Relaxation changes in the mobility and concentration of charge carriers in Si with deep impurity levels under the action of pulsed pressure
Keywords:
strain properties, compensated silicon, concentration of charge carriers, mobility of charge carriers, pulse pressure, hydrostatic pressure, impurity of nickel, dynamic strain effects, deep levels
Abstract
In this article have been investigated changes in the concentration and mobility of charge carriers in the samples of n and p type of nickel doped silicon under pulse hydrostatic pressure and with change of temperature by electrical heater integrated to the samples. Has been shown, that the dynamic strain effect of these samples due to 50% of the temperature and 50% of the vibration effects of the crystal lattice of nickel doped silicon.
Downloads
Download data is not yet available.
References
Полякова А.А. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов. – М.: Энергия, 1979. – 168 с.
Болтакс Б.И., Бахадырханов М.К., Городецкий С.М., Куликов Г.С. Компенсированный кремний. – Л.:, 1972. – 121 с.
Абдураимов А., Зайнабидинов С.З., Маматкаримов О.О., Турсунов И.Г., Химматкулов О. Динамическая проводимость компенсированного кремния при всестороннем гидростатическом сжатии//ФТП. – 1993. – Т. 27, Вып. 3. – С. 516-519.
Шейкман М.К., Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках//ФТП. – 1976. – Т. 10, Вып. 2. – С.203-233.
Абдураимов А., Зайнабидинов С.З., Маматкаримов О.О., Химаткулов О., Худайбергенов Т.Э. Установка гидростатистического давления с пневмоусилителем для исследования тензосвойвств полупроводниковых материалов//ПТЭ. – 1988. – № 5. – С. 229-231.
Zainabidinov S.Z., Mamatkarimov O.O., Tursunov I., Tuychie U. Dinamic syrain conductivity of compensated silicon//Modern phisics litters B. – 1998. – Vol. 12, № 9. – P. 335-341.
Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников. – М.: Высшая школа, 1984.
Болтакс Б.И., Бахадырханов М.К., Городецкий С.М., Куликов Г.С. Компенсированный кремний. – Л.:, 1972. – 121 с.
Абдураимов А., Зайнабидинов С.З., Маматкаримов О.О., Турсунов И.Г., Химматкулов О. Динамическая проводимость компенсированного кремния при всестороннем гидростатическом сжатии//ФТП. – 1993. – Т. 27, Вып. 3. – С. 516-519.
Шейкман М.К., Шик А.Я. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в полупроводниках//ФТП. – 1976. – Т. 10, Вып. 2. – С.203-233.
Абдураимов А., Зайнабидинов С.З., Маматкаримов О.О., Химаткулов О., Худайбергенов Т.Э. Установка гидростатистического давления с пневмоусилителем для исследования тензосвойвств полупроводниковых материалов//ПТЭ. – 1988. – № 5. – С. 229-231.
Zainabidinov S.Z., Mamatkarimov O.O., Tursunov I., Tuychie U. Dinamic syrain conductivity of compensated silicon//Modern phisics litters B. – 1998. – Vol. 12, № 9. – P. 335-341.
Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников. – М.: Высшая школа, 1984.
Published
2012-09-29
How to Cite
Маматкаримов, О. О., Хамидов, Р. Х., Жабборов, Р. Г., Туйчиев, У. А., & Кучкаров, Б. Х. (2012). Relaxation changes in the mobility and concentration of charge carriers in Si with deep impurity levels under the action of pulsed pressure. Journal of Surface Physics and Engineering, 10(4), 418 - 422. Retrieved from https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/10162
Section
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
