Нерівноважні процеси на контакті напівпровідник - плазма газового розряду
Анотація
Теоретично розглянуті особливості плазмових контактів напівпровідника в надтонкій газорозрядній комірці, зокрема розглянута динаміка наростання потоку носіїв при включенні прямокутної ступені напруги. Розглянуто складніший випадок, коли послідовно з шаром фоточутливого напівпровідника є шар розподіленого опору, а також випадок, коли напруга, що подається на газорозрядну комірку, має складнішу форму, ніж прямокутна сходинка.
Завантаження
Посилання
Хайдаров З., Йулдашев Х. Т. Новый фотографический эффект в сверхтонкой газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом // Прикладная физика. – 2016. – № 5. – С. 75-80.
Хайдаров З., Йулдашев Х.Т. Высокочувствительная полупроводниковая ионизационная фотографическая камера для инфракрасного диапазона // Прикладная физика. – 2017. – № 1. – С. 65-68.
Касымов Ш. С., Парицкий Л. Г., Хайдаров З., Хамидов В. О., Отажонов С. М. О возможности усиления фототока плазмы газового разряда в преобразователях изображений ионизационного типа // Физическая инженерия поверхности. – 2010. – Т. 8, № 3. – С. 214-221.
Касымов Ш. С., Хайдаров З., Хамидов В. О., Йулдашев Х. Т., Отажонов С. М. Исследование влияния токового усиления на фотографические и выходные характеристики преобразователя изображений ионизационного типа // Физическая инженерия поверхности. – 2011. – Т. 9, № 4. – С. 376-379.
Агаронов Б. С., Зайналлы А. Х., Лебедева Н. Н., Парицкий Л. Г. О фотоэлектрических свойствах контакта полупроводник-плазма газового разряда // Деп. в ВИНИТИ № 3037-76. – 1976, Москва.
