Формування регулярної пористої структури р-InP
Ключові слова:
пористий InP; анодне електрохімічне травління; скануюча електронна мікроскопія; метод енергодисперсійного аналізу рентгенівських променів
Анотація
Показано необхідність використання освітлення зразків р-InP під час анодизації в розчині соляної кислоти для одержання рівномірного ансамблю пор на поверхні досліджуваного кристала. Визначено оптимальні умови для формування регулярної структури пористого шару фосфіду індію р-типу. Отримані зразки з діаметром пор 30 – 40 нм. Формування окисного шару на поверхні кристалів не спостерігалося, що є бажаним результатом при одержанні наноматеріалів.
Завантаження
##plugins.generic.usageStats.noStats##
Посилання
Khalifa S. Ben, Gruzza B., Robert-Goumet C., Bideux L., Monier G., Saidi F., Hassen, G. Maaref H. Bremond G., Be‘ji L. Study of porous IIIV semiconductors by electron spectroscopies (AES and XPS) and optical spectroscopy (PL): Effect of ionic bombardment and nitridation process//Surface Science. – 2007. – Vol. 601. – C. 4531-4535.
Langa S., Carstensen J., Tiginyanu I. M., Christophersen M., Foll H. Self-Induced Voltage Oscillations during Anodic Etching of n-InP and Possible Applications for Three-Dimensional Microstructures//Electrochemical and Solid-State Letters.– 2001.– Vol. 4, № 6.– P. G50-G52.
Langa S., Tiginyanu I. M., Carstensen J., Christophersen M., and Foll H. Self-organized growth of single crystals of nanopores//Applied Physics Letters. – 2003. – Vol. 8, № 2. – P. 278-280.
Kidalov V.V., Beji L., Sukach G.A. Optical properties of p-type porous GaAs//Semiconductors physics quantum electronics & optoelectronics. – 2006. – Vol. 8, №. 4 – P. 129-135.
Langa S., Tiginyanu I.M., Carstensen J., Christophersen M., and Foll H. Self-organized growth of single crystals of nanopores//Applied Physics Letters. – 2003. – Vol. 8, № 2. – P. 278-280.
Tiginyanu I.M., Kravetsky I.V., Langa S. Porous III – V compounds as nonlinear optical materials// Physica Status Solidi (A). – 2003. – Vol. 197, № 2. – P. 549-555.
Fцll H., Langa S., Carstensen J. Pores in III-V Semicoductors//Advanced Materils. – 2003. – Vol. 15, № 3. – P. 183-198.
Tsuchiya H., Hueppe M., Djenizian Th., Schmuki P. Electrochemical formation of porous superlattices on n-type (100) InP//Surface Science. – 2003. – Vol. 547. – P. 268-274.
Langa S., Frey S., Carstensen J. Waveguide structures based on porous indium phosphide et al. ///Electrochemical and Solid-State Letters. – 2005. – Vol. 8, № 2. – P. C30-C32.
Hollinger G., Berngignat E., Joseph J., Robach Y. On the nature of oxides on InP surfaces//Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. – 1985. – Vol. 3, № 6. – P. 2082-2088.
Улин В.П., Конников С.Г. Природа процессов электрохимического порообразования в кристаллах A IIIB V// ФТП. – 2007. – Т. 41, № 7. – C. 854-867.
Langa S., Carstensen J., Tiginyanu I. M., Christophersen M., Foll H. Self-Induced Voltage Oscillations during Anodic Etching of n-InP and Possible Applications for Three-Dimensional Microstructures//Electrochemical and Solid-State Letters.– 2001.– Vol. 4, № 6.– P. G50-G52.
Langa S., Tiginyanu I. M., Carstensen J., Christophersen M., and Foll H. Self-organized growth of single crystals of nanopores//Applied Physics Letters. – 2003. – Vol. 8, № 2. – P. 278-280.
Kidalov V.V., Beji L., Sukach G.A. Optical properties of p-type porous GaAs//Semiconductors physics quantum electronics & optoelectronics. – 2006. – Vol. 8, №. 4 – P. 129-135.
Langa S., Tiginyanu I.M., Carstensen J., Christophersen M., and Foll H. Self-organized growth of single crystals of nanopores//Applied Physics Letters. – 2003. – Vol. 8, № 2. – P. 278-280.
Tiginyanu I.M., Kravetsky I.V., Langa S. Porous III – V compounds as nonlinear optical materials// Physica Status Solidi (A). – 2003. – Vol. 197, № 2. – P. 549-555.
Fцll H., Langa S., Carstensen J. Pores in III-V Semicoductors//Advanced Materils. – 2003. – Vol. 15, № 3. – P. 183-198.
Tsuchiya H., Hueppe M., Djenizian Th., Schmuki P. Electrochemical formation of porous superlattices on n-type (100) InP//Surface Science. – 2003. – Vol. 547. – P. 268-274.
Langa S., Frey S., Carstensen J. Waveguide structures based on porous indium phosphide et al. ///Electrochemical and Solid-State Letters. – 2005. – Vol. 8, № 2. – P. C30-C32.
Hollinger G., Berngignat E., Joseph J., Robach Y. On the nature of oxides on InP surfaces//Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. – 1985. – Vol. 3, № 6. – P. 2082-2088.
Улин В.П., Конников С.Г. Природа процессов электрохимического порообразования в кристаллах A IIIB V// ФТП. – 2007. – Т. 41, № 7. – C. 854-867.
Опубліковано
2019-07-26
Як цитувати
Сычикова, Я. А., Кидалов, В. В., & Сукач, Г. А. (2019). Формування регулярної пористої структури р-InP. Журнал фізики та інженерії поверхні, 8(1), 81-87. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/13454
Розділ
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
