Електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію

  • З. Д. Ковалюк Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення
  • В. Б. Боледзюк Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення
  • В. В. Шевчик Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення
  • О. М. Дубик Дрогобицький державний педагогічний університет ім. Івана Франка
  • В. М. Камінський Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення
Ключові слова: моно селенід індію, селенід ванадію, твердий розчин заміщення, електричні властивості

Анотація

Досліджено структурні особливості та температурні залежності електроопору, термоелектрорушійної сили, концентрації носіїв заряду та фотоструму InSe<VSe7>. Показано, що при легуванні InSe селенідом ванадію відбувається утворення твердого розчину заміщення із незначними змінами основних параметрів гратки, а також проявляється немонотонний характер температурних залежностей електричних параметрів у порівнянні із нелегованим InSe.

 

 

Завантаження

##plugins.generic.usageStats.noStats##

Біографії авторів

З. Д. Ковалюк, Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення
с.н.с.
В. Б. Боледзюк, Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення
с.н.с.
В. В. Шевчик, Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення
с.н.с.
О. М. Дубик, Дрогобицький державний педагогічний університет ім. Івана Франка
с.н.с.
В. М. Камінський, Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення
с.н.с.

Посилання

Товстюк К.Д. Полупроводниковое материаловедение. – К.: Наукова думка, 1984. – 264 с.

Медведева З.С. Халькогениды элементов ІІІ-Б подгруппы периодической системы. – М.: Наука, 1968. – 216 с.

Ковалюк З.Д., Политанская О.А., Литовченко П.Г., Ластовецкий В.Ф., Литовченко О.П., Дубовой В.К., Поливцев Л.А. Влияние нейтронного облучения на фотоэлектрические параметры структур р-n-InSe//Письма в ЖТФ. – 2007. – Т. 33, Вып. 18. – С. 14-22.

Магнетизм наносистем на основе редкоземельных и 3d-переходных металлов. Хрестоматия/Под ред. В.О. Васьковского. – Екатеринбург, 2007. – 266 с.

Демчина Л., Ковалюк З., Минтянский И. Изготовление омических контактов к слоистым монокристаллам типа А3В6//Приборы и техника эксперимента. – 1980. – № 2. – C. 219.

Беленький Г.Л., Абдуллаев Н.А., Зверев В.Н., Штейншрайбер В.Я. Природа анизотропии проводимости и особенности локализации электронов в слоистом селениде индия// Письма в ЖЭТФ. – 1988. – Т. 47, Вып. 10. – С. 498-500.

Segura A., Pomer F., Cantarero A., et al. Electron scattering mechanism in n-type indium selenide //Phys. Rev. B. – 1984. – Vol. 29, №10. – P. 5708-5717.

Segura A., Wunstel K., Chevy A. Investigation of impurity levels in n-type indium selenide by means of Hall effect and deep level transient spectroscopy//Appl. Phys. A. – 1983. – Vol. 31, № 2. – P. 139-145.

Zaslonkin A.V., Kovalyuk Z.D., Mintyanskii I.V., and Savitskii P.I. Electrical properties of fast cooled InSe single crystals//Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics. – 2008. – Vol. 11, № 1. – P. 54-58.

Нагаев Э.Л. Физика магнитних полупроводников. – М.: Наука, 1979. – 432 с.
Опубліковано
2012-11-12
Як цитувати
Ковалюк, З. Д., Боледзюк, В. Б., Шевчик, В. В., Дубик, О. М., & Камінський, В. М. (2012). Електричні властивості моноселеніду індію, легованого селенідом ванадію. Журнал фізики та інженерії поверхні, 10(4), 448- 452. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/10166