Старостин В. В. Электрические свойства поликристаллических пленок сульфида кадмия // Изв. ВУЗов, Физика. — 1964. — Т. 3. — С. 134–139.
13. King P. J. The optimum conditions for the evaporation of cadmium sulphide films for the generation of microwave ultrasonics // Brit. J. Appl. Phys. — 1969. — Vol. 2, No. 9. — P. 1349–1352.
14. Gupta B. K., Agnihorti O. P. Effect of cation-anion ratio on crystallinity and optical properties of cadmium sulphide films prepared by chemical spray deposition process // Solid State Communication. — 1977. — Vol. 23, No. 5. — P. 295–300.
15. Палатник Л. С., Сорокин В. К. Основы пленочного материаловеденияю.— М.: Наука, 1973. — 295 с.
16. Сергеева Л. А., Подлужный В. В., Калинкин И. П., Костиков Ю. П., Иванов И. К. Электронная микроскопия поверхности термообработанных пленок селенида кадмия // Изв. АН СССР, Неорганические Материалы. — 1980. — Т. 16, № 1. — С. 22–27.
17. Подлужный В. В., Сергеева Л. А., Калинкин И. П. О природе межкристаллитных барьеров в термообработанных пленках селенида кадмия // Изв. ВУЗов, Физика. — 1981. — Т. 1. — С. 105–108.
18. Кукушкин С. А., Сергеева Л. А., Калинкин И. П. Механизм и кинетика начальных стадий окисления пленок селенида кадмия // Журн. Техн. Физики. — 1982. — Т. 52, № 2. — С. 388–390.
19. Lopen O. P. Observation of Cd crystal growth in thin CdSe films during an airbake // Phys. Stat. Sol.(a). — 1972. — Vol. 9, No. 1. — P. 263–266.
20. Chu T. L., Chu S. S., Van Der Leeden G. A., Lin C. J., Boyd J. R. Polycrystalline silicon p-n junctions // Solid State Electron. — 1978. — Vol. 21, No. 5. — P. 781–786.
21. Кузнецов В. Д. Кристаллы и кристаллизация . — М.: Гостехиздат, 1963. — 411 с.
Опубліковано
2015-11-24
Як цитувати
Голованова, В. В., Буковский, В. Е., Назарчук, Б. В., & Голованов, В. В. (2015). Исследование структуры и химического состава тонких поликристаллических пленок сульфида кадмия при γ-облучении. Журнал фізики та інженерії поверхні, 13(1), 4 - 11. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/4488
Розділ
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
