Вплив режиму магнетронного розпилення та складу реакційного газу на структуру і властивості плівок ITO
Ключові слова:
плівки ITO, магнетронне розпилення, переважна орієнтація, електричний опір, прозорість, ширина забороненої зони
Анотація
Вивчено вплив температури підкладки, складу робочого газу і режимів DC і MF реактивного магнетронного розпилення сплаву 90%In + 10%Sn на структурний стан, електричний опір, прозорість і ширину забороненої зони плівок ITO, осаджених на скляні підкладки. Встановлена залежність електронно-оптичних властивостей плівок ITO від умов їх отримання пояснюється впливом ступеню релаксації внутрішніх напруг і кристалічності.
Завантаження
##plugins.generic.usageStats.noStats##
Посилання
Granqvist C.G., Hultaker A. Transparent and conducting ITO films: new developments and applications//Thin Solid Films. – 2002. – Vol. 411. – P. 1-5.
Oka N., KawaseYu., Shigesato Yu. High-rate deposition of high-quality Sn-doped In2O3 films by reactive magnetron sputtering using alloy targets//Thin Solid Films. – 2012. – Vol. 520. – P. 4101-4105.
Marcovitch O., KleinZ., LubezkyI. Transparent conductive indium oxide film deposited on low temperature substrates by activated reactive evaporation//Applied Optics. – 1989. – Vol. 28, № 14. – Р. 2792-2795.
Balasubramanian N., Subrahmanyam A. Electrical and optical properties of reactively evaporated indium tin oxide (ITO) films dependence on substrate temperature and tin concentration//J. Phys. D: Appl. Phys. – 1989. – Vol. 22. – P. 206-209.
Legeay G.A., Castel X. A gradual annealing of amorphous sputtered indium tin oxide: Crystalline structureand electrical characteristics//Thin Solid Films. – 2012. – Vol. 520. – P. 4121-4125.F
Meng L.J., dos Santos M.P. Properties of indium tin oxide (ITO) films prepared by r.f. reactive magnetron sputtering at different pressures//Thin Solid Films. – 1997. – Vol. 303. – P. 151-155
Tului M., Bellucci A., Bellini S., Albolino A., Migliozzi G. Indium tin oxide coatings properties as a function of the depositionatmosphere//Thin Solid Films. – 2012. – Vol. 520. – P. 4041-4045.F
Strumpfeli J., May C.,Low ohm large area ITO coating by reactive magnetron sputtering in DC and MF mode//Vacuum. – 2000. – Vol. 59. – Р. 500-505.
Юрченко Г.В.. Электрические и оптические свойства пленок ITO, полученных методом магнетронного распыления//ВАНТ. – 2000. – № 5. – С. 97-98.9l, M.P.
Горелик С.С., Скаков Ю.А., Расторгуев Л.Н. Рентгенографический и электроннографический анализ. – М.: МИСИС, 2002. – 360 с.
Pradhan D., Leung K.T. Vertical Growth of TwoDimensional Zinc Oxide Nanostructures on ITOCoated Glass: Effects of Deposition Temperature and Deposition Time//J. Phys. Chem. C. – 2008. – Vol. 112, № 5 – P. 1357-1364.
Мосс Г., Баррелл Т. Полупроводниковая оптоэлектроника. – М.: Мир, 1976. – 432 с.
Oka N., KawaseYu., Shigesato Yu. High-rate deposition of high-quality Sn-doped In2O3 films by reactive magnetron sputtering using alloy targets//Thin Solid Films. – 2012. – Vol. 520. – P. 4101-4105.
Marcovitch O., KleinZ., LubezkyI. Transparent conductive indium oxide film deposited on low temperature substrates by activated reactive evaporation//Applied Optics. – 1989. – Vol. 28, № 14. – Р. 2792-2795.
Balasubramanian N., Subrahmanyam A. Electrical and optical properties of reactively evaporated indium tin oxide (ITO) films dependence on substrate temperature and tin concentration//J. Phys. D: Appl. Phys. – 1989. – Vol. 22. – P. 206-209.
Legeay G.A., Castel X. A gradual annealing of amorphous sputtered indium tin oxide: Crystalline structureand electrical characteristics//Thin Solid Films. – 2012. – Vol. 520. – P. 4121-4125.F
Meng L.J., dos Santos M.P. Properties of indium tin oxide (ITO) films prepared by r.f. reactive magnetron sputtering at different pressures//Thin Solid Films. – 1997. – Vol. 303. – P. 151-155
Tului M., Bellucci A., Bellini S., Albolino A., Migliozzi G. Indium tin oxide coatings properties as a function of the depositionatmosphere//Thin Solid Films. – 2012. – Vol. 520. – P. 4041-4045.F
Strumpfeli J., May C.,Low ohm large area ITO coating by reactive magnetron sputtering in DC and MF mode//Vacuum. – 2000. – Vol. 59. – Р. 500-505.
Юрченко Г.В.. Электрические и оптические свойства пленок ITO, полученных методом магнетронного распыления//ВАНТ. – 2000. – № 5. – С. 97-98.9l, M.P.
Горелик С.С., Скаков Ю.А., Расторгуев Л.Н. Рентгенографический и электроннографический анализ. – М.: МИСИС, 2002. – 360 с.
Pradhan D., Leung K.T. Vertical Growth of TwoDimensional Zinc Oxide Nanostructures on ITOCoated Glass: Effects of Deposition Temperature and Deposition Time//J. Phys. Chem. C. – 2008. – Vol. 112, № 5 – P. 1357-1364.
Мосс Г., Баррелл Т. Полупроводниковая оптоэлектроника. – М.: Мир, 1976. – 432 с.
Опубліковано
2012-10-08
Як цитувати
Бажин, А. И., Троцан, А. Н., Чертопалов, С. В., Стипаненко, А. А., & Ступак, В. А. (2012). Вплив режиму магнетронного розпилення та складу реакційного газу на структуру і властивості плівок ITO. Журнал фізики та інженерії поверхні, 10(4), 342 - 349. вилучено із https://periodicals.karazin.ua/pse/article/view/10074
Розділ
Статті
У відповідності з типовим шаблоном.
