Nonequilibrium processes in contact of semiconductor - gas discharge plasma
Abstract
Theoretically, the features of plasma contacts of a semiconductor in a hyperfine gas-discharge cell are considered, in particular, the kinetics of the growth of the carrier flux is considered when a rectangular voltage stage is included. A more complicated case is considered, in which there is a layer of distributed resistance in series with the layer of the photosensitive semiconductor, and also the case when the voltage applied to the gas-discharge cell has a more complex shape than the rectangular stage.
Downloads
References
Хайдаров З., Йулдашев Х. Т. Новый фотографический эффект в сверхтонкой газоразрядной ячейке с полупроводниковым электродом // Прикладная физика. – 2016. – № 5. – С. 75-80.
Хайдаров З., Йулдашев Х.Т. Высокочувствительная полупроводниковая ионизационная фотографическая камера для инфракрасного диапазона // Прикладная физика. – 2017. – № 1. – С. 65-68.
Касымов Ш. С., Парицкий Л. Г., Хайдаров З., Хамидов В. О., Отажонов С. М. О возможности усиления фототока плазмы газового разряда в преобразователях изображений ионизационного типа // Физическая инженерия поверхности. – 2010. – Т. 8, № 3. – С. 214-221.
Касымов Ш. С., Хайдаров З., Хамидов В. О., Йулдашев Х. Т., Отажонов С. М. Исследование влияния токового усиления на фотографические и выходные характеристики преобразователя изображений ионизационного типа // Физическая инженерия поверхности. – 2011. – Т. 9, № 4. – С. 376-379.
Агаронов Б. С., Зайналлы А. Х., Лебедева Н. Н., Парицкий Л. Г. О фотоэлектрических свойствах контакта полупроводник-плазма газового разряда // Деп. в ВИНИТИ № 3037-76. – 1976, Москва.
