Исследование структуры и химического состава тонких поликристаллических пленок сульфида кадмия при γ-облучении
Abstract
Морфологія, фазовий склад і структура поверхні плівок сульфіду кадмію, отриманих за допомогою електрогідродинамічного (ЕГД) розпилення рідини в атмосфері кисню, були досліджені методами скануючої електронної мікроскопії (SEM), атомно-силової мікроскопії (AFM), енергодисперсійного аналізу (EDS) та рентгеноструктурного аналізу (XRD). Досліджено вплив γ-фотонів на кристалічну структуру плівок CdS. Показано, що радіаційно-стимульована дифузія сприяє росту кристалітів сульфіду кадмію зі структурою вюрцита. Отримані результати свідчать про те, що при осадженні плівок CdS методом ЕГД-пульверізації, нескладними технічними методами, змінюючи час напилення, температуру підкладки, а також співвідношення сірки та кадмію в вихідному розчині, можна отримувати напівпровідникові шари із контрольованими структурою та стехіометричним складом.
Downloads
Download data is not yet available.
References
1. Hasse M. A., J. Qiu, J. M. DePuydt, H. Cheng. Blue-green laser diodes // Appl. Phys. Lett. — 1991. — Vol. 59 — P. 1272.
2. Ganguli N., Acharya S., and I. Dasgupta. First-principles study of the electronic structure of CdS/ZnSe coupled quantum dots // Phys. Rev. B. — 2014. — Vol. 89. — P. 245423.
3. Li X., Zhang Ze., Chen L., Liu Z., Cheng J., Ni W., Xie E., Wang B. Cadmium sulfide quantum dots sensitized tin dioxideetitanium dioxide heterojunction for efficient photoelectrochemical hydrogen production // Journal of Power Sources. — 2014. — Vol. 269. — P. 866–872.
4. Dibbell R. S. and Watson D. F. Distance-dependent electron transfer in tethered assemblies of CdS quantum dots and TiO2 nanoparticles // J. Phys. Chem. C. — 2009. — Vol. 113. — P. 3139–3149.
5. Болотов В. В., Коротченко В. А., Мамонтов А. П., Ржанов А. В., Смирнов Л. С., Шаймеев С. С. Радиационные эффекты в полупроводниках при малых дозах облучения частицами // Физика и техника полупроводников. — 1980. — Т. 14, вып. II. — С. 2257–2260.
6. Борковская О. Ю., Дмитрук Н. Л., Конакова Р. В., Литовченко В. Г. Пространственная локализация эффекта радиационно-стимулированного геттерирования // Физика и техника полупроводников. — 1984. — Т. 18, вып. 10. — С. 1885–1887.
7. Golovanov V. V. Characterization of stannic dioxide nanosensors, invited paper in International Journal of Materials and Product Technology // Special issue: Nano/Microsystems and Manufacturing. Inderscience Enterprises Limited. — 2003. — Vol. 18, Nos. 4/5/6. — P. 296–312.
8. Горюнова Н. А. Сложные алмазоподобные полупроводники — М.: Сов. радио, 1968. — 267 с.
9. Новик Г. А., Поляков С. М. О механизме формирования преимущественных ориентаций слоев сульфида кадмия, полученных испарением в вакууме // Кристаллография. — 1978. — Т. 23, № 4. — С. 886–889.
10. Wilson J. I., Woods J. The electrical properties of evaporated films of cadmium sulphide // J. Phys. Chem. Solids. — 1973. — Vol. 26, No. 2. — P. 171–181.
11. Dawertitz L., Dornics M. The influence of stoichiometry on the structure of vacuum deposited CdS films // Phys. Stat. Sol.(a). — 1975. — Vol. 20, No. 1. — K37–K39.
12. Шалимова К. В., Травина Т. С., Потапов Ю. В., Старостин В. В. Электрические свойства поликристаллических пленок сульфида кадмия // Изв. ВУЗов, Физика. — 1964. — Т. 3. — С. 134–139.
13. King P. J. The optimum conditions for the evaporation of cadmium sulphide films for the generation of microwave ultrasonics // Brit. J. Appl. Phys. — 1969. — Vol. 2, No. 9. — P. 1349–1352.
14. Gupta B. K., Agnihorti O. P. Effect of cation-anion ratio on crystallinity and optical properties of cadmium sulphide films prepared by chemical spray deposition process // Solid State Communication. — 1977. — Vol. 23, No. 5. — P. 295–300.
15. Палатник Л. С., Сорокин В. К. Основы пленочного материаловеденияю.— М.: Наука, 1973. — 295 с.
16. Сергеева Л. А., Подлужный В. В., Калинкин И. П., Костиков Ю. П., Иванов И. К. Электронная микроскопия поверхности термообработанных пленок селенида кадмия // Изв. АН СССР, Неорганические Материалы. — 1980. — Т. 16, № 1. — С. 22–27.
17. Подлужный В. В., Сергеева Л. А., Калинкин И. П. О природе межкристаллитных барьеров в термообработанных пленках селенида кадмия // Изв. ВУЗов, Физика. — 1981. — Т. 1. — С. 105–108.
18. Кукушкин С. А., Сергеева Л. А., Калинкин И. П. Механизм и кинетика начальных стадий окисления пленок селенида кадмия // Журн. Техн. Физики. — 1982. — Т. 52, № 2. — С. 388–390.
19. Lopen O. P. Observation of Cd crystal growth in thin CdSe films during an airbake // Phys. Stat. Sol.(a). — 1972. — Vol. 9, No. 1. — P. 263–266.
20. Chu T. L., Chu S. S., Van Der Leeden G. A., Lin C. J., Boyd J. R. Polycrystalline silicon p-n junctions // Solid State Electron. — 1978. — Vol. 21, No. 5. — P. 781–786.
21. Кузнецов В. Д. Кристаллы и кристаллизация . — М.: Гостехиздат, 1963. — 411 с.
2. Ganguli N., Acharya S., and I. Dasgupta. First-principles study of the electronic structure of CdS/ZnSe coupled quantum dots // Phys. Rev. B. — 2014. — Vol. 89. — P. 245423.
3. Li X., Zhang Ze., Chen L., Liu Z., Cheng J., Ni W., Xie E., Wang B. Cadmium sulfide quantum dots sensitized tin dioxideetitanium dioxide heterojunction for efficient photoelectrochemical hydrogen production // Journal of Power Sources. — 2014. — Vol. 269. — P. 866–872.
4. Dibbell R. S. and Watson D. F. Distance-dependent electron transfer in tethered assemblies of CdS quantum dots and TiO2 nanoparticles // J. Phys. Chem. C. — 2009. — Vol. 113. — P. 3139–3149.
5. Болотов В. В., Коротченко В. А., Мамонтов А. П., Ржанов А. В., Смирнов Л. С., Шаймеев С. С. Радиационные эффекты в полупроводниках при малых дозах облучения частицами // Физика и техника полупроводников. — 1980. — Т. 14, вып. II. — С. 2257–2260.
6. Борковская О. Ю., Дмитрук Н. Л., Конакова Р. В., Литовченко В. Г. Пространственная локализация эффекта радиационно-стимулированного геттерирования // Физика и техника полупроводников. — 1984. — Т. 18, вып. 10. — С. 1885–1887.
7. Golovanov V. V. Characterization of stannic dioxide nanosensors, invited paper in International Journal of Materials and Product Technology // Special issue: Nano/Microsystems and Manufacturing. Inderscience Enterprises Limited. — 2003. — Vol. 18, Nos. 4/5/6. — P. 296–312.
8. Горюнова Н. А. Сложные алмазоподобные полупроводники — М.: Сов. радио, 1968. — 267 с.
9. Новик Г. А., Поляков С. М. О механизме формирования преимущественных ориентаций слоев сульфида кадмия, полученных испарением в вакууме // Кристаллография. — 1978. — Т. 23, № 4. — С. 886–889.
10. Wilson J. I., Woods J. The electrical properties of evaporated films of cadmium sulphide // J. Phys. Chem. Solids. — 1973. — Vol. 26, No. 2. — P. 171–181.
11. Dawertitz L., Dornics M. The influence of stoichiometry on the structure of vacuum deposited CdS films // Phys. Stat. Sol.(a). — 1975. — Vol. 20, No. 1. — K37–K39.
12. Шалимова К. В., Травина Т. С., Потапов Ю. В., Старостин В. В. Электрические свойства поликристаллических пленок сульфида кадмия // Изв. ВУЗов, Физика. — 1964. — Т. 3. — С. 134–139.
13. King P. J. The optimum conditions for the evaporation of cadmium sulphide films for the generation of microwave ultrasonics // Brit. J. Appl. Phys. — 1969. — Vol. 2, No. 9. — P. 1349–1352.
14. Gupta B. K., Agnihorti O. P. Effect of cation-anion ratio on crystallinity and optical properties of cadmium sulphide films prepared by chemical spray deposition process // Solid State Communication. — 1977. — Vol. 23, No. 5. — P. 295–300.
15. Палатник Л. С., Сорокин В. К. Основы пленочного материаловеденияю.— М.: Наука, 1973. — 295 с.
16. Сергеева Л. А., Подлужный В. В., Калинкин И. П., Костиков Ю. П., Иванов И. К. Электронная микроскопия поверхности термообработанных пленок селенида кадмия // Изв. АН СССР, Неорганические Материалы. — 1980. — Т. 16, № 1. — С. 22–27.
17. Подлужный В. В., Сергеева Л. А., Калинкин И. П. О природе межкристаллитных барьеров в термообработанных пленках селенида кадмия // Изв. ВУЗов, Физика. — 1981. — Т. 1. — С. 105–108.
18. Кукушкин С. А., Сергеева Л. А., Калинкин И. П. Механизм и кинетика начальных стадий окисления пленок селенида кадмия // Журн. Техн. Физики. — 1982. — Т. 52, № 2. — С. 388–390.
19. Lopen O. P. Observation of Cd crystal growth in thin CdSe films during an airbake // Phys. Stat. Sol.(a). — 1972. — Vol. 9, No. 1. — P. 263–266.
20. Chu T. L., Chu S. S., Van Der Leeden G. A., Lin C. J., Boyd J. R. Polycrystalline silicon p-n junctions // Solid State Electron. — 1978. — Vol. 21, No. 5. — P. 781–786.
21. Кузнецов В. Д. Кристаллы и кристаллизация . — М.: Гостехиздат, 1963. — 411 с.
Published
2015-11-24
How to Cite
Голованова, В. В., Буковский, В. Е., Назарчук, Б. В., & Голованов, В. В. (2015). Исследование структуры и химического состава тонких поликристаллических пленок сульфида кадмия при γ-облучении. Journal of Surface Physics and Engineering, 13(1), 4 - 11. Retrieved from https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/4488
Section
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
