ВПЛИВ ВИСОКОГО ТИСКУ НА ТЕМПЕРАТУРНУ ЗАЛЕЖНІСТЬ ПСЕВДОЩІЛИНИ МОНОКРИСТАЛІВ Y0.66Pr0.34Ba2Cu3O7-δ
DOI:
https://doi.org/10.26565/2222-5617-2024-40-05Ключові слова:
надлишкова провідність, допування, монокристали Y1-xPrxBa2Cu3O7-δ, високотемпературна надпровідність, кросовер, псевдощілинний станАнотація
У роботі було досліджено вплив високого гідростатичного тиску на електричну провідність s(Т) у базисній ab-площині монокристалу високотемпературного надпровідника (ВТНП) Y0.66Pr0.34Ba2Cu3O7-δ. Монокристал YBa2Cu3O7-d вирощували за відомою розчин-розплавною технологією. Як початкові компоненти для вирощування монокристалу Y0.66Pr0.34Ba2Cu3O7-δ використовували сполуки Y2O3, BaCO3, CuО та Pr5O11 у відповідному процентному співвідношенні. Режими вирощування та насичення киснем кристалу Y1-xPrxBa2Cu3O7-δ були такими ж, як і для нелегованих монокристалів. Електричний опір у ab-площині вимірювали за стандартною 4-контактною методикою. Гідростатичний тиск створювали у мультиплікаторі типу поршень-циліндр. Експериментально отримано температурні залежності питомого електричного опору r(Т) досліджуваних монокристалів в ab-площині в інтервалі температур Тс–300 К за тисків 0–10 кбар. При всіх тисках, які були застосовані, експериментальні криві r(Т) містять лінійні ділянки при температурах Т > T*. При температурах Т < T* криві r(Т) відхиляються донизу від своєї лінійної екстраполяції, тобто у досліджених зразках виникає надлишкова провідність Ds(Т). Встановлено, що Ds(Т) зразків у широкому інтервалі температур Tf < Т < T* характеризується експоненційною температурною залежністю Δs ~ (1–Т/Т*)exp(Δ*ab/T), де Т* – середньопольова температура надпровідного переходу, яка може бути інтерпретована в термінах теорії кросовера БКШ–БЕК. Користуючись цим співвідношенням, побудовано температурну залежність псевдощілини Δ*ab(T) від Т* до температур, що відповідають максимальному значенню псевдощілини. Збільшення прикладеного тиску приводить до ефекту звуження температурного інтервалу реалізації псевдощілинного (ПЩ) режиму і, в результаті, до розширення інтервалу лінійної залежності питомого електричного опору у ab-площині. При збільшенні тиску температурна залежність псевдощілини демонструє кросовер від залежності типу БКШ до залежності типу БЕК.
Посилання
R. V. Vovk, A. L. Solovyov. Low Temp. Phys., 44, 81 (2018). https://doi.org/10.1063/1.5020905
M. Akhavan. Physica B, 321, 265 (2002). https://doi.org/10.1016/S0921-4526(02)00860-8
A. I. Chroneos, I. L. Goulatis and R. V. Vovk. Acta Chim. Slov., 54, 179 (2007).
D. D. Prokof'yev, M. P. Volkov, Yu. A. Boykov. Physics of the Solid State, 45, 7, 1168 (2003) (in Russian).
E. Babaev, H. Kleinert. Phys. Rev. B., 59, 12083 (1999). https://doi.org/10.1103/PhysRevB.59.12083
3.gif){kind=logo}
