Electrical properties of monoselenide of india doped with vanadium selenide

  • З. Д. Ковалюк Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення
  • В. Б. Боледзюк Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення
  • В. В. Шевчик Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення
  • О. М. Дубик Дрогобицький державний педагогічний університет ім. Івана Франка
  • В. М. Камінський Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення
Keywords: indium monoselenide, vanadium selenide, substitution solution, electrical properties

Abstract

Structural features and temperature dependence electric resistance, thermoelectric power, the concentration of charge carriers and the photocurrent InSe <VSe7> was investigated. It is shown that the doping InSe of vanadium selenide the formation of a substitutional solution, with minor changes in the lattice parameters and observed nonmonotonic temperature dependence of the electrical parameters in comparison with undoped InSe.

 

 

Downloads

Download data is not yet available.

Author Biographies

З. Д. Ковалюк, Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення
с.н.с.
В. Б. Боледзюк, Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення
с.н.с.
В. В. Шевчик, Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення
с.н.с.
О. М. Дубик, Дрогобицький державний педагогічний університет ім. Івана Франка
с.н.с.
В. М. Камінський, Інститут проблем матеріалознавства НАН України, Чернівецьке відділення
с.н.с.

References

Товстюк К.Д. Полупроводниковое материаловедение. – К.: Наукова думка, 1984. – 264 с.

Медведева З.С. Халькогениды элементов ІІІ-Б подгруппы периодической системы. – М.: Наука, 1968. – 216 с.

Ковалюк З.Д., Политанская О.А., Литовченко П.Г., Ластовецкий В.Ф., Литовченко О.П., Дубовой В.К., Поливцев Л.А. Влияние нейтронного облучения на фотоэлектрические параметры структур р-n-InSe//Письма в ЖТФ. – 2007. – Т. 33, Вып. 18. – С. 14-22.

Магнетизм наносистем на основе редкоземельных и 3d-переходных металлов. Хрестоматия/Под ред. В.О. Васьковского. – Екатеринбург, 2007. – 266 с.

Демчина Л., Ковалюк З., Минтянский И. Изготовление омических контактов к слоистым монокристаллам типа А3В6//Приборы и техника эксперимента. – 1980. – № 2. – C. 219.

Беленький Г.Л., Абдуллаев Н.А., Зверев В.Н., Штейншрайбер В.Я. Природа анизотропии проводимости и особенности локализации электронов в слоистом селениде индия// Письма в ЖЭТФ. – 1988. – Т. 47, Вып. 10. – С. 498-500.

Segura A., Pomer F., Cantarero A., et al. Electron scattering mechanism in n-type indium selenide //Phys. Rev. B. – 1984. – Vol. 29, №10. – P. 5708-5717.

Segura A., Wunstel K., Chevy A. Investigation of impurity levels in n-type indium selenide by means of Hall effect and deep level transient spectroscopy//Appl. Phys. A. – 1983. – Vol. 31, № 2. – P. 139-145.

Zaslonkin A.V., Kovalyuk Z.D., Mintyanskii I.V., and Savitskii P.I. Electrical properties of fast cooled InSe single crystals//Semiconductor Physics, Quantum Electronics&Optoelectronics. – 2008. – Vol. 11, № 1. – P. 54-58.

Нагаев Э.Л. Физика магнитних полупроводников. – М.: Наука, 1979. – 432 с.
Published
2012-11-12
How to Cite
Ковалюк, З. Д., Боледзюк, В. Б., Шевчик, В. В., Дубик, О. М., & Камінський, В. М. (2012). Electrical properties of monoselenide of india doped with vanadium selenide. Journal of Surface Physics and Engineering, 10(4), 448- 452. Retrieved from https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/10166