Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления
Анотація
В данной работе методом анодного электрохимического травления была получена периодическая пористая структура полупроводника GaAs (001) n-типа проводимости. Поперечное сечение полученной структуры изучалось на сканирующем электронном микроскопе.
Завантаження
##plugins.generic.usageStats.noStats##
Посилання
1. Херман М. Полупроводниковые сверхрешетки: Пер. с англ. — М.: Мир, 1989. — 240 с.
2. Силин А. П. Полупроводниковые сверхре¬шетки // Успехи физических наук. — 1985. — Т. 147, вып. 3. — С. 485—521.
3. Lehmann V., Stengl R., Luigart A. On the morphology and the electrochemical formation mechanism of mesoporous silicon // Mater. Sci. Eng. B. — 2000. — Vol. 69—70. — P. 11—22.
4. Vincent G. Optical properties of porous silicon superlattices // Appl. Phys. Lett. — 1994. — Vol. 64. — P. 2367—2369.
5. Chan S., Li Y., Rothberg L. J., Miller B. L., Fauchet P. M. Nanoscale silicon microcavities for biosensing // Mater. Sci. Eng. C. — 2001. — Vol. 15. — P. 277—282.
6. Chan S., Fauchet P. M. Silicon microcavity light emitting devices // Opt. Mater. — 2001. — Vol. 17. — P. 31—34.
7. Frohnhoff St., Berger M. G., Thonissen M., Dicker C., Vescan L., Munder H., Luth H. Formation techniques for porous silicon superlattice // Thin Solid Films. — 1995. — Vol. 285. — P. 59—62.
8. Tsuchiya H., Hueppe M., Djenizian Th., Schmuki P., Fujimoto Sh. Morphological characterization of porous InP superlattices // Science and Technology of Advanced Materials. — 2004. — Vol. 5. — P. 119—123.
2. Силин А. П. Полупроводниковые сверхре¬шетки // Успехи физических наук. — 1985. — Т. 147, вып. 3. — С. 485—521.
3. Lehmann V., Stengl R., Luigart A. On the morphology and the electrochemical formation mechanism of mesoporous silicon // Mater. Sci. Eng. B. — 2000. — Vol. 69—70. — P. 11—22.
4. Vincent G. Optical properties of porous silicon superlattices // Appl. Phys. Lett. — 1994. — Vol. 64. — P. 2367—2369.
5. Chan S., Li Y., Rothberg L. J., Miller B. L., Fauchet P. M. Nanoscale silicon microcavities for biosensing // Mater. Sci. Eng. C. — 2001. — Vol. 15. — P. 277—282.
6. Chan S., Fauchet P. M. Silicon microcavity light emitting devices // Opt. Mater. — 2001. — Vol. 17. — P. 31—34.
7. Frohnhoff St., Berger M. G., Thonissen M., Dicker C., Vescan L., Munder H., Luth H. Formation techniques for porous silicon superlattice // Thin Solid Films. — 1995. — Vol. 285. — P. 59—62.
8. Tsuchiya H., Hueppe M., Djenizian Th., Schmuki P., Fujimoto Sh. Morphological characterization of porous InP superlattices // Science and Technology of Advanced Materials. — 2004. — Vol. 5. — P. 119—123.
Опубліковано
2015-04-27
Як цитувати
Дяденчук, А. Ф., & Кидалов, В. В. (2015). Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления. Журнал фізики та інженерії поверхні, 12(4), 484-486. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/1459
Розділ
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
