Властивості монокристалічного кремнію, легованого ванадієм
Анотація
У статті повідомляється про різке збільшення питомого опору та зміни (типу) провідності в зразку монокристалічного кремнію, легованого ванадієм. Електричні та оптичні властивості монокристалічного кремнію були визначені вимірюваннями Холла та чотирьох зондів та інфрачервоною (ІЧ) спектроскопією. Відносний опір, концентрацію носіїв заряду, рухливість та концентрацію оптично активного кисню та вуглецю в зразках визначали пошарово. Показано, що в легованих ванадієм зразках кремнію концентрація оптично активних атомів кисню має тенденцію до зменшення.
Завантаження
Посилання
Kh.S. Daliev, Sh.B. Utamuradova, O.A. Bozorova, and Sh.Kh. Daliev, “Joint effect of Ni and Gf impurity atoms on the silicon solar cell photosensitivity,” Applied Solar Energy (English translation of Geliotekhnika), 41(1), 80–81 (2005). https://www.researchgate.net/publication/294234192_Joint_effect_of_Ni_and_Gf_impurity_atoms_on_the_silicon_solar_cell_photosensitivity
Sh.B. Utamuradova, Sh.Kh. Daliev, E.M. Naurzalieva, X.Yu. Utemuratova, “Investigation of defect formation in silicon doped with silver and gadolinium impurities by Raman scattering spectroscopy,” East Eur. J. Phys., (3), 430–433 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-3-47
O. E. Sattarov, A. Mavlyanov and A. An, “Effect of Manganese Atoms on the Magnetic Properties of Silicon,” Surface Engineering and Applied Electrochemistry, 59(2), 216–219 (2023). https://doi.org/10.3103/S106837552302014X
Kh.S. Daliev, Sh.B. Utamuradova, O.A. Bozorova, and Sh.Kh. Daliev, “Joint influence of impurity atoms of nickel and hafnium on photosensitivity of silicon solar cells,” Geliotekhnika, (1), 85–87 (2005).
Sh.B. Utamuradova, Kh.S. Daliev, E.K. Kalandarov, and Sh.Kh. Daliev, “Features of the behavior of lanthanum and hafnium atoms in silicon,” Technical Physics Letters, 32(6), 469–470 (2006). https://doi.org/10.1134/S1063785006060034
Sh.B. Utamuradova, A.V. Stanchik, and D.A. Rakhmanov, East Eur. J. Phys. 2, 201 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-2-21
T.M. Razykov, J. Bekmirzoev, A. Bosio, B.A. Ergashev, D. Isakov, R. Khurramov, K.M. Kouchkarov, et al., “Structural and optical properties of SbxSey thin films obtained by chemical molecular beam deposition method from Sb and Se precursors,” Solar Energy, 254, 67–72 (2023). https://doi.org/10.1016/j.solener.2023.03.010
Sh.B. Utamuradova, Z.T. Azamatov, V.E. Gaponov, N.N. Bazarbaev, and A.B. Bakhromov, “Application of speckle interferometry for non-destructive testing of objects,” Applied Physics, 4, 115–120 (2023).
I. Sapaev, B. Sapaev, D. Abdullaev, J. Abdullayev, A. Umarov, R. Siddikov, A. Mamasoliev, et al., “Influence of the parameters to transition capacitance at NCDS-PSI heterostructure,” E3S Web of Conferences, 383, 04022 (2023). https://doi.org/10.1051/e3sconf/202338304022
K.P. Abdurakhmanov, Sh.B. Utamuradova, Kh.S. Daliev, N.Kh. Ochilova, and Z.O. Olimbekov, “Study of the interimpurity interaction in silicon doped with platinum and iron,” Applied Solar Energy, 34(2), 71-72 (1998).
Kh.S. Daliev, Sh.B. Utamuradova, I.Kh. Khamidzhonov, A.Zh. Akbarov, I.K. Mirzairova, and Zh. Akimova, “Thermally Induced Deep Centers in Silicon Doped with Europium or Lanthanum,” Inorganic Materials, 37, 436–438 (2001). https://doi.org/10.1023/A:1017556212569
S.I. Vlasov, and F.A. Saparov, “Effect of pressure on the electric properties of passivating coatings based on lead borosilicate glasses,” Surface Engineering and Applied Electrochemistry, 47(4), 338-339 (2011). http://dx.doi.org/10.3103%2FS1068375511040156
S.B. Utamuradova, Z.T. Azamatov, M.A. Yuldoshev, N.N. Bazarbayev, and A.B. Bakhromov, East Eur. J. Phys. 4, 147 (2023), https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-4-15
Sh.Kh. Daliev, and F.A. Saparov, “On the properties of the Si-SiO2 transition layer in multilayer silicon structures”, East European Journal of Physics, (4), 206-209 (2023). https://doi.org/10.26565/2312-4334-2023-4-25.
A.Yu. Lederman, R.A. Ayukhanov, R.M. Turmanova, A.K. Uteniyazov, and E.S. Esenbaeva, Non-recombination injection mode, Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 24(3) 248-254 (2021). https://doi.org/10.15407/spqeo24.03.248
Kh.S. Daliev, Sh.B. Utamuradova, O.A. Bozorova, and Sh.Kh. Daliev, Joint influence of impurity atoms of nickel and hafnium on photosensitivity of silicon solar cells. Geliotekhnika, (1), 85–87 (2005).
Авторське право (c) 2024 Ходжакбар С. Далієв, Зафарджон М. Хусанов
Цю роботу ліцензовано за Міжнародня ліцензія Creative Commons Attribution 4.0.
Автори, які публікуються у цьому журналі, погоджуються з наступними умовами:
- Автори залишають за собою право на авторство своєї роботи та передають журналу право першої публікації цієї роботи на умовах ліцензії Creative Commons Attribution License, котра дозволяє іншим особам вільно розповсюджувати опубліковану роботу з обов'язковим посиланням на авторів оригінальної роботи та першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Автори мають право укладати самостійні додаткові угоди щодо неексклюзивного розповсюдження роботи у тому вигляді, в якому вона була опублікована цим журналом (наприклад, розміщувати роботу в електронному сховищі установи або публікувати у складі монографії), за умови збереження посилання на першу публікацію роботи у цьому журналі.
- Політика журналу дозволяє і заохочує розміщення авторами в мережі Інтернет (наприклад, у сховищах установ або на особистих веб-сайтах) рукопису роботи, як до подання цього рукопису до редакції, так і під час його редакційного опрацювання, оскільки це сприяє виникненню продуктивної наукової дискусії та позитивно позначається на оперативності та динаміці цитування опублікованої роботи (див. The Effect of Open Access).
